SL(2,R)上的覆盖引理及其应用

本文给出了SL(2，R)上的一种覆盖引理，并用该覆盖引理来证明SL(2，R)上的极大 函数的弱(1，1)型和强(p,p)型性质。     

欧氏环上辛群在线性群中的扩群

论文定出了欧氏环上辛群在线性群中的全部扩群 ,得到如下结果 :设R是欧氏环 ,N =Sp(2m ,R) ,G=GL(2m ,R) ,N≤X≤G .则存在R的一个理想S ,使X NS=g∈SL(2m ,R)fS(g)∈Sp(2m ,R/S) ,其中fS:SL(m ,R) →SL(m ,R/S)是自然同态     

Cc(SL(2,R))上 Fourier变换的渐近性质

文章得到了SL(2,R)上具有紧支集的连续函数的Fourier变换在无穷远处下降的性质,并由此得到了Cck(SL(2,R))上Fourier变换更好的渐近阶.     

SL(2,R)上的双不变函数的Winer型定理

本文给出了SL(2,R)上的双不变函数的Winer定理.     

SL(2,R)上的Hardy-Littlewood极大函数的强(p,p)型估计

本文利用经典实分析的方法给出了SL(2,R)上的Hardy-Littlewood极大函数的强(P,p)型的估计,p＞2.     

H3( -c2)中的CMC-c曲面

讨论了对称空间SL(n,C)/SU(n)中的曲面.首先,讨论了H3(-c2)中的CMC-c曲面(常中曲率为c的曲面)与R3中的极小曲面的关系,利用初等方法证明了H3(-c2)中的一个CMC-c曲面族,当c趋于零时,收敛到R3中的一个极小曲面的结论;其次,把经典的Ricci定理推广到对称空间SL(n,C)/Su(n)上.证明了单连通黎曼曲面(M2,ds2)可以共形等距地浸入到SL(n,C)/SU(n)上,且有全纯右Gauss映射的充分必要条件是ds2的截面曲率K<0及Ricci条件——-K·ds2的截面曲率为 1.     

SL(2,R)上的一求和定理

本文给出了SL(2,R)上的(h,l)球函数的一求和定理,k,l∈1/2Z,k@l≤o.     

SL（2，R）上球函数的求和定理

基于经典的Fourier级数求和法，利用逼近恒同核与函数做卷积和球函数的Fourier展开公式给出了SL(2，R)上球函数的—般求和定理。     

关于交换环上二阶特殊线性群的一个结果

本文引入了广义稳定环的概念．并且证明SL(R)=E2(R)的充分必要条件是R为广义稳定环。     

SL(2,R)上的Hardy-Littlewood极大函数的性质

本文给出了SL(2,R)上的Hardy-Littlewood极大函数mf的定义,利用Ergodic定理证明了Hardy-Littlewood极大函数的强(p,p)型性质,p>1.     

SL(2,R)上离散项消失的反演公式

利用(m,n)-球函数的反演公式和逼近论的方法,给出了SL(2,R)上函数的反演公式中离散项消失的一个充分条件,并给出满足该条件的一类函数.     

Lie群SL（2,R）上类函数的一些性质

本文主要讨论半单Ｌｉｅ群ＳＬ（２，Ｒ）上类函数的一些性质。     

北天山流域河长坡降指标与Hack剖面的新构造意义

在构造运动活跃地区的流域范围内, 构造运动及地貌特征能有效地反映在河流纵剖面、河流坡度等因素上。针对北天山地区 10 条河流, 提取河流 Hack 剖面、河长坡降指标( SL) 以及标准化坡降指标( SL/K) 等地形指标, 进行量化分析。研究表明北天山地区河流受到持续且快速的构造抬升运动影响, Hack 剖面呈上凸形态, 并且与河长坡降指标峰值、河流纵剖面变化具有很强的关联性。北天山地区河流标准化坡降指标( SL/K) 以依连哈比尔尕断裂带和准噶尔南缘断裂带为界限呈带状(Ⅰ, Ⅱ, Ⅲ区) 的分布, 在构造运动影响下, 流经两大断裂带的河长坡降指标明显升高, 揭示了在河流剖面坡度变化较大且河长坡降指标大的地区多为构造运动活跃的区域。同时, 在小流 域尺度内, 岩性改变与支流汇入也容易使局部地区出现河长坡降指标的峰值。     

Improved performance of GaN-based light-emitting diodes by using short-period superlattice structures

An InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diode (LED) with a ten-period i (undoped) -InGaN/p (Mg doped) -GaN (2.5 nm/5.0 nm) superlattice (SL) structure, was fabricated. This SL structure that can be regarded as a confinemen t layer of holes to enhance the hole injection efficiency is inse rted between MQW and p-GaN layers. The studied LED device exhibits better current spreading performance and an improved quality, compared with a conventional one without SL structure. Due to the reduced contact resistance as well as more uniformity of carrier s injection, the operation voltage at 20 mA is decreased from 3.32 to 3.14 V. A remarkably reduced reverse-biased leakage current (10^-7?10^-9 A) and higher endurance of the reverse current pulse are found. The measured output power and external quantum efficiency (EQE) of the studied LED are 13.6 mW and 24.8%, respectively. In addition, significant enhancement of 25.4% in output power as well as increment of 5% in EQE for the studied devices is observed, as the studied devices show s uperior current spreading ability and reduction in dislocations offered by the SL structure.     

光固化快速成型过程中零件变形的数值模拟

在对光固化快速成型过程中零件层间相互作用的力学行为进行分析后,提出了以固态降温收缩来模拟液－固收缩伯思想,据此建立的逐层累加的等效力学模型用作有限元分析,可借助ANSYS软件进行加工零件的应力、变形分析和预测,试验结果表明：以该力学模型计算出的结果与试验结果一致,可以很好地模拟光固化快速成型零件的翘曲变形,并由此改进零件的制作方案,如生长方向的选定,支撑的添加等。