ABS塑料Cu／Ni双镀层的电磁屏蔽性能

对在ＡＢＳ塑料上电镀Ｃｕ／Ｎｉ双镀层的方法及镀层的结构与性能进行了研究。重点研讨了塑料的镀前预处理及电镀铜工艺。同时对镀层的电磁屏蔽性能做了较为细致的研究。结果表明，用ＡＢＳ电镀Ｃｕ／Ｎｉ材料做电子仪器的外壳，具有良好的电磁屏蔽性能。     

塑料电镀的关键技术及前景

塑料电镀是现代加工工艺中典型的新材料和新工艺结合的技术,与金属制件相比,塑料电镀制品不仅可以实现很好的金属质感,而且能减轻制品重量,在有效改善塑料外观及装饰性的同时,也改善了其在电、热及耐蚀等方面的性能,提高了其表面机械强度。     

塑料的金属化工艺

对塑料电镀前处理传统工艺进行了改进 ,把塑料表面的“敏化、活化”合为一步进行。与传统工艺比较 ,新工艺具有工艺简单、生产效率高、处理成本低、镀层结合强度符合GB/T12 6 0 90质量要求、无污染等优点 ,是一种具有实用价值的工艺     

试述塑料制品电镀加工工艺

塑料制品电镀工艺是现代加工工艺中比较受欢迎的新材料和新工艺,它与金属制件相比,塑料电镀制品不仅可以实现很好的金属质感,而且还能减轻制品重量。文章结合笔者工作,分析了塑料制品电镀工艺分类,影响塑料制品电镀质量的因素,塑料制品电镀产品的要求,并结合案例阐述了塑料制品电镀工艺,最后分析了未来发展情况。     

电镀企业水污染控制与环境管理浅析

电镀企业的水污染比较严重，本文主要侧重对电镀企业污染源的控制及治理工艺的选择进行探讨，提出了针对电镀污水处理中产生污泥的处理方法。     

板面电镀均匀性改善研究

本文概述了影响电镀均匀性的影响因素并结合实际对电镀均匀性进行分析改善，通过施加阳极挡板使电镀铜均匀性得到了改善。     

新型酸性镀镍光亮剂BSP镀液性能研究

本文用新型酸性镀镍光亮剂ＢＳＰ镀液进行了电镀光亮镍，光亮镍铁合金工艺条件的研究。对电镀溶液的性能和电镀镀层的各项质量指标进行了测试。都获得了满意的结果。     

分形在电镀中的应用

利用分形几何建立了电镀中电沉积的数学模型，对电镀过程进行了定量分析，实现了对电沉积过程的有效控制，为科学计算及控制提供了依据。     

一种可取代银的赛银灵活化剂诞生

江苏省海门县三和化工厂研制的赛银灵活化剂,经有关单位测验和试用证实该活化剂可代替硝酸银应用于塑料电镀工业中。该产品的诞生,不仅可为国家节约大量的银子,而且性能优于硝酸银。同样配制的电镀     

电镀废水综合治理新工艺研究

介绍了电镀废水的来源和危害。对现行的电镀废水治理的各种工艺和方法进行了阐述和分析，并且讨论了它们各自的作用方式、特点和适用范围。同时，提出了采用“蒸发浓缩－净化－回收利用”处理电镀含铬含氰废水的初步思路。     

电镀工艺污染及其治理

电镀与喷漆是机电行业污染较严重的工艺。特别是电镀前预处理、有氰电镀、六价铬电镀,要产生大量有毒、有害的电镀废水。分析了电镀废水产生的工艺过程,介绍了电镀废水治理技术,可为建设项目环境影响评价提供参考。     

电镀企业的集中管理及其废水处理的对策

介绍了现有电镀企业的基本状况与电镀废水处理法,在此基础上,通过实例分析了化学法集中处理电镀废水的实施效果和经济技术,认为电镀企业的废水相对集中处理有利于环境管理和污染治理,化学法仍是处理电镀废水比较有效的方法。     

青岛地区典型电镀污泥理化性质的比较

针对青岛地区电镀污泥理化性质不明确的特性,以青岛地区四个典型工业园区产生的电镀污泥为研究对象,系统地比较各电镀污泥含水率、有机质含量、p H、元素组成、晶体组成、重金属全量、重金属浸出毒性、粒径分布等基本性质。结果表明四种电镀污泥中的重金属含量均较高,具备资源化利用的先决条件,并为今后电镀污泥资源化利用提供数据支持。     

电镀污泥的形成及处置

介绍了电镀污泥形成的过程及其危害，根据目前的技术手段提出了一些电镀污泥处理方法。     

镍基纳米复合电镀的研究进展

纳米复合电镀是制备复合材料的一种新的方法,大大提高了材料的表面性能如耐磨性、耐蚀性和抗高温氧化性等,与其它金属基纳米复合镀层相比,镍基纳米复合镀层表现出了更加优异的性能,受到广大研究者的关注.本文介绍了国内外关于镍基纳米复合电镀的研究进展,包括复合电镀工艺和不溶性固体微粒的种类等方面,评述了不同功能性镍基纳米复合镀层和主要应用范围,并展望了镍基纳米复合电镀的发展趋势.     

双层镍电镀液性能测试

<正> 一、前言刷镀双层镍以防止自来水闸门腐蚀的研究已取得了很大进展,业已得到一种以瓦特槽液为基础,而含有DN-1添加剂的半光亮镀镍液和同时含有第一类镍光亮剂和第二类镍光亮剂的光亮镀镍液,其配方如下:     

钛、钽及铬熔融盐电镀的研究进展

综述了钛、钽及铬熔融盐电镀研究的动态。回顾了钛、钽及铬熔融盐电镀发展的历程、取得的成果以及今后发展的趋势,并希望国内的研究加快步伐,推进钛、钽及铬熔融盐电镀工艺在生产中的应用,也提出了有关熔融盐电镀存在的很多有待解决的问题。     

利用电镀铜填充微米盲孔与通孔之应用

电子产品之高密度内连结制程技术,从上游的半导体制程到中游的封装基板制程,一直到下游的电路板制程,似乎都需要依赖电镀铜填孔技术.近几年来,电镀铜填孔技术日趋受到重视,相关专秘的电镀配方、技术、设备以及周边配套的仪器设施等,如雨后春笋般地发展起来.以往常用但未能深入了解的电镀铜技术有了跃进式的突破,值得探讨.这些技术的发展,似乎有着轮回应用的走势,即下游电路板的电镀铜制程技术似乎渐渐朝半导体制程技术发展,因此衍生出电镀铜填充盲孔的制程技术;而上游的半导体制程工艺中以往没有所谓的镀通孔(PTH),如今却因为3D芯片整合的需要,出现了所谓的穿硅孔(TSV),而所谓的TSV,其实与镀通孔具有类似的制程步骤以及相同的功能与目的,只是介电材料、设备等不同而已.针对目前电镀铜填充微米级盲孔与通孔的相关技术作概略式的介绍与回顾.