添加剂BN对钛酸锶铅基陶瓷材料性能的影响

研究了添加剂ＢＮ对（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ型ＰＴＣＲ陶瓷材料电性能和显微结构的影响，试验结果表明，ＢＮ含量在０．１％￣０．４％范围内可以改善材料的显微结构，降低室温电阻率和烧结温度，从而使材料获得良好的Ｖ型ＰＴＣＲ电性能。     

氧化钒与聚合物复合的热敏电阻材料

将过渡金属氧化物（Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５）分别与高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）、低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）、聚丙烯（ＰＰ）复合制备热敏电阻材料，其室温电阻率最低可达０．４Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应（ρｍａｘ／ρ２５℃）高达１０１０数量级。本文研究了导电微粒、聚合物的种类、数量对室温电阻率和ＰＴＣ效应的影响规律，并对复合材料的微观结构进行分析，用电子隧道效应理论解释了材料的ＰＴＣ效应。     

还原气氛热处理对 BaTiO_3 热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐＯ２｝Ｐａ＝－４．１１０６～－４．０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究．结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率．     

电子镇流器用PTC热敏电阻管时元件的研制

从电子镇流器延时电路的工作原理出发，分析了ＰＴＣ热敏电阻延时元件的作用、工作条件及必须具备的技术指标，指出了高电压、高频率对ＰＴＣ特性的影响，提出了制备优质ＰＴＣ热敏电阻延时元件的工艺措施。     

还原气氛热处理对BaTiO3热敏电阻性能的影响

对常温阻值大于标称阻值ＰＴＣＲ热敏电阻在还原气氛中（氧分压ｌｇ｛ｐｏ２｝ｐａ＝－４．１１０６￣－０．４０５４７）于６００℃，８００℃和９００℃分别处理２ｈ，４ｈ和６ｈ，对处理后的热敏电阻电性能及老化特性进行了研究。结果表明，在满足产品电性能要求的前提下，还原气氛热处理在一定程度上可以调整ＰＴＣＲ热敏电阻的常温阻值，提高产品的合格率。     

PTC热敏电阻用于过电保护的研究

本文介绍了用于过流保护的ＰＴＣ传感器的研制，给出了过流保护的理论原理、实现电路及应用实验的结果等。     

掺杂元素物态对PTC材料性能的影响

研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。实验结果表明，Ｌｉ－Ｍｎ液相掺杂可以提高材料ＰＴＣ效应及耐压值；Ｓｉ－Ａｌ液相掺杂可降低材料室温电阻率，提高材料耐压值，Ｙ－Ｓｂ液相掺杂可以降低材料室温电阻率，但ＰＴＣ效应有所降低     

高分子PTCR可恢复过流保护性能分析

着重分析了高分子ＰＴＣＲ动作时间与异常电流、阻值的关系,漏电流与异常电流的关系,不动作电流与动作电流、阻值的关系。结果表明：高分子ＰＴＣＲ各性能指标间彼此约束、相互关联。     

限流用陶瓷及有机PTCR元件的可靠性研究

对用于程控交换机的陶瓷和有机ＰＴＣＲ限流元件进行了温度循环，电流冲击及耐雷击波冲击等几项可靠性试验，对两种限流元件失效的理化模型进行了初步的分析，在失效判据电阻变化相同及试验频率相同的情况下，陶瓷元件寿命优于有机ＰＴＣＲ元件。     

聚乙烯—炭黑复合材料PTC特性的研究

主要研究了两种炭黑和不同聚乙烯对聚乙烯炭黑复合材料的电导及ＰＴＣ特性的影响，测量了复合体系的伏安特性．试验结果表明，使用炭黑Ｂ时复合材料的ＰＴＣ特性不明显，复合体系的电导机理主要为隧道效应．用相变模型可以较好地解释ＰＴＣ和ＮＴＣ现象．     

贱金属电极与PTC陶瓷相容性的研究

用烧渗法和化学沉积法在冰箱启动用PTC陶瓷上制作了Zn/Cu、Ni—P/Cu和Cu/Ni—P双层贱金属电极,并对它们的电学性能进行了测试.结果表明,Zn/Cu和Ni—P/Cu贱金属电极能较好地满足PTC陶瓷产品的要求,而Cu/Ni—P电极可用来调节PTC陶瓷的室温电阻率.     

