基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

基于[CF+]的四阶电流模式低通滤波器分析

提出了以信号电流跟随器ＣＦ＋为基本电路元件，构成全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间四阶电流模式平衡结构低通滤波器电路，应用ＰＳＰＩＣＥ（Ⅱ）通用模拟电路程序，对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析。结果表明：这种滤波器能够直接处理电流信号，避免了电压跟随误差对电路质因数和自然频率的影响，有效地消除了ＭＯＳＦＥＴ电阻偶次非线性因素的影响，得到了可靠的计算数据。     

基于信号电流跟随器的全集成四阶带通滤波器仿真分析

提出了以信号电流跟随器ＣＦ＋为基本电路元件的全集成ＭＯＳＦＥＴ－Ｃ精确连续时间电流模式四阶带通平衡结构滤波电路，并应用通用模拟电路程序ＰＳＰＩＣＥ（Ⅱ），对其幅频特性和相频特性进行了计算机仿真分析，得出了几点实用的结论．     

模糊中医专家系统外壳－FESS的设计

ＦＥＳＳ是用ＴＵＲＢＯＰＲＯＬＯＧ２．０在ＩＢＭＰＣ／ＡＴ上研制的，应用于中医领域的模糊专家系统外壳．本文首先介绍ＦＥＳＳ的总体结构，接着叙述ＦＥＳＳ的核心部分─知识库组织及推理机制．     

电阻栅MOSFET电流模型分析

本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ－ＭＯＳＦＥＴ一级近 下电流模型的解析表达式。并对其物理机制进行了分析讨论。     

MAGNETIC RELAXATION AT EARLY TIMES AND FLUX DIFFUSION BARRIER V（J，B，T） FOR Ti－1223 DOPED WITH Pb AND Ba BY COMPLEX AC SUSCEPTIBILITY MEASUREMENTS

ＭＡＧＮＥＴＩＣＲＥＬＡＸＡＴＩＯＮＡＴＥＡＲＬＹＴＩＭＥＳＡＮＤＦＬＵＸＤＩＦＦＵＳＩＯＮＢＡＲＲＩＥＲＶ（Ｊ，Ｂ，Ｔ）ＦＯＲＴｉ－１２２３ＤＯＰＥＤＷＩＴＨＰｂＡＮＤＢａＢＹＣＯＭＰＬＥＸＡＣＳＵＳＣＥＰＴＩＢＩＬＩＴＹＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＳＤ...     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性。     

INSITUCOMBINEDTEMPERATUREPROGRAMMEDREDUCTION─MOSSBAUERSPECTROSCOPICTECHNIQUESTUDYOFTHEINTERMEDIATESF

ＩＮＳＩＴＵＣＯＭＢＩＮＥＤＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥＰＲＯＧＲＡＭＭＥＤＲＥＤＵＣＴＩＯＮ┐ＭＯＳＳＢＡＵＥＲＳＰＥＣＴＲＯＳＣＯＰＩＣＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳＴＵＤＹＯＦＴＨＥＩＮＴＥＲＭＥＤＩＡＴＥＳＦＯＲＭＥＤＤＵＲＩＮＧＴＨＥＲＥＤＵＣＴＩＯＮＯＦ...     

NETS OF LF SETS IN LF SUM─TOPOLOGICAL SPACES

ＮＥＴＳＯＦＬＦＳＥＴＳＩＮＬＦＳＵＭ─ＴＯＰＯＬＯＧＩＣＡＬＳＰＡＣＥＳ￥ＺｈｕＭｉｎｇｋｕｉ；ＳｕｎＱｕｎ（ＴｈｅＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｈｅｍａｔｉｃｓ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ，ｗｅｄｉｓｃｕｓｓｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｏ...     

TECTONIC DEVELOPMENT OF THE METAMORPHIC CORE COMPLEX OF THE WUGONGSHAN IN THE NORTHERN JIANGXI PROVINCE

ＴＥＣＴＯＮＩＣＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴＯＦＴＨＥＭＥＴＡＭＯＲＰＨＩＣＣＯＲＥＣＯＭＰＬＥＸＯＦＴＨＥＷＵＧＯＮＧＳＨＡＮＩＮＴＨＥＮＯＲＴＨＥＲＮＪＩＡＮＧＸＩＰＲＯＶＩＮＣＥＳｕｎＹａｎ１）ＳｈｕＬｉａｎｇｓｈｕ１）Ｍ．Ｆａｕｒｅ２）Ｊ．Ｃｈａ...     

