镉试剂2B在滴汞电极上的电化学行为

研究了镉试剂2B在滴汞电极上的电化学行为。用分光光度法和不同pH下的极谱行为证明了,在含50％甲醇的pH=3.5的B—R缓冲溶液中,三个极谱峰对应的三个电活性基团分别是:-N=N—(—0.37V as.SCE),—N-N—NH—(-0.43V),—NO_2(-0.72V);研究了在含50％甲醇的pH=11.7的B—R缓冲溶液中,Cadion2B的电极反应性质和机理。     

R+-SiF3(R=Li,Na,K)分子构型及稳定性的理论研究

在B3LYP/6-311 G(2d,2p)理论水平上对R -SiF3(R=Li,Na,K)各构型进行结构优化,NBO原子电荷分析用NPA程序.用同样的理论水平上对R -SiF3(R=Li,Na,K)进行零点能、总能、焓、相对能量计算和碱金属离子亲和能计算,计算出能量结合频率分析确定配合物构型的稳定性.优化的几何构型、NBO分析表明R (R=Li,Na,K)和SiF3形成的是离子偶极型配合物.Li ,Na ,K 形成最稳定分子的亲和能分别是90.46KJ/mol、57.52KJ/mol和37.83KJ/mol.足够大的锂离子亲和能表明锂离子吸附SiF3的配合物能被锂离子吸附质谱仪探测到.     

稀土化合物R2Fe14B晶场系数的计算

本文采用F.Herbst定义的原子坐标计算了R_2Fe_(14)B(R=Ce,Sm,Pr,Nd,Tb,Dy,Er,Tm)的晶场系数.对未见报导R原子坐标的R_2Fe_(14)B化合物用Pr_2Fe_(14)B中的Pr的坐标(R是轻稀土时)和Dy_2Fe_(14)B中Dy的坐标(R是重稀土时)进行了计算,并将计算结果和已见报导过的文献数据进行了比较.     

矩阵方程AXB-CXD=R的多项式解法

将利用线性变化,构造一多项式,从而将矩阵方程AXB-CXD=R转化为一容易求解的方程,并给出了矩阵方程AXB-CXD=R有唯一解时的显示表达式X=-(Ck+1)-1Sk(R)E-1或X=F-1Sk(R)(Bk+1)-1,所得到的结果推广了有关文献的相关结论.     

A=B与B=A是一样的吗?

××同志:你来信问在数学中 A=B 与 B=A 是一样的吗?你谈到有人认为 A=B 与 B=A 没有什么区别。你感到这样看法不完全对,但也找不出充分的理由说服对方。下面就这个问题谈点个人的肤浅看法,供你参考。首先,我感到你提的问题很好,说明你们在华主席为首的党中央的英明领导下,为使我国在本世纪内实现四个现代化而刻苦学习业务知识已成风气。这是以实际行动对“四人帮”破坏教育革命的有力批判。A=B 与 B=A 这两种写法,从辩证法的观点来分析,这两种写法既一样又不一样。说它一样,是这两种写法反映出来的数量大小是一样的;说它不一样,是它们反映的矛盾主要方     

相对增益阵列A o A-T=1/nJn的实数解的不变性

设Dn(R),Pn(R)分别是Rn×n上的非奇异对角矩阵、置换矩阵的集合,Gn(R)={X=U1U2...Ut|Ui∈Dn(R)∪Pn(R)}.证明了矩阵乘法下的群Gn(R)可表为Dn(R)与Pn(R)的乘积.如果B=UAV(U,V∈Gn(R)),则称A与B是G-等价的,矩阵方程Φ(X)=1/nJn的实数解在G-等价下具有不变性.     

Π-凝聚环上的同调方程A=Ext_R~n(X,R)

研究Π-凝聚环R上的同调方程A=ExtnR(X,R)的一类解的存在性,得到方程A=ExtnR(X,R)以有限生成半自反右R模为解的一个充要条件.     

