化合物半导体体材料和特性

化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中，高质量的GaP、GaAs、S-I、GaAs和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。     

硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能

硅基一维纳米半导体材料是新型的硅基光电子材料，在硅基光电集成和纳电子领域有重要的应用前景．主要论述了硅基一维纳米半导体材料(纳米硅线、纳米ZnO线)的制备，着重一维纳米材料的阵列化制备，讨论了其生长机理，研究了硅基一维纳米半导体材料的的光学、电学等物理性能．     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上，。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理，发光二极管的结构与特性，并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

贝尔实验室半导体材料的研究

着重论述贝尔实验室关于半导体材料研究与工艺开发的历史过程，这包括锗和硅的制备，Ⅲ－Ｖ族半导体化合物，区域纯化法和区域致匀性，以及外延，掺杂和掩蔽工艺等。     

PTC新材料及其应用

PTC 是英文 Positive Temperature Coefficent的缩写,意即正温度系数.PTC 材料是具有正温度系数的材料.它是近年来发展很快的一种对温度敏感的新型半导体材料.当前以 BaTiO_3系的半导体陶瓷材料为应用的主流.利用这类材料的相交,出现的特殊阻温变化,显示有优异的电阻温度特性、电压—电流特性和电流—时间延迟特性,迄今被广泛应用于电子、机械、动力、医疗卫生、农业、食品、家用电器等各个领域,具有重要的商业价值.甚至,在火箭、人造卫星等军用和航天设备上,PTC 热敏电阻     

现代外延生长技术

由于现代外延生长技术的不断完善，使异质结器件、量子阱与超晶格材料的生长与应用得到迅速发展．本文概述了目前半导体材料与器件研究最先进的几种外延生长技术，包括ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ、ＡＬＥ和ＨＷＥ．     

半导体量子线制备方法及研究动态

一维半导体材料由于其在空间二维的量子限域作用，而显示出非线性光学性能、光致发光、独特的光电性能以及单电子效应等，这些特性在电子和光电子元件方面具有潜在的巨大应用价值。一维半导体材料的制备技术已得到广泛研究，文献中报道了许多制备方法。对目前国内外制备半导体量子线的最新研究成果和方法进行了讨论，并对半导体量子线制备研究的发展趋势进行了预测。     

半导体材料和器件的少子扩散长度随工艺跟踪测量

在同一设备上综合地应用表面光伏谱、结光伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测量．本方法具有设备简单、方法容易、不破坏样品等优点，可作为监测材料质量和器件工艺水平的重要手段．     

四探针测半导体材料杂质分布

设计一个新的近代物理实验题目，利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层，采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度，可得出半导体材料的杂质分布N(x），实验设备简单，测量方便，结果准确，并提供了自制四探针测量仪的方法。     

国内外硅半导体材料产业现状及发展

概述了国内外硅半导体材料（多晶硅、单晶硅、硅片）的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势.     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

半导体辐射探测器——器件物理

该书从最基本的原理出发，对现代迅速发展的辐射半导体探测器及相关技术进行了系统和详细的论述。它首先对半导体辐射探测器的工作原理和应用等方面作了一个直观的描述，之后再引入比较严谨和定量的分析。     

半导体物理——器件和纳米物理介绍

本书是作者在Leipzig大学所开设的半导体物理课程基础上写作完成的，它力求在固体和半导体物理基础与相关的电子光子器件及应用两方面取得平衡，特别适用于高年级本科生及研究生的使用。本书除了对许多其他类似书籍中不常见的课题，如材料的合金、应力、异质结构和纳米结构等进行了阐述与讨论，     

一维半导体纳米材料的制备及表征

本介绍了半导体纳米材料和常规的半导体材料的不同性能，对其常用的制备方法做了简要的描述和比较，同时给出了常规的表征方法。     

GaAs材料测温系统的研制

利用半导体GaAs材料透过率特性的光纤测温系统具有抗电磁干扰、抗腐蚀、绝缘性好等特点，但精度不够高。针对这种情况，本文提出了一种新的半导体GaAs材料测温系统，由于引入了参考光源，使系统的精度和稳定性有了很大提高。     

聚合物PTC材料及其应用

在 PTC 材料应用中,除了本刊第9期已介绍約以钛酸钡系半导体陶瓷材料的 PTC 材料外,另一类材料为聚合物 PTC 材料,它是采用有机聚合物材料作为母体,掺合一定体积的导电性粒子而制成。通常亦称之为聚合物复合型 PTC 材料。按其填充导电粒子的不同,可分为聚合物—炭黑系、聚合物—金属氧化物系和聚合物—金属系等三大类。     

III族氮化物半导体材料

III族氮化物半导体材料（Al，In，Ca）N，（包括GaN、InN、A1N、InGaN、A1GaN和AllnGaN等）是性能优良、适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。用这种材料研究发展的高功率、高亮度的蓝一绿一白发光管和蓝光激光器以及其他电子器件和光电子器件近几年来均有很大突破，有的己形成了产业。     

半导体缺陷的研究进展

第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行，共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V．Kvedel（克维德）教授，会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。     

半导体宏观数学模型的拟中性极限

首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型，然后综述半导体材料的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果，使用熵（Entropy）方法和弱紧性方法证明了古典半导体飘流扩散模型的拟中性极限。