PTPD/Alq3异质结电致发光二极管及其稳定性

采用新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合物（PTPD）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／Alq3（8-羟基喹啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件，考察了其电致发光特性．结果表明，当Alq3厚度很薄（小于或等于10nm）时，器件仅为PTPD层特征发光；当Alq3厚度达到50nm时，器件仅为Alq3层特征发光．将所制得的器件与典型的ITO／TPD／Alq3／Mg：Ag器件进行了比较，发现稳定性明显提高，其原因是盯PD的热稳定性高、成膜质量好．     

金属Rb掺杂Alq3的电子结构及其退火与氧化行为

利用同步辐射光电子能谱实验技术研究了活泼金属铷原子掺杂8-羟基喹啉铝（Rb—Alq3）薄膜的电子结构以及低温退火与氧化行为，结果表明铷和Alq3分子发生显著反应，电子从金属原子转移到Alq3的LUMO轨道，形成活泼金属／有机接触中典型的带隙态，结合能位于1．2eV．在低温退火后，Rb—Alq3的价带往高结合能端整体位移0．1eV，真空能级保持不变，带隙态仍然可辨；深度氧化后，带隙态消失，最高占据态（HOS）基本回到退火氧化处理前的位置，但真空能级抬高了近1ev．Rb—Alq3氧化后的最小电离势增大了约1eV，而纯净Alq3薄膜只增大0．05eV左右．     

十二烷氧基及十二酰氧基卟啉类化合物的合成

本文报道了．由５—对羟基苯基—１０，１５，２０－三对甲氧苯基卟啉（Ｉ）与１—溴代十二烷和月桂酰氯反应得到５－（Ｐ－十二烷氧苯基）－１０．１５，２０－三对甲氧苯基卟啉（Ｉ）和５－（Ｐ—十二酰氧苯基）－１０，１５，２０－三对甲氧苯基卟啉（Ⅲ），（Ⅱ）和（Ⅲ）是目前尚未见报道的新化合物，它们的结构经元素分析、红外光谱、核磁共振光谱及紫外可见光谱得以证实。     

激子复合区随温度移动对OLED磁效应的影响

制备了DCM掺杂层靠近阴极的双发光层有机发光器件ITO/CuPc/NPB/Alq3（发射绿光）/Alq3：DCM（发射红光）/LiF/Al,并在不同温度下测量了该器件和无DCM掺杂的单发光层参考器件的磁电致发光（Magneto-ElectroLuminescence,MEL）和磁电导（Magneto-Conductance,MC）.在注入相同电流密度下,发现双发光层器件MEL的高场（B50mT）效应随温度降低呈现先减小后增大的非单调变化,这与单发光层参考器件的单调递增变化明显不同.同时测量了不同温度下的电致发光光谱,发现双发光层器件的533nm和600nm两个特征峰的强度随温度变化出现了此消彼长的现象,表明激子复合区域随温度变化发生了移动.通过分析工作温度对器件各发光层中的三重态激子对间相互作用及载流子迁移率的影响,对双发光层器件中MEL的高场效应随温度的非单调变化进行了定性解释.实验结果进一步验证了在单发光层器件中得到的有机磁效应高场变化的相关结论.     

新型偶氮卟啉荧光化合物的合成、表征及光谱性质

以对氨基苹甲醛和苯酚（或蔡酚）为原料通过重氮化和偶合反应合成偶氟醛，偶氮醛与吡咯反应得到2种新型偶氮卟啉——四对（4-羟基偶氮苯基）苯基卟啉（3）和四对（2-羟基偶氮萘基）苯基卟啉（4）．通过核磁氢谱、红外和质谱对其结构进行了表征，研究了紫外和荧光光谱性质，并与无取代的四苯基卟啉的光谱性质进行了比较．新化合物紫外吸收有红移现象，且能在红光区发射荧光．化合物4的荧光光谱有较大红移，且在851nm处发现荧光发射峰．     

利用有源层掺杂提高有机发光

通过对电子传输层和空穴传输层的共同掺杂，达到提高有机发光二极管（DLED）电流效率的目的。与常规的在电子传输层中掺杂有机染料的掺杂器件相比，本实验是在Alq(电子传输层材料）与NPB（空穴传输层材料）形成的均匀互掺有源层中，再掺杂染料Rubrene。此种结构，其有源层能有效地限载流子而增加电子和空穴载流子相遇的几率，进而提高复合效率，使电流效率明显提高。同时，有源层的连续生长避免了有机层间界面的形成，改善了器件的稳定性。比较此结构器件与常规掺杂器件的特性，并对其发射机理进行讨论。     

Alq3有机发光器件的研制及寿命研究

以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流子的注入满足隧穿理论 ,发光阈值电压～ 1 2V ,所发绿光在正常室内环境下清晰可见 .通过电流随时间的变化测量了器件的工作寿命 ,并对影响器件寿命的原因作了分析 .     

