真空电弧沉积簿膜厚度分布计算

该文从离子电流密度空间分布函数的角度出发，针对自由电弧沉积和磁场控制电弧沉积两种情况，分别提出了单斑点和多斑点计算模型，进行了平面基片上真空电弧沉积的金属薄膜厚度分布的计算。计算结果表明，自由电弧沉积的膜厚分布曲线存在峰值现象，而磁控电弧沉积的膜厚分布曲线可使该峰值现象得到消除；同时，磁控电弧沉积的膜厚分布均匀性与阴极半径和基片配置距离密切相关，当两者比值选取适当时，可获得较均匀的膜厚分布；旋转基片上所获得的膜厚分布均匀性较之静止基片上获得的膜厚分布均匀性要好。理论计算值与实验测量值吻合。     

金刚石厚膜的制备方法及应用展望

热丝化学气相沉积是制备金刚石厚膜的传统方法,但是所得到的金刚石厚膜成品率低,限制了其作为刀具和散热片的应用。本文针对此方法进行设备改造,采用复合技术-射频等离子体辅助热丝化学气相沉积(RF-HFCVD)提高金刚石厚膜的沉积速率和质量。同时,对金刚石厚膜的应用及展望进行了简要综述。     

厚膜电阻浆料专利技术分析

本文对厚膜电阻浆料领域的专利状况和重点申请人进行了梳理,对厚膜电阻浆料的研究趋势进行了深入探讨。     

基于MEMS的压电厚膜谐振梁能量收集器的研究

在谐振梁能量收集器中PZT膜材料的制备起着至关重要的作用,复合结构的锆钛酸铅(PZT)厚膜采用溶胶-凝胶方法旋涂在硅基的Au/Cr/SiO2/Si结构衬底的制备方法,主要因为溶胶-凝胶制备方法简单,成本低适合于集成制作.改进PZT组分和和0-3混合法及复合结构的Au/Cr/SiO2/Si衬底,使制备的PZT厚膜避免了厚...     

转光农膜的荧光光谱表征及其校正方法

研究了转光农膜的荧光光谱分析方法.讨论了转光膜荧光强度与膜厚度的关系及光谱校正问题.实验表明:转光膜的荧光测试以膜厚大于560μm为宜,转光膜的蓝区发射光谱存在氙灯特征峰的干扰,采用对照膜可以进行校正.     

球形真空镀汞膜电极基体对电极性能的影响

本文在研制真空镀汞膜电极中,用金锑钨钼银镍作为镀汞膜电极垂体.着重研究了这些不同金属基体所制出电极的性能,用25次微分溶出新极谱法对电极使用寿命,膜条件选择性、重视性及酸碱适合范围作了全面分析和比较.     

热氮化SiO2膜的抗辐射特性

离子注入、电子束和离子束曝光以及电子束蒸发等技术已用于超大规模集成电路生产中.但是,这些新工艺引入了高能粒子辐射,给MOS集成电路的概介质带来了新的缺陷.因此,寻找抗辐射的栅介质是令人感兴趣的课题.近来,Ito等人提出,将SiO_2膜在无水氨气中加热处理一定时间,能直接转变为氮氧化硅,称为热氨化二氧化硅.它与热生长的SiO_2膜相比,具有较高的击穿电场强度和介电常数,较好的抗氧化能力和抗沾污性能.但是,对热氮化SiO_2膜的抗辐射特性的研究报道不多.仅Naiman等人作了一些研究.在他们的实验中,把10nm厚的热氮化SiO_2膜与50nm厚的SiO_2膜作了比较,这不能说明前者的抗辐射特性比后者的好.     

CrN/SiNx纳米多层膜的热稳定性研究

利用反应磁控溅射方法制备了一系列不同调制比的多晶CrN/SiNx纳米多层膜.对多层膜在900 ℃条件下进行真空退火4个小时.结果发现,当调制周期中SiNx的层厚较小时,退火后发生了明显的界面融混;而当调制周期中SiNx层厚较大时,退火后不但没有发生界面融混,反而使界面变得更加清晰,这一变化和界面处CrSiyN1-y相的析出有关,相的析出有利于界面的平滑和多层膜热稳定性的提高.     