Π-凝聚环上的同调方程A=ExtnR(X,R)

研究Π-凝聚环R上的同调方程A=ExtnR(X,R)的一类解的存在性,得到方程A=ExtnR(X,R)以有限生成半自反右R模为解的一个充要条件.     

素环R的双侧R—模自同态

本文我们将证明下列结果:设 R—是一个中心为 C 的素环.d 是 R 的一个双侧 R—模自同态,N 是 R 的一个非零理想,并且 p,q,r 是 R 的三个固定元素。(a)如果 d(a)~5=0对任意 a∈N,则 d=0;(b)如果 pd(a)~3q=0对一切 a∈N,则 d=0,p=0或者 q=0;(c)如果 R 的特征不等于2,并且 pd(a)~2qd(a)r=0对一切 a∈N 或者 pd(a)qd(a)~2r=0对一切 a∈N.那么 d=0或者 p、q、r 三者之一等于零。(d)如果 R 的特征不等于2,并且 pd(a)pd(a)qd(a)r=0对一切 a∈N 或者 pd(a)qd(a)qd(a)r=0对一切 a∈N 或者 pd(a)qd(a)rd(a)r=0对一切 a∈N.那么 d=0或者 p,q,r 三者之一等于零。(e)假设 R 的特征不等于2,p,q,r 是 R 的三个确定的非零元素,并且 d 是 R的一个非零的双侧 R—模自同态使得 pd(a)qd(a)r∈C 对一切 a∈N,或者 pd(a)~2q∈C 对一切 a∈N,那么 R 是一个交换环。     

R3Co11B4中的磁作用

用两格点分子场理论分析了钴基合金R3Co11B4(R=Pr,Nd,Tb,Dy)的自发磁化随温度变化的关系,采用数值拟合的方法计算出了描述3种磁作用的分子场系数n(RR),n(RCo)和n(CoCo),得到了居里温度,给出了交换场强度随温度变化的曲线.     

ABO_3(A=R_(1-x)M_x;B=Mn)型锰氧化物材料中的磁卡效应

一些锰氧化物具有独特的物理结构以及大的磁卡效应和较宽的磁制冷温区(80-375K),有望成为优秀的制冷工质.从理论和实验两个方面概述了ABO_3(A=R1-xMx;B=Mn)型锰氧化物材料中的磁卡效应,并介绍了典型的ABO_3型锰氧化物磁制冷材料的研究结果.     

关于矩阵方程X~m-AXA=B

令M_n表示n n复矩阵的集合,P_n表示M_n中正定矩阵的全体,在本文中,我们考虑矩阵方程X~m—A~*XA=B(A∈M_n,B∈P_n,m≥1的整数)在P_n中解的存在性及解的构造。     

格序群上矩阵方程A。X=B的解

在[1]、[2]、[3]中分别给出了完备的Browwer格上、每个元都有有限的并既约分解的格上以及一般分配格上的矩阵方程AX=B(即:(a_(ji)∧x_i)=b_j,j=1,2,…,m)的全部解的求法,和有解的条件.本文对格序群(G, ,∨,∧)上的矩阵方程A·X=B(即a_(ji)∧x_i a_(jz)∧x_2 … a_(jn)∧x_n=b_j,j=1,2,…,m)以及A*X=B.(即:a_(j1)∨x-1 a_j2∨x_2 … a_(jn)∨x_n=b_j,j=1,2,…,m)分别给出了其有解的条件、解集的构造,以及求解的一个常规方法.     