置入FBG传感器的CFRP加固RC梁在线监测技术研究

近年来，复合材料加固混凝土结构的健康监测已引起国际工程界的广泛关注．使用埋入式布拉格光栅（FBG）传感器可以实现对复合材料加固混凝土结构应变使用状态的远程实时监测．作者首先讨论了FBG传感器埋入碳纤维复合材料（CFRP）层间的界面传递特性，通过实验验证了固化于CFRP中的FBG传感器的应变传感特性．FBG传感器被埋入到用来加固钢筋混凝土（RC）梁的CFRP层间和梁内部受拉钢筋上，通过监测FBG光栅传感器波长的变化就会得到测点的应变值．实验结果表明，FBG传感器测量值与相同位置布设的传统电阻应变片测量值具有很好的一致性，同时测量值与有限元模拟值也十分一致．     

不同气氛下激光幅射对硅基Alq3薄膜光致发光特性的影响

在真空中、氮气中、大气中和氧气中分别测量了生长的硅片上的8－羟基喹啉铝（Alq3）薄膜光致发光（PL）谱及其在不同激光功率密度下的PLC强度衰减谱。发现氧气和较强激光幅照共同作用会导致Alq3薄膜表面PL的衰减与淬灭。     

奥氏体不锈钢氮离子注入层的研究

本文用俄歇能谱仪（ＡＥＳ），结合高精度表面轮廓仪测定奥氏体不锈钢氮离子注入层深度及氮浓度分布．用超显微硬度计（试验载荷为０．１ｇ至２．０ｇ）测量注入层的本征硬度，还用ｘ射线低角度掠射技术（ＧＩＸＲＴ）分析注入层的组织结构．研究结果表明：氮离子注入层为过饱和氮的单相国溶体非晶态层，它强化了奥氏体不锈钢表层，提高耐磨性，降低摩擦系数．注入态的耐蚀性优于非注入态．     

Pure and stable white organic light-emitting device with an ultra-thin layer

Due to high brightness, low viewing angle, low driving voltage and short response time, organic light-emitting display is appraised as one of the most promising flat displays in the near future. Full-color technology is the bottle neck for industrializati…     

CuPc/CuPc:C_(60)/Alq/Al结构的有机太阳能电池

制备了一种ITO/CuPc/CuPc∶C60/Alq/Al结构的PIN有机太阳能电池,采用Cu-phthalocyanine(CuPc)和fullerene(C60)的共混层作为光吸收层,CuPc和Alq作为空穴传输层和电子传输层.利用真空蒸发镀膜法制备各层有机薄膜,并用I-V曲线和紫外可见吸收光谱来表征器件性能.研究了器件的光吸收层、电子传输层、空穴传输层的膜厚参数对器件性能的影响.结果表明,当器件光吸收层、电子传输层、空穴传输层的厚度分别为15,30,40 nm时,器件的性能达到最优化.优化器件的短路电流密度JSC为2.07 mA.cm-2,开路电压VOC为0.56 V,填充因子FF为0.46,器件的能量转换效率达到0.53%.     

基于N-BDAVBi的非掺杂高效蓝色OLEDs

采用真空蒸镀方法,制备了以N-BDAVBi为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件,器件的结构为ITO/2T-NATA(40 nm)/NPB( 10 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN(7 nm)/N-BDAVBi( (3+d) nm)/ADN (7 nm)/Alq3 (30 nm)/LiF(0....     

有机蒙脱土的制备及其结构表征

为增加蒙脱土与有机相的相容性,制备有机蒙脱土,并观察蒙脱土的层状结构在有机化前后的变化.以钠基蒙脱土为原料,用季铵盐、有机胺和复合试剂作为有机插层剂与蒙脱土层间的Na+交换,制备出一系列有机蒙脱土,并对其结构进行表征.FTIR证明有机插层剂已进入蒙脱土的层间.XRD结果表明蒙脱土的层间距由1.2 nm增加到1.7～4.2 nm.TEM观察也表明蒙脱土的层间距增大,粒层厚度约为50 nm左右.研究结果表明选择高交换容量的钠基蒙脱土和合适的插层剂,制备的有机蒙脱土层间距增加明显.     

具有垂直各向异性的Co/Pt多层膜中各Co层之间铁磁性耦合

使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1.nm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4.nm)/Pt(0.5.nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4.nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.     

LiF用作阴极注入层的有机发光二极管制备

使用真空热蒸发方法,制备了结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al的有机发光二极管,其中LiF用作阴极注入层,LiF超薄层的加入,增强了电子注入,降低了启亮电压,提高了器件的发光效率和亮度. 实验结果表明:当加入LiF层的厚度为0.5 nm时,器件性能的改善最好,和不含LiF的器件相比,启亮电压由原来的9 V降低到5 V,效率由1.5 cd/A增加到3.3 cd/A,提高了近1倍,然而随着加入LiF层厚度的增加,器件性能的改善效果降低.     

ZnO 空穴缓冲层对OLED 性能的影响

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。     

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.