开关式场效应管弧焊电源的研究

本文主要介绍新型的开关式场效应管弧焊电源的工作原理,通过采用电流负反馈获得恒流外特性,并提出了一种新颖的低压引弧电路。利用所研制的开关式场效应管弧焊电源进行引弧试验和工艺试验,结果表明此电源具有良好的引弧性能和工艺性能,是一种发展前景较远大的电子弧焊电源之一。     

双路绝缘栅型场效应管亚微秒级电火花脉冲电源

以绝缘栅型场效应管(MOSFET)作为开关元件的独立式单路控制微能脉冲电源设计存在着缺陷，不利于稳定加工．通过对实验中采集到的波形分析，找出了缺陷产生的原因，在此基础上，设计了双路控制的MOSFET开关电路，并根据MOSFET的开关特性，采用合理电路参数，计算出理论波形．通过对比实验，不仅验证了实际波形与理论波形吻合，而且改进后的电源可以将波形有效压缩至亚微秒级，加工表面放电痕的形貌得到了极大改善，提高了加工的尺寸精度和表面精度，且加工过程稳定．     

快速消除维持电压微细电化学加工脉冲电源

以绝缘栅型场效应管(MOSFET)作为开关元件的独立式单路微细电化学加工脉冲电源在脉间存在维持电压,使得微细电化学加工的散蚀增加,导致工件的形状精度降低.在分析维持电压存在特性的基础上,通过分析实验中采集到的波形,对脉冲电源进行改进,设计了双路控制的MOSFET开关电路,并根据MOSFET的开关特性,采用合理的电路参数.对比实验表明,改进后的电源快速消除了脉间维持电压,从而有效地降低了加工过程中的平均电压值,进而使加工表面痕迹的形貌得到了很大的改善,提高了加工的尺寸精度和表面质量.     

一种用于脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的高增益检波器

设计了一个用于非相干脉冲超宽带接收机的0.18-μm CMOS工艺的能量检波器.该检波器包含了输入匹配模块、平方电路、翻转电压跟随器-电流检测电路、跨导级以及输出缓冲器.平方电路运用饱和区晶体管的平方律特性对输入差分信号进行平方,所得到的输出电流由翻转电压跟随器-电流检测电路转换成电压.跨导级对该信号进行放大并积分得到所接受的能量.测试结果可以看出,当输入信号的峰峰值超过60mV时,在高达300 MHz的频率下检波增益可以达到10 dB.而最小检测幅度为13 mV,此时的检波增益为5 dB.在移除输出缓冲器之后,输出脉冲的幅度将增加一倍.不计及测试焊盘,芯片面积为0.23 mm×0.3 mm.电路由一个1.8 V的电源供电,核心电路电流为3.5 mA.该检波器已成功应用于开关键控方式的接收机以实现高速宽带通信.     

一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。     

基于ADuC812的大功率半导体激光器恒流源设计

恒流源是半导体激光器正常稳定工作的重要保证。根据大功率半导体激光器驱动电源的技术指标要求,设计了基于ADuC812的数控恒流源方案。该恒流源采用大功率MOSFET作为调整管,以霍尔电流传感器作为电流采样反馈,实现了对输出电流的0-50A的线性控制,稳流精度为0．1A。并设计了过流保护电路以及软件上的中值滤波算法,提高了半导体激光器的抗冲击能力和工作稳定性。通过与大功率半导体激光器的联调测试,证明了恒流源的稳定性．达到了设计要求的性能指标。     

串联磷酸铁锂电池组保护电路设计

设计出了一种新型的串联锂离子电池组保护电路.该保护电路采用MOSFET开关,根据过流时电池组MOSFET电压的变化来设计过流保护电路,并通过实物验证了该保护电路能够在20ms动作,从而保护了电池组和改善了电池的性能,延长了电池的寿命.     

基于80C196KC的混合式有源电力滤波系统的研究

文中对混合式串联有源电力滤波系统的工作原理作了分析研究,提出了基于80C196KC系统的控制方法和控制电路结构,以MOSFET作为主电路实现电压源PWM逆变器由串联有源和并联无源滤波器构成混合式电力滤波系统,对该系统作了仿真研究和实验仿真及实验结果表明,混合式串联有源电力滤波系统有着良好的滤波补偿效果     

基于saber的电压源仿真设计

基于saber仿真软件设计的一种稳压电源,也是一种基于集成电流控制型脉宽调制芯片UC3842、采用反激式变换的拓朴结构的自适应直流电源。它主要是通过检测负载的电流变化,来改变PWM输出的占空比,用以驱动MOSFET管,实现恒压输出,采用改变UC3842内部集成运算放大器的基准电压来实现可调的功能。     

高效率宽输入范围电荷泵2倍压电路的设计

提出一种无阈值损耗的电荷泵倍压电路(2倍压电路),该电路采用衬底可变单元代替二极管连接的MOS管,消除了MOS器件的体效应及阈值损耗的影响,与传统电荷泵相比效率提高了20%,获得低至1.0V的宽输入范围.基于该结构采用TSMC 0.25μm BCD工艺设计了一款2.0AUSB功率开关芯片,使用spec-tre对整体电路进行了仿真验证,结果表明:该电荷泵电路的工作状态良好,同比输出电压提高了1.0V,效率最高可达90%,基于该工艺实现的电荷泵电路的版图面积仅为0.04mm2.