L－B单分子膜制备的MIS结构和电容电压特性

利用Ｌ－Ｂ单分子功能膜的绝缘性制作ＭＩＳ器件．通过对它的结构和电容－电压（Ｃ－Ｕ）特性曲线的研究，发现Ｌ－Ｂ膜可以改善ＭＯＳ器件的性能和消除ＭＯＳ器件的“异常”Ｃ－Ｕ特性现象，利用Ｃ－Ｕ特性曲线可以检测Ｌ－Ｂ膜成膜质量，利用零偏压时的电容值可以计算各成膜材料的介电常数．     

利用金属／绝缘本／半导体（MIS）结构研究IPN的介电常数

采用自制的制膜工具有n-型硅片上制备了互穿聚合物网络（IPN）绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆项电极形成了Al/IPN/n-Si(MIS)结构。在室温条件下测定了电容－电压（C－V）特性。根据测定的C－V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。     

聚吡略/L-半胱胺酸/二硫醇混合自组装膜修饰电极制备的电化学研究

在不同比较L－半胺胺酸／二硫混合溶液中制备了混合自组装膜修饰电极。经过L－半胱胺酸的还原脱附后，利用循环伏安技术研究了吡咯在L－半胱胺酸／二硫醇自组装膜修饰电极表面聚合的过程和影响聚合的几个因素。实验结果表明，下面的几个因素影响着吡咯在自组装膜上的聚合：L－半胱胺酸在混合膜中的比例、支持电解质pH的大小以及聚合单体分子的大小。     

基于三层C/S、B/S集成的物流信息系统体系结构的研究

分析了两层客户端／服务器、三层C／S和三层浏览器／服务器3种传统的物流信息系统体系结构，在此基础上提出了一种基于三层C／S、B／S集成的LIS体系结构模型，并对该结构模型及其特点进行了分析和总结．该结构克服了两层C／S、三层C／S和三层B／S体系结构的不足，以便更好地发挥C／S和B／S体系结构的特性和优势．图4，参7．     

SnO_2·ZnO纳米微粒／硬脂酸交替L－B膜的制备及结构

采用胶体化学方法制备了ＳｎＯ_２．ＺｎＯ微粒的水溶胶和有机溶胶，实验结果表明，ＳｎＯ_２·ＺｎＯ胶体存在着明显的量子尺寸效应。应用Ｌ－Ｂ膜技术制备了ＳｎＯ_２·Ｚｎｏ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜，用原子力显微镜观察了ＳｎＯ_２·ＺｎＯ纳米微粒／硬脂酸交替Ｌ－Ｂ膜的形貌。通过加热除去硬脂酸后的ＳｎＯ_２·ＺｎＯ膜有好的气敏性及对酒精的选择性。     

离子交换与膜超滤耦合提取L-赖氨酸

采用离子交换与膜超滤耦合法,研究了用中空纤维膜提取Ｌ－赖氨酸的动力学行为。该动力学符合浓差极化－凝胶层模型,吸附浓缩过程中操作压力影响大,料液流速影响小;而在脱附浓缩过程中这种影响正好相反。建议当流速在０．１４￣０．２１ｍ／ｈ时,操作压力维持在２２．５￣２５．０ｋＰａ。     

渗透汽化法复合膜分离乙醇/水的研究

以脱乙酰化度为77．5％的壳聚糖为原料，分别将CS膜，CSA／PAN膜，CS－PVA／PAN膜用于乙醇／水混合物的分离，研究了原料组成，温度，膜厚等的影响，结果表明，这些膜均具有良好的分离性能，其中CS－PVA／PAN膜具有最优的渗透选择性。     

苦味酸锰、钴、镍、铜、锌、镉与4′—硝基苯并—15—冠—5配合物的合成与表征

在乙腈－乙醇－水（2：2：1，V／V／V）的混合溶剂中制备了六种金属（锰、钴、镍、铜、锌、镉）苦味酸盐与4′-硝基苯并－15－冠－5的固态配合物，其组成为M（pic)2.2L.XH2O(M=Mn,Cu,x=2;M=Co,Ni,Zn,Cd,x=4;pic=苦味酸根；L＝4′-NO2B15C5），并通过元素分析、红外光谱、紫外光谱和摩尔电导对该系列配合物进行了表征。     

M-PS-S结构的V-I特性及其优化

选用n-，p-和p+三种半导体硅材料作为衬底，通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜；在PS／S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线，形成了M－PS－S二极管结构；在外加直流偏置电压下分别测量它们的V－I特性，得出了不同的V－I特性曲线；V-I特性都具有整流效应．根据对所得特性的理论分析．论述了材料、工艺和结构等因素对M－PS－S特性的影响．并提出了优化设计的方法，以改善M－PS－S结构的特性，实现其在发光、敏感等方面的应用。     