类锗烯H_2GeLiCl与RH(R=Cl,SH,PH_2)的插入反应

应用DFT B3LYP和QCISD方法研究类锗烯H2GeLiCl与RH(R=Cl,SH,PH2)的插入反应.在B3LYP/6-311+G(d,p)水平上优化反应势能面上所有驻点的构型,并用QCISD/6-311++G(d,p)方法计算单点能,并考察溶剂化效应对反应的影响.结果表明,类锗烯H2GeLiCl与RH(R=Cl,SH,PH2)插入反应势能面上存在1个过渡态(TS)和1个中间体(IM)连接反应物和产物.气相条件下,3个插入反应的势垒分别为93.47(R=Cl),133.32(R=SH)和212.25(R=PH2)kJ/mol,表明相同条件下发生插入反应时,反应活性由大到小的物质为H-Cl,H-SH,H-PH2;溶剂极性越大,插入反应越容易进行.     

MnSalen(O)(Cl)氧化CH2=CHR(R=H,Me,Ph)环氧化反应的理论研究——取代基R对活化吉布斯自由能的影响

使用B3LYP方法研究了三线态Salen-Mn(V)氧化物1催化氧化烯烃CH2=CHR(R=H,Me,Ph)的环氧化反应中不同取代基对反应势垒的影响.优化得到了相关反应物、中间体、过渡态和环氧化产物即环氧烷烃和Salen-Mn(Ⅲ)复合物的结构.计算了三线态各驻点上吉布斯自由能值.研究结果显示,所有反应均为放热反应,反应势垒都很小,说明这些反应在室温下都很容易发生;当R=Me时,反应的活化吉布斯自由能最低,当R=H时,反应的活化吉布斯自由能最高.     

铍氯类锗烯H_2GeClBeCl与RH(R=OH,NH_2,CH_3)的插入反应

用DFT B3LYP和QCISD方法研究了铍氯类锗烯H2GeClBeCl与RH(R=OH,NH2,CH3)的插入反应.在B3LYP/6-311+G(d,p)水平上优化了反应过程中所有驻点的构型并用QCISD/6-311+G(d,p)方法计算了单点能量,并考察了溶剂化效应对反应的影响.结果表明,在插入反应势能面上有一个过渡态(TS)和一个中间体(IM)连接反应物和产物.计算的反应势垒分别为177.62(R=OH),186.30(R=NH2),214.90(R=CH3)kJ/mol,表明在相同反应条件下,反应活性大小为H-OH,H-NH2,H-CH3,随着溶剂极性的增大,反应越来越容易进行.     

Fuzzy矩阵方程X·A=X·B的求解

给出Fuzzy矩阵方程X·(aij)m×2=(c,c)1×2最大解的一种解法,利用这种解法很容易得到Fuzzy矩阵方程X·A=X·B满足特定条件时的最大解.讨论了Fuzzy矩阵方程X·A=X·B的极小解,并通过实例说明了求解过程.     

主理想环上矩阵方程AX=B的对称解

研究了主理想环R上的矩阵方程AX=B存在对称解的条件及解的结构,推出了其在R上有对称解的充分必要条件是它在R上有解且矩阵AB^T对称.并在矩阵方程AX=B存在对称解的条件下,给出了其通解的构造方法.     

关于线性运算A相对于B的谱

§1.所谓一运算于A的谱是指(λI—A)~(-1)不是线性运算的λ的集合,(λ一般是复数)而A是由巴那赫空间E→E的运算,我们讨论一下更一般的谱,即(A—λB)x=0,有非零的解时,称X为A相对于B的特微向量,若A—λB有线性逆运算,则称λ为正则值。反之A—λB的线性逆运算不存在时,λ叫谱点。 定理I.λ为A相对于B的正则值的充要条件是存在一正数C>0,使对一切x∈E,使     

Fuzzy关系方程A·X·B=C的解法

FuZzy区间方程A。X=B的解法设AOX二B,其中A二(“;;)。、,,b,、是已知区间,xi、是未知区间,X二(xs、):义。,B=(b、*)。义、分别是矩阵,a‘,是已知数,它们的元素均取值于I=〔。,1〕。B的具体形式是〔a::,吞,,〕……〔aJ,,夕,;〕、二(b、:)、义,=〔a。.:,召。;〕……〔a二”,夕。: