电容传感器寄生电容干扰的产生原因及消除方法

分析了电容传感器寄生电容存在的主要原因,以及消除寄生电容干扰的几种方法：主要采用驱动电缆技术、运算放大器驱动技术、整体屏蔽技术、集成组合技术来减小寄生电容,以提高传感器的性能。     

神经元MOS的特性分析

在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上，使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟，给出了器件的转移特性曲线，得到了器件的“可变阚值”特性，并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。结果表明，该器件可使电路结构大为简化，器件数目大大减少。最后通过对器件运算精度的分析，得出其运算精度主要受MOS晶体管寄生电容等因素的影响。     

温差电器件的传热分析

温差电器件是热电转换系统的核心部件。为了提高热电转换系统的效率并优化其输出功率和电压,详细分析了温差电器件的热阻网络,根据热电效应、热力学与电学理论建立了温差电器件的传热模型。利用此模型可以分析温差电器件的结构对其输出功率、电压及效率的影响,并着重分析了热电偶的长度和截面积对温差电器件性能的影响。通过数值分析表明,其功率随着热电偶的长度的减小和截面积的增大而明显增大,而最大热电转换效率逐渐缓慢减小。这可以为温差电器件或各种热电转换系统的优化设计提供参考与指导。     

一种功率器件结终端新技术

简单地介绍了结终端技术与功率器件的击穿电压的关系及影响器件击穿电压的因素和功率器件的设计中经常使用的各种结终端技术.提出了带有抗反型层的全场板终端结构,阐述了它的基本原理,并利用Medici软件对其击穿特性进行了模拟.给出了模拟结果.     

硅栅N沟道MOS场效应晶体管的研制

引言 采用硅栅N沟道工艺,制造千位以上的快速大容量的MOS在贮器,被认为是一个比较好的方案。因为硅棚N沟MOS器件兼有其它工艺诸如:铝栅P沟道、硅栅P沟道、铝栅N沟道等工艺的优点。这是因为: 第一,N沟道电子迁移率比空穴大三倍多,因而同样几何的N沟道器件的跨导比P沟道大得多,另外硅栅自对准工艺,能减小寄生电容,因而硅栅N沟道器件有较快的速度。     

大规模集成电路多层布线结构对信号延时的影响

通过集成电路各器件间的布线传递信号的过程，是将信号电荷向布线间形成的寄生电容充放电的过程。本文研究了集成电路多层连线的寄生电容模型、互连线RC树模型的延时估算等电路模拟技术，同时提出了今后该领域的研究方向。     

一种MEMS热电制冷器的设计

研究一种基于MEMS工艺的微型热电制冷器.采用薄膜热电材料减小器件的尺寸,采用微机械加工工艺形成的硅杯结构降低衬底的热泄漏.器件在材料和工艺上都与微电子工艺兼容,易于与电子器件集成.分别讨论了热电臂长度、厚度及绝缘膜厚度等结构参数对器件最大制冷温差、制冷系数、制冷功率等性能的影响,得出最优的设计参数.分析中考虑了绝缘层热泄漏,制冷区的热对流和热辐射,以及接触电阻等非理想因素.分析结果表明,器件工作时达到的最大温差为40 K;冷端温度为290 K时,制冷功率为3 mW.     

IGBT功率模块热管理研究

随着绝缘栅双极晶体管(IGBT)向高功率和高集成度方向发展,在结构和性能上有很大的改进,热产生问题日益突出,对散热的要求越来越高,IGBT芯片是产生热量的核心功能器件,但热量的积累会严重影响器件的工作性能。因此,对IGBT模块的温度进行有效地检测和管理是十分重要的环节。综述了IGBT模块的研究现状、研究热点以及散热相关技术,主要介绍了主动散热和被动散热的方法、以及IGBT功率模块的热阻网络系统和散热系统设计的主要步骤,和减小热阻来增强散热的方法。     

基于功耗约束的电容交叉耦合低噪声放大器

本文在TSMC0.18μm CMOS工艺下,采用差分电路结构,通过功耗约束的噪声优化方法设计了一个2GHz下的CMOS无线射频接收模块低噪声放大器。本文使用限定功耗的噪声优化方法设计放大器的器件参数,并且在电感负反馈cascode LNA的基础上引入一对交叉耦合的电容,消除了寄生电容的影响。通过EAD工具ADS2009软件对电路进行仿真,仿真结果表明本文所设计的低噪声放大器在1.8V供电下的主要参数为23.23dB的增益、0.778dB的噪声指数及11.5mw的功率消耗。     

“射频激励扩散型冷却大功率CO_2激光器”通过部级鉴定

鉴定会于1996年12月20日召开,成果的关键技术有: ①创新性地提出并实现了体增比(Volume scaling)的板条波导阵列结构气体激光器件,进一步减小了激光器件体积,为国际首创。 ②提出并实现了基于传输线射频功率均匀吸收的周期变化电感分布匹配技术,成功地解     

2.9～10.6 GHz CMOS两级分布式放大器

研究应用于超宽带无线通信系统中的宽带分布式放大器设计方法. 采用电感替代传输线对晶体管寄生电容进行补偿的方法实现带宽拓展. 分布式放大器既能扩大其带宽,又能保持较低的噪声系数. 该设计采用TSMC公司的RF 0.18 μm CMOS工艺,电源电压为1.8 V,功耗为104 mW. 仿真结果表明提出的分布式放大器在2.9~10.6 GHz的频带内S₂₁保持(18.7±0.9)dB的平坦增益,噪声系数最小值N_F=1.80 dB.      

