电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

初道屏蔽效应对低能电子碰撞H(e,2e)反应的影响

考虑初道屏蔽效应,研究了低能电子碰撞H(e,2e)的反应过程.计算了共面非对称几何条件下能量为27.2 eV的入射电子碰撞H(e,2e)反应的三重微分截面(TDCS),将其计算结果与3C、DS3C和CDS3C模型所得结果及实验数据进行了比较,结果表明CDS3C模型能对上述碰撞过程成功描述,改善了与实验结果的符合程度.     

He(e,3e)末态波函数动量相关效应

考虑末态波函数动量相关效应，计算了入射能量为5599eV时，敲出电子等能分享几何安排下的He（e，3e）反应的五重微分截面，并比较采用各种末态波函数动量相关下的计算结果．表明理论计算结果在误差范围内与实验数据基本吻合，末态波函数动量相关效应对He（e，3e）反应的五重微分截面具有一定影响．     

(e,2e)反应研究的意义及进展

本文从动力学和结构学两方面简单介绍了(e，2e)反应研究的意义及进展，并对(e，2e)谱仪的发展作了简单的介绍。     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

氦原子(e,3e)碰撞的理论推导

在这篇文章中，完成了高入射能、低敲出能情形下，电子入射双电离He原子五重微分截面(FD－CS)的理论推导，计算中使用了三个电子在He^ 2离子场中的四体末态波函数。所得理论曲线，除个别点之外，其形状上与最新的实验结果是吻合的。     

氢原子(e,2e)反应中基态三重微分散射截面的计算

利用(e,2e)反应中跃迁矩阵的后滞形式,忽略了质心运动和相对运动的情况下,计算基态氢原子单离化的三重微分散射截面,与相关的实验结果符合的较好.笔者的近似计算能较好的反映基态的散射过程,计算量较小,该方法可以进一步推广到激发态散射截面的计算中.     

(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应

在考虑了He原子(e,2e)过程中剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS)。结果表明:得到的理论曲线更接近实验数据     

低能(e,2e)反应中的碰撞机制

以入射能量为64.6eV、能量均分、共面不对称几何条件下He原子电子碰撞电离过程为例 ,分析低能(e,2e)反应中的碰撞机制和交换效应 ,在回顾了中高入射能量下两种传统的碰撞机制的基础上提出了两种新的碰撞机制 ,从而成功地解释了三重微分截面的结构 ,特别是binary 峰和recoil峰的位置     

基于PCI总线的高分辨（e，2e）谱仪的数据获取系统

针对高分辨(e,2e)谱仪的能、动量同时测量的特点,成功研制了一套基于PCI总线的数据获取系统.此系统可以同时进行8路信号采集和符合测量,最大采集速率约为30 k/s.     

一代Technicolor模型对过程e~+e~-→tc的贡献

在ＬＥＰＩ的能量（Ｓ＝２００ＧｅＶ）下，我们计算了一代Ｔｅｃｈｎｉｃｏｌｏｒ（ＴＣ）模型对过程ｅ＋ｅ－→ｔｃ的贡献．计算结果表明，一代ＴＣ模型对ｅ＋ｅ－→ｔｃ的贡献很小，实验目前还无法观测     

不共面对称条件下电子离化He原子的三重微分截面

运用修正后的BBK理论计算了入射能E0=64.6eV,不共面对称等能条件下电子入射离化氦原子的三重微分截面,所得结果与实验进行比较,符合较好.指出:对3C波函数进行索末菲参量的修正是成功的,这一修正使得BBK模型也能对不共面对称等能条件下的低能(e,2e)过程给出很好的描述.     

（e，2e）电子动量谱仪的电子光学系统

设计、研制了（ｅ，２ｅ）电子动量谱仪的电子光学系统，调试和测试结果表明，该系统性能达到了预期设计指标，满足了谱仪的要求．     

磁控管测量比荷公式的证法探讨

比荷e/me是电子的一个重要参数,磁控管法是测量电子比荷的一种经典方法。文献[1]中用“二分之三次方定律”证明比荷公式有些欠妥。本文给出电子比荷公式的一种严格证明和一种非严格证法,并分析“二分之三次方定律”不能适用的原因。     

(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应对三重微分截面的影响

在考虑了He原子(e,2e)过程中,剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS).结果表明:该文得到的理论曲线更接近实验数据.     

GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极，并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上，以获得负电子亲和势（Negative lectron Affinity）表面，然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极，来获得自旋极化的电子束，详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程，并介绍了极化电子在极化（e.2e)反应中的应用。