基于运算放大器和傅里叶谱分析的电导与微分电导同步测量

提出一种基于运算放大器和傅里叶谱分析仪的电导与微分电导同步测量方法. 针对非线性样品二极管在交直流偏压作用下的输出响应电压特征进行了理论研究,在输出响应电压信号谐波高频成分远小于低频成分的假设条件下,推导了二极管电导及微分电导同步测量方程,得到完整的物理关系解析表达式. 对二极管进行的仿真实验和电路测量实验结果验证了该方法的有效性;并发现二极管在相同的直流偏压下,其微分电导信号的精度比电导信号的精度高一个量级.     

类金刚石薄膜的喇曼光谱高斯分解研究

采用过滤式阴极电弧沉积的方法获得类金刚石薄膜.喇曼光谱的分析表明,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜.喇曼光谱的高斯分解研究表明:随着偏压的增加,D线和G线的位置__d、__g向低频移动,半高宽F_g减小、F_d增加,在偏压为-100V时,D线和G线强度比I_d/I_g有最大值.     

吸附NO2对MoS2纳米带输运性质的影响

二硫化钼(MoS_2)作为新兴的类石墨烯二维材料,具有层状结构、天然的带隙、大的比表面积等优异的物理化学特性,是制作新型高灵敏度气敏传感器的理想材料.利用密度泛函与非平衡态格林函数相结合的方法,研究了吸附NO_2对MoS_2纳米带输运性质的影响.研究发现吸附了NO_2的MoS_2纳米带在偏压小于0.5 V时电流一直为0 A,与未吸附NO_2的MoS_2纳米带输运性质相比,表现出较大的差异性.这表明MoS_2纳米带在NO_2气体传感器上有着良好的应用前景.     

边缘掺杂对应力作用下锯齿型石墨烯纳米带I-V特性的影响

利用第一性原理计算得到边缘n-型氮N和p-型氧O掺杂的6-锯齿型石墨烯纳米带在外加非轴向应力作用下的I-V特性曲线.研究结果表明,边缘掺杂在低偏压条件(VBias<0.5 V)下增强锯齿型石墨烯纳米带的导电能力,在偏压大于1.0 V后将减弱系统的导电能力;外加非轴向应变却能在较宽的偏压范围内增强系统的导电能力.该结果对基于锯齿型石墨烯纳米带的纳米电子、光电子器件的研究和设计具有较重要的意义.     

新型线性函数光子晶体光子二极管的研究

本文运用费马原理和传输矩阵方法研究线性函数光子晶体,通过计算给出了光正入射和反入射时的透射特性及电场分布.研究发现:线性函数光子晶体的透射特性不同于常规光子晶体,并且能够有效的放大或衰减光的电场强度,这为设计光子放大器件和光子二极管提供了重要的理论依据.     

多级放大器的高频特性分析

<正> 一、引言在电子线路和电子器件中,常离不开多级放大器,而多级放大器的高频电压放大倍数,则是其频率特性分析中的一个十分重要的参量。但通常文献中对这一参量多是以整体电路进行分析与计算的,这里我们不妨称之为“整体分析法”。这种方法,常使人觉得多级放大器高频特性的分析比较复杂和繁琐。本文提出了一种较通俗易懂的分级分析方法,我们也不妨称之为“级进分析法”。这种方法,不仅可使分析计算     

动静压轴承偏斜状态下的静特性分析

动静压轴承集中了动压轴承和静压轴承的优点,但对其性能研究还很少,尤其是轴线偏斜对其性能影响还无专门研究.本文通过分析不同的偏斜情况,应用有限差分法,求解雷诺方程,分析偏斜后动静压轴承的静特性.     

一种高性能六轴腕力传感器弹性体结构设计

建立了一种空间机器人上使用的六轴腕力传感器弹性体静、动特性的有限元分析模型,分析了该传感器的弹性体在各种工况下的应力分布以及固有振动的频率和振型.应用正交试验设计全面分析结构主要参数对传感器的静、动特性的影响.用逐步回归分析方法对数值计算结果进行回归,获得了弹性体性能和其结构尺寸的回归方程,并进行了结构优化设计.     

