在Cs2CdX4（X=F,C1）：Cr^3＋四角晶位中配体对零场分 …

用双自旋－轨道耦合模型和半经验的分子轨道法研究了Ｃｒ＾３＋在Ｃｓ２ＣｄＸ４（Ｘ＝Ｆ,Ｃ１）四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｃ１对Ｃｒ＾３＋的零场分裂ｇ因子的贡献。     

钇铁榴石中Fe~(3+)离子的吸收光谱和EPR零场分裂研究

本文在晶体场理论的基础上．用晶场自旋——轨道耦合矩阵对钇铁榴石（YIG）中Fe3+（3d5组态）离子的吸收光谱，基态分裂常数，零场分裂参量D进行了统一计算．所得结果与实验符合较好，说明自旋——轨道耦合作用是导致基态分裂的主要原因，解释了被认为是一个理论疑惑的Fe3+离子零场分裂参量D问题。     

GaP：V^3＋自旋允许谱的精细结构的研究

在ＧａＰ：Ｖ＾３＋晶体中，对＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｆ），＾３Ａ２→＾３Ｔ１（Ｐ）以及＾３Ａ２→＾３Ａ２→＾３Ｔ２（Ｆ）３组自旋允许跃迁均已在实验中得到它们的精细结构。同时考虑静电、晶场自旋－轨道耦合作用，计算了ＧａＰ：Ｖ＾３＋的旋轨耦合分裂，理论计算与实验符合很好。此外，还对这３组自旋允许跃迁的精细结构进行了识别，结果表明，＾３Ａ２→＾３Ｐ１（Ｐ）跃迁的２条１３８７４，１３８９０和１３９４６ｃｍ＾－     

晶体中过渡金属离子零场分裂参量的微观解释Ⅰ:等效哈密顿理论

文献中已经提出了很多计算晶体中过渡金属离子零场分裂的微观理论，它们适用于不同对象。证明了这些理论可以发展成一个统一的理论，称这个统一的理论为等效哈密顿理论。若将自旋－轨道与自旋－自旋相互作用作为微扰，静电势与晶场势作为零级进行处理，其收敛情况很好，并且适用于所有过渡金属离子（3d^N,N=2～8）以及所有对称。在发展与建立等效哈密顿理论的过程中，还给出了各相互作用矩阵元的计算公式、等效哈密顿的表达式，自旋哈密顿的矩阵形式，以及各种对称下非零零场分裂参量等，这些表达式对于研究过渡金属离子零场分裂参量和光谱具有普遍适用的意义。     

四面体Cs3CoX5中络离子CoX4^2—（X=Cl,Br）零场分裂D的研究

用双自旋－轨道耦合参数模型研究了四面体四角晶位中络离子ＣｏＸ４＾２－（Ｘ＝Ｃｌ,Ｂｒ）的零场分裂Ｄ。研究表明,配体Ｂｒ对Ｃｏ＾２＋离子零场分裂Ｄ的影响较大。     

^5D态在D2对称晶体中的哈密顿矩阵及应用

本文推导了３ｄ~４／３ｄ~６离子~５Ｄ组态在Ｄ_２对称的晶体场中包括自旋－轨道、自旋－自旋和外磁场作用的哈密顿矩阵，并研究了ＺｎＳｅ：Ｃｒ~（２＋）中的零场分裂参量和塞曼谱。     

自旋—自旋相互作用对红宝石零场分裂的贡献

本文引入自旋－自旋相互作用，计算了红宝石等３种三角晶体中Ｃｒ＾３＋离子的零场分裂，理论计算与实验值一致，研究表明，自旋－自旋相互作用对三角晶场中ｄ＾３离子零场分裂的不应忽略。     

配体Br的SO耦合对CsCdBr3：Cr^3＋EPR的影响

本文用双自旋－轨道耦合模型研究了晶体ＣｓＣｄＢｒ３中掺杂Ｃｒ＾３＋离子的ＥＰＲｇ因子和零场分裂Ｄ。结果表明，配体Ｂｒ大的ＳＯ耦合作用和较强的共价性对络合物ＥＰＲ参量的影响不应忽略。     

MgO中Cr~(3+)空位中心的电子顺磁共振分析

本文采用晶场理论,计算了ＭｇＯ中Ｃｒ３＋空位中心Ｃ４ｖ、对称四角畸变的能级和ＥＰＲ（电子顺磁共振）参量ｇ＝１．９８２４,ｇ⊥＝１．９８０８和Ｄ＝－８１１×１０－４ｃｍ－１,得到了与实验（ｇ＝１．９７８７±０．０００６,ｇ⊥＝１．９８２７±０．０００６和Ｄ＝－８１９×１０－４ｃｍ－１）一致的结果,解释了ｇ因子各向异性的起因．     

晶体电场对离子自旋─轨道耦合参数的影响

晶体电场对三价稀土离子自旋─轨道耦合参数有影响，是人们长期怀疑但尚无人作过定量分析与计算的问题．本文从相对论Ｄｉｒａｃ方程式给出的电子自族─轨道耦合参数表达式出发，以稀土氯化物为例，首次详细计算了晶体电场对稀土离子（Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｒ３＋、Ｙｂ３＋）４ｆ自旋─轨道耦合参数贡献的相对大小．计算结果表明：晶体电场对电子自旋─轨道耦合参数的贡献至多占稀土离子核库仑场贡献的万分之一，因此可以忽略不计．寻找电子自旋─轨道耦合参数实验值与理论值差别的途径，应该从离子的电子结构本身着手来研究．     

在Cs2CdX4(X=F,Cl):Cr3+四角晶位中配体对零场分裂和g因子的影响

用双自旋 轨道耦合模型和半经验的分子轨道法研究了Cr3 在Cs2 CdX4 (X =F ,Cl)四角晶位中的EPR零场分裂和 g 因子 .结果表明 ,不应忽略配体Cl对Cr3 的零场分裂和 g因子的贡献 .     

