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本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法. 相似文献
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用Czochralski提拉法生长出一系列Er∶LiNbO3晶体(Er∶1.0 mol%,2.0 mol%,3.0 mol%),研究了其在室温下晶体结构,紫外-可见吸收光谱及拉曼光谱.通过比较发现,Er∶LiNbO3晶体仍为三方晶系;但其吸收边发生红移,并且讨论了掺铒对LiNbO3晶体拉曼光谱的影响. 相似文献
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采用单缝衍射法在铁铌酸锂晶体(LiNbO3:Fe)中写入平面光波导.通过控制实验过程中单缝的宽度讨论单缝宽度对掺铁铌酸锂晶体(LiNbO3:Fe)中写入波导影响.研究结果表明,缝宽对写入平面光波导波导的效果具有一定的影响. 相似文献
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研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结. 相似文献
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本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算不同晶格常数下 Si 晶体的总能,用计算所得出的数据通过 Brich-Muranghan三阶状态方程进行拟合得到相关的参数,获得 Si晶体的 Brich-Muranghan三阶状态方程具体形式,并通过计算获得Si在稳定状态下的晶格常数和体弹性模量,结果与实验数值相符。 相似文献
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利用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上成功制备了掺镓ZnO微米棒.从场发射电子显微镜可看出具有六角棱柱形的棒长度约为70μm.能谱结果说明该样品中镓掺杂浓度较高.X射线衍射结果表明其具有六角纤锌矿结构.在背散射拉曼光谱中观测到由于镓掺杂而引起的63l cm~(-1)峰,同时没有发现与结构缺陷有关的E_1(LO)模,说明样品的晶体质量较高.利用变温光致发光研究了样品的光学性质,发现在室温时仍能观察到明显的中性施主束缚激子(D~0,X),表明Ga已经形成了稳定的施主能级.微米棒的生长遵循气-固原理. 相似文献
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本文将Banach空间上的线性时滞控制系统dx(t)/dt=Ax(t)+∑i=0k (Biu(t-ri))+∫10 (B(θ)u(t+θ)dθ,t ≥ 0,(0=r0 < r1 < … < rk=r<∞)). 相似文献
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本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10-4的解析式. 相似文献
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按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρo值.计算结果以势垒高度φB自0.3~1.0eV,ρo与载流子浓度(1018~1021cm-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φB并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φB降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论. 相似文献
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采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg0.8Cd0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg0.8Cd0.2Te中汞空位扩散系数DL为2×105微米2/小时左右;汞空位最终浓度Lf与汞压成反比,其比例常数(KF)/Ki为5×1019·厘米-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右. 相似文献
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设非负随机变量T1,T2,…,Tn,…独立同分布,分布函数F为连续,而{N(t),t ≥ 0}是以T1,T2,…为相继到达时间而产生的更新计数过程.本文求出了当t ≥ 0,s ≥ 0时,剩余寿命γ(t)与γ(t+s)的联合分布函数以及其混合矩当t,s→∞时的极限性态.结果表明t,s→∞时,γ(t)和γ(t+s)是渐近独立的. 相似文献
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