Y~(3+),Mn~(2+)掺杂BaTiO_3陶瓷晶界特性研究

PTC陶瓷的晶界特性对材料的电性能有重要影响,通过对Y,Mn掺杂钛酸钡陶瓷的电性能与晶界形态及元素分布关系的研究发现,施主掺杂量和Ca元素的掺杂量对晶粒的发育有一定影响;晶界对PTC性能有重大影响,杂乱的晶界不利于PTC效应,洁净的发育良好的窄晶界有利于PTC效应;能谱分析发现,陶瓷中不同部位的元素分布存在一定的规律.     

KNbO3陶瓷的半导化及PTC效应

采用添加钾锗玻璃和掺ＭｏＯ３的方法，制备了ＫＮｂＯ３半导瓷，在此基础上，对ＫＮｂＯ３半导瓷样品进行了电学性能的测试以及样品断面形貌的扫描电镜观察和分析。结果表明，两种方法制备的ＫＮｂＯ３半导瓷样品都在铌酸钾晶体的两个相变点附近出现了ＰＴＣ电阻异常：一个在正交铁电相－－四方铁电相转变处；另一个在四方铁电相－－立方顺电相转变处，而掺ＭｏＯ３制备的半导瓷具有较小这曙电阻率及较大的电阻率反常幅度（ＦＥ－Ｆ     

铅酸钡导电陶瓷的电性能研究

制得铅酸钡（ＢａＰｂＯ３）导电陶瓷,它具有象金属一样的导电性,而且还具有正温度系数（ＰＴＣ）特性． 本文主要研究ＢａＰｂＯ３ 导电陶瓷的导电性和导电机制     

用热处理方法降低PTC陶瓷发热体的电阻值

提出了一种利用隧道窑热处理方式降低ＰＴＣ陶瓷发热体电阻值的新方法．这种方法不仅能降低电阻值而且还能提高ＰＴＣ陶瓷的主要电性能;同时还讨论了热处理条件对电性能的影响．     

施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO_3陶瓷的制备方法及其PTC特性

采用固相法制备施主杂质 Nb和受主杂质 Mn共掺的 Ba Ti O3 陶瓷 ,应用固体物理的无序系统理论解释了 Ba Ti O3 陶瓷的半导化机理 ,并以此为指导选择了较合适的施主 Nb的掺杂量。讨论了受主杂质 Mn的摩尔浓度与陶瓷 PTC性能的关系     

稀土氧化物在复合PSZ材料中的作用

复合稳定ＺｒＯ２在高温热处理过程中,发生立方相向四方相的相变,由于Ｙ２Ｏ３或Ｃｅ２Ｏ３和ＭｇＯ的复合稳定作用,相变过程产生大量介稳的ｔ－ＺｒＯ２析出体。可相变四方相含量随热处理时间而增加,其中外２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３的（Ｙ,Ｍｇ）－ＰＳＺ／ＭｇＡｌ２Ｏ４材料处理至８００ｈ仍未降低。热处理过程中Ｙ２Ｏ３和Ｃｅ２Ｏ３始终存在于晶格中稳定ＺｒＯ２．复合稳定剂充分体现了对立方和四方相的稳定作用,多元ＰＳＺ的稳     

钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷表面态浅析

就形成钛酸钡陶瓷PTC效应的表面态进行阐述,分析了在居里点(TC)以上由表面态和介电常数在共同作用下的电阻率猛增几个数量级的原因;同时对钛酸钡PTC热敏电阻陶瓷的表面态的组成进行研究,认为在钛酸钡PTC陶瓷中表面态主要由钡空位引起;提出一种直接测量表面态密度的方法.     

BaTiO3薄膜陶瓷的制备与性能测试

本文介绍了薄膜PTC陶瓷样品的真空物理淀积方法,并对样品作了分析测试,其导电类型为半导体导电,遵守指数规律,样品电阻率具有典型的温度系数特征,响应速度快,对湿度敏感,性能稳定可靠,具有一定的开发意义。