ZnCl2与POM的合成和结构

ＺｎＣｌ２与ＰＯＭ生成１：２加成物「Ｚｎ（ＰＯＭ）２Ｃｌ２」，Ｃ１２Ｈ１２Ｃｌ２Ｎ４Ｏ６Ｚｎ，晶体必三科晶系，空间群为Ｐ１，晶胞系数为ａ＝１１．７５５（１１）×１０＾－１０ｍ，ｂ＝１２．３５７４（７）×１０＾－１０ｍ，ｃ＝６．５９２（４）×１０＾－１０ｍ，ａ＝１０２。７３２（５）°，β＝９２．０７４（６）°，γ＝１１０．１２４（６０°，Ｖ＝８７６．２×１０＾－３０ｍ，ＭＲ＝４４４．５３，ｚ＝２，ｄ     

晶体场理论计算能量哈密顿矩阵中为零矩阵元的判别

分析了用晶体场理论计算晶体能级时所得到的能量哈密顿矩阵,总结了静电矩阵元、晶场矩阵元、自旋-轨道耦合矩阵元、Trees修正矩阵元和自旋-自旋耦合矩阵元中为零矩阵元的判别方法.     

旋轨耦合作用对Ti3+:Al2O3能级分裂的贡献

运用晶体场理论对钛宝石能级分裂的精细结构进行了计算，结果说明，在不计Jahn-Teller效应的情况下，考虑晶场和自旋一轨道耦合的共同作用能很好的解释其基态能级分裂，解决了Macfarlane认为不能用晶体场理论进行计算的困难．理论数据与实验结果符合得很好．     

晶体中过渡金属离子零场分裂参量的微观解释II:微观机制与实例

讨论了晶体中过渡金属离子零场分裂产生的各种微观机制，并给出了多个实例。结果表明，过去工作通常忽略的自旋-自旋相互作用机制，以及自旋-轨道与自旋-自旋联合作用机制，在一些特殊情况下是不可忽略的。计算还表明：高激发态的贡献通常是重要的。     

晶体中过渡金属离子零场分裂参量的微观解释I:等效哈密顿理论(英文)

文献中已经提出了很多计算晶体中过渡金属离子零场分裂的微观理论 ,它们适用于不同对象 .证明了这些理论可以发展成一个统一的理论 ,称这个统一的理论为等效哈密顿理论 .若将自旋 轨道与自旋 自旋相互作用作为微扰 ,静电势与晶场势作为零级进行处理 ,其收敛情况很好 ,并且适用于所有过渡金属离子 (3dN ,N =2～ 8)以及所有对称 .在发展与建立等效哈密顿理论的过程中 ,还给出了各相互作用矩阵元的计算公式、等效哈密顿的表达式 ,自旋哈密顿的矩阵形式 ,以及各种对称下非零零场分裂参量等 ,这些表达式对于研究过渡金属离子零场分裂参量和光谱具有普遍适用的意义 .     

CsCrCl_3晶体的光谱研究

本文基于弱场图象，利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法，建立了ｄ４（Ｃ＇３ｖ）离子含旋轨耦合作用的完全能量矩阵。借助此矩阵，利用完全能量矩阵的对角化方法，对ＣｓＣｒＣｌ３晶体的光谱进行了理论计算，其结果同实验结果很吻合。同时，本文从理论上证明了２３２２８ｃｍ（－１）、２３３１０ｃｍ（－１）这两条强谱线产生于双中心跃迁。     

Ni^2＋在AgCl和AgBr四角晶位中的零场分裂和g因子

用分子轨道和双自旋－轨道耦合模型,研究了Ｎｉ＾２＋在ＡｇＣｌ和ＡｇＢｒ四角晶位中的ＥＰＲ零场分裂和ｇ因子,结果表明,不应忽略配体Ｂｒ对ＡｇＢｒ：Ｎｉ＾２＋ＥＰＲ参数（Ｄ,ｇ）的贡献。     

在表面活性剂存在下泰尔登的电分析化学特征研究

在ＰＨ７．００缓冲溶液中，当有０．００２０％ＯＰ在在时，泰尔登在－１．９５Ｖ产生一灵敏极谱波，利用此波可测定痕量泰尔登，检测下限为５．４×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。用恒电位库仑法，计量库仑法和循环伏安法测得反应电子数为２，吸附量为１．１７×１０＾－１０ｍｏｌ／ｃｍ＾２，扩散系数为４．３×１０＾－５ｃｍ＾２／ｓ。     

DApBM—V（Ⅴ）—Mn（Ⅱ）—Twenn—80体系光度法测定钒（Ⅴ）

在磷酸介质中，在Ｍｎ和Ｔｗｅｅｎ－８０存在下，ＤＡｐＢＭ与钒生成橙黄色化合物，产物至少可稳定３．５ｈ，最大吸收波长为４８５ｎｍ。摩尔吸光系数ε＝４．０１×１０＾５Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１和ε＝１．５７×１０＾４Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，钒量在０．５－３．０μｇ／２５ｍｌ及３．０－１０．０μ／２５ｍｌ间符合比尔定律。