基于可编程控制器的静态滤波系统改造

谐波污染对于供电系统是一个很大的危害,特别在煤矿,冶炼厂中滤波系统更是具有举足轻重的地位。本文描述可编程控制器对原用的静态滤波系统进行改造。可编程控制器(PLC)作为一种可编程、无触点智能控制系统可根据系统中的谐波分量、功率因数等参数控制晶闸管导通,投入或退出电容与电抗器,动态消除电网中谐波分量,用低成本实现高性能补偿系统。     

滤波器寄生参数消除技术的应用

现代煤矿中的高次谐波和电磁脉冲,会干扰监控系统对瓦斯信号的检测.电磁干扰滤波器能有效地抑制干扰,但无源元件的高频寄生参数严重影响了其抑制干扰的能力,需予以消除.分析电缆对瓦斯信号的干扰、寄生参数变化对滤波器性能的影响以及滤波器寄生参数的抑制措施;通过对电磁耦合的分析、电路的仿真与计算,验证滤波器对干扰的实际抑制效果.实现矿井滤波设备的集成、成本的降低,有效减小电磁干扰对瓦斯信号的影响.避免因干扰产生的高值断电、信号误动作、通讯中断等造成的矿井安全隐患.     

用模糊优化方法进行配电网重构

网络重构是配电系统运行和控制的重要手段,它通过改变线路开关的状态来变换网络结构.为实现配电网安全、稳定运行, 采用模糊优化的方法实现网络重构.在供需平衡的前提下,满足容量和电压等约束,实现了减少网络的运行损耗.且通过一个32节点网络系统算例验证了可行性.     

具有双n+发射区的MCT

提出一种新型的MOS控制晶闸管结构DNMCT器件。该器件同MCT相比减弱了寄生JFET效应，并利用PISCES-IIB器件模拟软件验证DNMCT具有较好的正向导通电流-电压特性。该结构在一定程度上可缓解器件开关速度与导通压降之间的矛盾。     

瞬态高冲击加速度对冲击波压力测量影响研究

通过冲击试验得到了纵向安装压力传感器的冲击响应规律,在激波管中同时加载冲击波压力与瞬态高冲击研究了压力传感器在冲击作用下冲击寄生响应峰值与冲击加速度的关系以及冲击寄生响应脉宽与结构固有频率的关系,最后在实际爆炸场中进行了验证试验。结果表明,压力传感器的加速度灵敏度近似为定值,且不同传感器加速度灵敏度相差很大;瞬态高冲击作用下压力传感器冲击寄生响应峰值与传感器的加速度灵敏度有关,脉宽与测点的固有频率有关;应合理选择压力传感器降低冲击寄生输出,控制测点结构固有频率使加速度峰值远离压力峰值。     

股权结构与科技型中小企业创新基于创业板上市公司的实证研究

科技型中小企业的创新关乎中国创新驱动发展战略能否成功.股权结构会影响企业创新行为,股权集中可以使大股东有足够的实力与动力监督管理层,却又可能导致大股东掏空等私利行为;股权制衡可以防止大股东权力滥用,却又带来更多的决策成本,降低大股东工作积极性.基于此,研究选取2011～2018年709个创业板上市企业为样本,实证研究发现,股权集中度与创业板企业的创新绩效正相关,股权制衡度与之负相关,进一步分析发现在成立时间较短的企业、第1大股东绝对控股的企业中尤为如此.研究丰富了股权结构及企业创新影响因素研究,而且对现实中科技型中小企业的公司治理提供新思路.     

我国猪主要寄生虫的种类、危害及防治研究进展

猪寄生虫病不仅是影响猪健康生长的主要因素,也是影响养猪场经济效益的主要因素.只有掌握猪感染不同寄生虫病的症状,才能做到早发现早治疗.做好寄生虫病的防治和检测工作,才能促进猪的健康成长,提高养猪场的经济效益.本文对我国猪主要寄生虫的种类、危害及防治加以概述,为猪寄生虫病的相关研究提供理论依据.     

基于DSP处理器的片上ROM功耗优化实现

数字信号处理器(Digital Signal Processing,DSP)芯片用于手持式设备,功耗是其核心参数; DSP因ROM具有高的可靠性而使用其对固化的bootloader,科学函数库,功能函数库以及主应用程序进行存储,其功耗的大小对整个芯片产生了较大的影响;针对芯片中ROM被频繁访问产生较大功耗的问题,提出了对ROM存储空间进行结构优化和对其存储空间进行地址重组优化及对读数据时序结构进行优化的低功耗优化方法,达到了在不影响DSP性能的前提下降低功耗的目的; DSP已经流片并改版,最终减小DSP整体功耗约11.3%。