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法（FHD）在Si片上快速演积出SiO2厚膜材料，材料膜厚40μm以上，生长速率8μm/min。将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理，获得各种形状的二氧化硅厚膜材料。利用XRD，SEM，电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析。     

聚一氯对二甲基苯膜的热稳定性与介电特性

以一氯对二甲基苯二聚体为原料,通过真空化学气相沉积法制备聚一氯对二甲基苯(Parylene C)膜,对该高分子薄膜材料的热稳定性和介电性能进行研究.通过DSC测得Parylene C膜的玻璃化转变温度为85℃,熔点为300℃,且Parylene C膜在不同的升温速率都表现出很好的热稳定性.测定膜厚为0.05 mm的介电常数为2.35,通过对绝缘性能的分析,以膜厚0.05 mm为测试基准.当蒸发温度在75~115℃,裂解温度在675~680℃时,介电强度达到5 500 V/mm,证明在合适的工艺条件下,Parylene C膜有很好的绝缘性.     

掺铝氧化锌透明导电薄膜生长及光电性质研究

采用磁控溅射在载玻片上制备掺铝氧化锌AZO透明导电薄膜,并用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,四探针电阻率测试仪测量样品的方块电阻和电阻率,分光光度计测量薄膜透射率.结果表明当功率、温度、氢气掺杂比为200 W、300℃、8%时,制备的AZO薄膜具有最小的方块电阻和电阻率,且在可见光区域内透射率均超过80%.     

酒精敏感元件的研制

气敏元件是六十年代初中期开始研制和发展起来的.目前薄膜型气敏元件具有迅速发展的趋势,因为它具有制作方便,灵敏度高等特点。     

场发射显示器中支撑体的优化设计

在场发射显示器中,支撑体起到支持阴阳极基板以抵抗大气压力下形变和应力的作用.在不同的支撑体配置方式下,基板的形变也是不同的.基板的形变将改变器件内部的电场分布,进而影响发射体的发射性能以及屏上光点的亮度.文中研究了柱型和墙型支撑体在不同配置方式下对于屏幕亮度均匀性的影响.研究表明等边三角形方式排列的支撑体分布是最优的分布方式,相对于传统的矩阵排列的支撑体分布方式而言,可使屏幕上亮度的周期性波动降低三分之一.     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

酞菁锌升华膜的制备及其NO2气敏性研究

利用真空升华法制得酞菁锌(ZnPc)薄膜,与ZnPc溶液相比较,电子吸收光谱谱带明显变宽,且Q带吸收峰分别红移了22nm,表明ZnPc分子在基片上以J-聚集体存在;红外光谱谱图基本相似,表明分子基本呈无序状态,ZnPc薄膜为无定形.气敏性研究表明ZnPc升华膜对NO2气体的灵敏度与成膜时蒸镀电流和蒸镀时间均有关系,当电流控制在85A蒸镀时间1.5h时,所得ZnPc薄膜室温下对浓度为50.0mg/m3的NO2气体的灵敏度达到2300,而对醇类、SO2、Cl2等气体几乎不响应,表现出对NO2气体特殊的选择性.     

花胫绿纹蝗在吉林省分布的初次报道

作者在吉林省四平市转山湖水库区域进行昆虫多样性调查时，采集到花胫绿纹蝗(Aiolopus tamulus Fabricius，1789),有关其在吉林省境内分布还属首次发现，采集到的标本保存于吉林师范大学生命科学院。     

电沉积法制备超级电容器电极材料纳米MnO_2

采用恒电流、恒电位及循环伏安三种电沉积方法在石墨上从pH为5.7,浓度为0.16 mol/L MnSO_4水溶液中分别制备了具有纳米结构的超级电容器活性电极材料MnO_2.用扫描电镜测试了其结晶形貌,用电化学研究了其在不同浓度的Na_2SO_4溶液中的电容特性,计算了它们的比电容,并对测试结果进行了比较和分析.结果表明:MnO_2的形貌及性能与沉积方法有关,所合成的MnO_2的粒径大约50 nm;用恒电流沉积法制备的样品,在0.3 mol/L的Na_2SO_4溶液中比电容最高,可达306.75 F/g.     

基于流固耦合油气混输泵双端面机械密封的变形分析

为了研究油气混输泵双端面机械密封的性能,采用Pro/E软件建立了密封动环、静环三维几何模型,由FLUENT软件模拟获得的液膜压力作为动、静密封环的边界条件之一导入ANSYS Workbench进行单相流固耦合计算,在不同工况下对动、静密封环的应力和变形分布规律进行分析。结果表明双端面机械密封的最大变形和最大应力发生在动环与静环的端面接触位置,动环、静环和动静耦合端面上产生的变形量随含气率的增加而增大,但应力分布变化不大。所选用的双端面机械密封能够满足要求。