简易溶液法合成CsPbBr_3的光探测性能研究

设计并实现了一种新颖高效的制备CsPbBr_3纳米材料的实验方法 .首先通过一种简单的溶液法获得CsPbBr_3,并采用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射图谱(XRD)对其形貌和结构进行了表征.将其作为光敏材料,对其进行光探测性能测试发现,CsPbBr_3具有较好的光响应性以及较大的光电流,其响应上升时间和响应下降时间分别是1.325s和0.754s,光电流在5V偏压,0.9mW的光强下是14.11μA/cm~2.除此之外,可以发现I-V曲线是线性的,而且无论是在有光还是无光的情况下,电流都是随着偏压增大而增大,有光时的电流大于无光时的电流.因为光照时,CsPbBr_3材料的内部会产生大量的光生电子空穴对,从而会增加材料中的自由电子的数目,最终导致光电流变大.光照变强时,其电流大于弱的光照强度,这是因为光照强度变强时,照射到材料表面上和接收的光能量就会变得更加的多,从而导致了电流的增加.这项工作表明,所制备出的CsPbBr_3光探测器具有良好的光电特性,并为将来开发其他含有CsPbBr_3材料的实际应用提供了一种思路和更加积极的证明.     

晶体管负反馈放大器经典分析方法中计算公式的统一化

一、概述 晶体管负反馈放大器的经典分析方法,主要是应用反馈的基本概念来进行的。这一方法,把输入,输出之间信号传输过程的定量关系,概括为开环源增益AS和反馈系数F两个传输系数,并引用反馈深度D这一参数,把负反馈对放大器各项指标的影响统一起来,定量地表达放大器性能指标的优劣,加深了反馈的物理概念。     

“天命”孔子思想核心新证

孔子思想核心问题,是孔子学术研究中非常关注的问题,理论界对此说法不下十种,其中以“礼”说、“仁”说影响最大,但各家的论证均不十分充分,对此,笔者想在肯定“仁”说、“礼”说合理因素的基础上,谈点新看法,即“天命”是孔子思想核心。     

晶体管集电结电容对放大电路的影响

晶体管集电结电容C_b′c在放大电路中引入一内部反馈,阻容耦合放大时,这个内部反馈是一个电压并联负反馈,反馈系数小,可忽略不计。当放大器的负载为电感性时,通过C_b′c的反馈为电压并联正反馈,从而产生自激振荡。本文通过计算和实验两个方面加以证明。     

负反馈放大电路的理论计算与仿真

文章利用MATLAB软件编程,对设计的由运算放大器构建的电流串联负反馈放大电路采用方框图分析法进行理论计算．结果表明：闭环增益与开环增益满足基本关系式;引入负反馈后稳定性得以提高,输出电阻增大;同时使用EWB对开环与闭环增益也进行了仿真分析,结果与理论计算一致,从而定量地验证了负反馈放大电路中的结论与关系．     

程控放大滤波器的设计

提出采用数字电位器调节反馈电阻的方法,可以方便实现数十种,甚至数百种不同的放大倍数的程控放大器;采用数字电位器调节电阻配合继电器切换不同的电容,可以使巴特沃思滤波器的截止频率可受程序控制,截止频率种类多达数百种,且电路简单.     

低温下KTaO3陶瓷的介电非线性

用均衡热压法制备的性能优良的KTaO₃陶瓷,通过测量低温下介电常数与偏置电场的关系,研究它们的介电非线性.结果表明,在温度60K以下,介电常数与偏置电场强度有关;温度愈低,介电非线性愈强烈;这与KTaO₃陶瓷在低温下表现出具有量子顺电性质特征相应.根据Devonshire模型,用最小二乘法使实验数据与之相吻合,估算出KTaO₃陶瓷的介电非线性系数值,并与单晶的数据进行比较.结果表明,KTaO₃陶瓷与其单晶一样,也是有希望在超高频低温电子学中实现非线性相互作用的材料.     

提高ADC动态范围的研究

在一定的转换精度要求下,对大动态模拟信号进行转换,要求A/D的分辨率要高,这在实际应用中是不经济的。本文就这一问题提出了相应的解决方法,引入了对数放大器,根据其输入与输出之间的对数关系,将对数放大器和A/D转换器组合,可在不增加A/D位数的情况下处理大动态输入信号,有效地提高了ADC的动态范围。     

高精度低频线性光纤隔离放大器的设计

作者将V/F转换原理与光纤应用技术相结合设计了低频线性光纤隔离放大器。这种放大器具有较高的精度,由于应用光纤做隔离单元,因此具有极强的隔离高压的能力。     

重构反馈放大器理论的基本假设与理想模型

指出了现行高校电子技术基础教材中作为反馈放大器理论“3项基本假设”所存在的不足,以概括反馈放大器的共性为出发点,提出了“4项基本假设”和理想模型,从而使反馈放大器的理论基础发生了根本性变化,理想的和实际的反馈放大器得到了辩证统一.     

能实现任意系数求和的运算电路

求和运算电路输入端电阻平衡和实现所要求的运算关系,往往不能同时满足要求,本文给出的电路可以做到这一点.