高灵敏度的具有Ni过渡层的Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应

研究了具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治膜的巨磁电阻效应，发现Ｎｉ过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜的磁电阻值在３．５％和５．６％之间，相应的矫顽力在０．９５ｋＡ／ｍ附近。因此，材料的灵敏度最大可以达到３９％ｋＡ．ｍ＾－１。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ｎｉ过渡层提高了材料的平整度，从而导致大的巨磁电阻值。而电阻     

Characterization of ultrathin SiO 2/Si interface grown by low temperature plasma oxidation

Ultrathin SiO 2 layers on Si (100) wafers were prepared by plasma oxidation at a low temperature (250℃). The analyses of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and TEM reveal that the chemical composition of the oxide layer is stoichiometric SiO 2 and the SiO 2/Si interface is abrupt. The thickness of the ultrathin oxide layer obtained from XPS, capacitance-voltage (C-V) and ellipsometry measurements indicate a nonlinear time dependence. The high frequency C-V characterization of MOS structure shows that the fixed charge density in SiO 2 film is about 10 11 cm -2 . It is also shown that the strength of breakdown electrical field of SiO 2 film with 6 nm thickness is of the order of 10 6 Vcm -1 . These properties of the ultrathin SiO 2 layer ensure its application in silicon quantum devices.     

橡胶基软磁复合薄膜压磁性能机理模型的适应性研究

利用模压成型法制备了丁基橡胶压磁复合薄膜,并研究了粉体粒径和薄膜厚度对其压磁性能的影响规律。结果表明：复合薄膜的阻抗随着粉体粒径和薄膜厚度的减小而增大;阻抗变化幅度随着粉体粒径的减小呈现出先增大后减小的趋势,随着薄膜厚度的减小而减小。用复合薄膜的压磁性能的等效电路模型对实验结果进行了理论分析,所得结论与实验结果相符合。     

PECVD法制备SiOxNy膜中组份对电学特性的影响

研究了等离子体增强化学气相淀积法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配双与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。同时，对研制成的薄膜的ＭＩＳ结构进行了电学测试，探讨了膜层中氮、氧含量变化对薄膜电学特性的影响。     

一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好．由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线,对C-V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响,而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关。     

Determination of hydration film thickness using atomic force microscopy

Surface forces between particles control phenomenasuch as dispersion, agglomeration, coatings, adhesion,wetting, friction, and polishing, which play a crucial rolein materials processing. The importance of surface forcesis more appreciated especially in colloidal processing,while materials in a colloidal state are frequently preferredin industrial processing operations (e.g., printing inks,toners, paints, skin creams, blood substitutes, gels used asdrug-delivery systems, etc.) because their lar…     

La0.7Sr0.3MnO3外延膜厚度引起的电阻率变化

不同厚度的La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)外延薄膜被沉积到立方相的LaA lO3(001)单晶衬底上,XRD测试结果显示,LSMO外延膜的结构是单相的,具有与衬底相同的晶格取向;随着膜厚的增加,LSMO外延膜的晶格经历应变到驰豫的变化.电阻测量显示,应变驰豫的薄膜(较厚的薄膜)有较大的电阻率,这与该膜中缺陷浓度增加有关.此外,也对生长在不同单晶衬底上的LSMO外延膜(厚度相同)的结构和电阻进行了对比研究.     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

用于VLSI的新型介质膜界面陷阱的特征

采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ准静态Ｃ－Ｖ特性测试,研究了新型快速热氮化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征,侧重于研究界面陷阱的特性与分布。结果表明：这种ＳｉＯｘＮｙ薄膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的分布变化呈现”回转效应“,且存在着不同类型、密度悬殊很大的电子陷阱、指出雪崩热电子注入过程中在Ｓｉ／ＳｉＯｘＮｙ界面上产生两种性质不同的快界面态陷阱;给出了这两种界面态陷阱密度在禁带中能量的分布     

一种测量纳米薄膜厚度的新方法

提出了一种量测纳米薄膜厚度的方法,即根据纳米薄膜与其基底间存在的力学性质上的差异,选用合适的刻划工具,通过对薄膜直接进行刻划,产生划透薄膜且不影响基底的划痕,再运用原子力显微镜扫描,得到划痕区域的微观形貌,由此计算出纳米薄膜的厚度.用该方法对TiO2纳米薄膜进行测量,得到薄膜的平均厚度为71.6 nm,与相关文献报道的用其它方法测得的薄膜厚度值较吻合.作为测量纳米薄膜厚度的又一方法,此法具有适用范围广,厚度图像直观,操作和计算均较为简单,精度较高的特点.