10KV电力线路防雷经验介绍

一、典型案例 2008年7月15日20时左右，运行人员接到配网调度班电话：10KV168黄山1#线A相单相接地，要求运行人员迅速查明故障原因。     

敏兰紫光电探测器的研制

用能量是100kev，剂量为10^13cm的Zn离子，注入到n-GaP单晶补氏所制做的光电探测器，它对波长为380nm-440nm的光具有敏感性。利用俄歇能谱（AES）和x光电子能谱（ESCA），对注入剖面的杂质分布进行了研究。结果表明，注入的Zn离子，它的2p3/2电子的结合能是1021.lev，比它的标准值低0．4ev,由测试结果给出了这种光电探测器的最大量子效率是34％。     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

一种多层阳极在电致发光中的应用

报道了一种新型的多层阳极结构在电致发光器件中的应用,其结构为ITO/Ag/ITO,该阳极表面方块电阻为2 Ω/口.制成器件的结构为ITO/Ag/ITO/TPD:PVK/Alq/Al,在同样测试条件下,测得其发光亮度为ITO/TPD:PVK/Alq/Al器件的5倍.另外对器件亮度的衰减作了研究.     

有机电致发光器件的电极研究

介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。     

掺杂对OLED发光效率的影响

概述了掺杂发光的种类、掺杂发光提高OLED发光效率的机制。     

敏兰紫光电探测器的研制

用能量是100kev,剂量为10~13cm的Z_n离子,注入到n—GaP单晶衬底所制做的光电探测器,它对波长为380nm～440nm的光具有敏感性。利用俄歇能谱(AES)和x光电子能谱(ESCA),对注入剖面的杂质分布进行了研究。结果表明,注入的Z_n离子,它的2p_3/2电子的结合能是1021.1ev,比它的标准值低0.4ev,由测试结果给出了这种光电探测器的最大量子效率是34％。     

多模式仿核脉冲随机信号发生器研究

以伪均匀随机数为基础,通过计算和查表产生高斯分布和指数分布随机数,以89C51单片计算机系统为硬件,采用Keil C编程,实现了输出脉冲幅度可以是高斯分布、指数分布及均匀分布等模式,也可以两种以上模式共同输出,输出脉冲时间间隔可以是周期性的,也可以是指数分布的.该随机信号发生器可以实现多种分布模式的输出控制,较好地仿真了核脉冲幅度和时间的随机特性.     

3CT400A/2000V的设计与制造工艺

本文设计并计算了整流电流为400A,耐压为2000V的半导体可控硅整流元件的各种结构、工艺参数及它们之间的相互关系,并给出了研制这种大功率半导体器件的各种最佳工艺条件。     

GaP绿色发光材料的电子能谱分析

本定时n型GaP单晶及掺氦P型外延层,进行了电子能谱分析,给出了材料的组分结构状态、化学位移,并讨论了材料质量的有关问题。