NS自由基B＇^2∑＋和B^2П电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下，采用SF6和N2混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基．在35700～40200cm^-1能量范围内，利用共振增强多光子电离（REMPI）技术得到同位素分子N^32S和N^34S的（1＋1）REMPI光谱．通过对所有观察到的16个振动谱带的归属，确定其中12个谱带为N^32S自由基基态X^2П向上电子态B＇2∑^＋跃迁的（v’=0-4，v″=0），（v＇=1-4，v″=1）和（v＇=2-4，v″=2）3个谱带序列，另外4个谱带为基态X^2П向上电子态B^2П跃迁的（9，0），（10，0），（11，0），（12，0）谱带．通过对所获谱带的转动分析，获得基态X^2П和上电子态B＇2∑^＋态的较为完整的光谱常数．并对同位素分子N^34S的跃迁谱带进行了转动分析，得到了上下态的转动常数．     

Nd~(3 )∶GdAl_3(BO_3)_4晶体的光谱性质和强度参数

报道了NdxGd1-xAl3 (BO3 ) 4(简称为NGAB)晶体的光学性质 .测量了NGAB晶体的折射率 ,室温吸收谱及室温荧光谱 .根据J_O理论计算了NGAB晶体的振子强度 ,拟合参数Ωλ(λ =2 ,4,6 )分别为 :Ω2 =1 80 5× 1 0 -2 0 ,Ω4=1 81 5× 1 0 -2 0 ,Ω6=3 793× 1 0 -2 0 (RMS =1 4× 1 0 -7) .计算了NGAB晶体的光谱参数 ,其中τtot=377.5 2 6 μs,βc( 4 F3 / 2 →4F11/ 2 ) =0 5 2 3.     

新型差分速度调制激光光谱技术

报道新型差分速度调制激光光谱技术的实验研究工作。利用这种新型差分速度调制激光光谱技术，测量了Ｎ２＾＋Ａ＾２Πｕ－Ｘ＾２Σｇ＾＋（２，０）带的跃迁谱线，得到的谱线信噪比超过５００：１，较非差分速度调制光谱技术提高６０倍左右。利用这套光谱仪，观测到了ＣＳ＾＋Ａ＾２Π３／２－Ｘ＾２Σ＾＋（１，０）带的高分辨电子吸收光谱，表明这种激光光谱技术在探测分子离子方面有着广阔的应用前景。     

C120O2 , C120OS和C120S2的电子结构及红外光谱

采用PM3半经验分子轨道法，在几何构型全优化的基础上考察了C120XY（X，Y＝O，S）分子和部分离子的稳定性，电子结构和红外光谱，计算结果表明，除了C120O2－和三重态C120O2离子外，在五元外中平均引入一个双键，体系能量增加约30－42kJ/mol，计算还发现，中性分子和其相应离子几何构型相差不大，如键长变化小于0．001nm，还有，从氧化物到硫化物前线轨道能级变化很小，C120O2^2-和C120OS^2-的两种异构体的三重态离子均比其单重态离子更为稳定，这意味着两种离子遵从Hund规则，振动分析的结果表明C120O2和C120OS分子的红外图谱与实验结果相符，三重态C120 O2^2-离子的谱图与中性分子的相比较，吸收峰位置变化很小，但是振动强度明显增加。     

红细胞分化相关基因EDRF6抑制K562细胞中α—珠蛋白基因的表达

EDRF2是一个红细胞分化相关因子，它在分化后的K562细胞中被诱导表达。Northern blot结果显示。EDRF2全长mRNA约500bp。利用RACE技术，成功扩增了EDRF2 mRNA完整的5‘－和3‘－末端。EDRF2正义和反义cDNA在K562细胞中稳定表达。Northern blot分析表明，EDRF2能抑制α－珠蛋白基因的表达，而对γ－珠蛋白基因的表达没有明显的调节作用。凝胶阻滞电泳的结果显示，EDRF2对GATA－1，NF－E2和APl(c-Jun/c-Fos)等转录因子的DNA结合活性没有明显的调控作用。GATA－1的负调控因子PU。1表达被EDRF2上调，提示EDRF2很可能是红细胞分化的负调控转录因子，与PU．1协同作用，下调α－珠蛋白基因在K562细胞中的表达。     

Nd3+∶GdAl3(BO3)4晶体的光谱性质和强度参数

报道了Nd_xGd1-_xAl₃ (BO₃ )₄(简称为NGAB)晶体的光学性质 .测量了NGAB晶体的折射率 ,室温吸收谱及室温荧光谱 .根据J-O理论计算了NGAB晶体的振子强度 ,拟合参数Ωλ(λ =2 ,4,6 )分别为 :Ω2 =1 80 5× 1 0 ^-20 ,Ω4=1 81 5× 1 0 ^-20 ,Ω6=3 793× 1 0 ^-20 (RMS =1 4× 10^-7) .计算了NGAB晶体的光谱参数 ,其中τ_tot=377.5 2 6 μs,β_c(⁴F_3/2 →⁴F_{11/ 2} ) =0.523.     

大别山黄镇榴辉岩锆石的微区微量元素分析:榴辉岩相变质锆石的微量元素特征

对大别山黄镇朱家冲榴辉岩锆石进行了阴极发光显微结构分析，确定出核部原岩岩浆锆石和边部的变质增生锆石。在此基础上利用激光探针等离子体质谱对不同区域进行了微量元素测定。结果表明原岩锆石和变质增生锆石具有不同的微量元素组成。原岩锆石的微量元素含量高且变化范围大；变质锆石的重稀土元素含量低（132．2－197．6μg/g），重稀土的分异程度小（Yb/Gd)CN=8.6-11.9)，说明变质锆石与富集重稀土的石榴石平衡结晶，边部锆石的Nb,Ta含量为Nb/Ta值分别为0．5－1．4μg/g，0．7－1．5μg/g和0．3－1．3，明显低于核部(Nb和Ta的含量分别为3．8－19．7和2．7－12．1μg/g，Nb/Ta值为1．0－4．6）。这一结果证明边部的变质锆石Nb,Ta特征是与榴辉岩中的峰期变质矿物金红石平衡结晶的结果。锆石的稀土元素配分配模式和Nb,Ta等微量元素特征表明，边部的变质锆石形成于榴辉岩相变质作用期间，因此， 锆石的微量元素可以为锆石的形成环境提供新的制约。     

NS自由基B'2∑+和B2∏电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下,采用SF6和N2混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基.在35700～40200cm-1能量范围内,利用共振增强多光子电离(REMPI)技术得到同位素分子N32S和N34S的(1+1)REMPI光谱.通过对所有观察到的16个振动谱带的归属,确定其中12个谱带为N32S自由基基态X2∏向上电子态B'2∑+跃迁的(v'=0～4,v"=0),(v'=1～4,v"=1)和(v'=2～4,v"=2)3个谱带序列,另外4个谱带为基态X2∏向上电子态B2∏跃迁的(9,0),(10,0),(11,0),(12,0)谱带.通过对所获谱带的转动分析,获得基态X2∏和上电子态B'2∑+态的较为完整的光谱常数.并对同位素分子N34S的跃迁谱带进行了转动分析,得到了上下态的转动常数.     

NS自由基B′2Σ＋和B2Π电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下, 采用SF₆和N₂混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基. 在35700～40200 cm-1能量范围内, 利用共振增强多光子电离(REMPI)技术得到同位素分子N³²S 和N³⁴S的(1+1)REMPI光谱. 通过对所有观察到的16个振动谱带的归属, 确定其中12个谱带为N³²S自由基基态X2Π向上电子态B′²Σ^＋跃迁的(v′ = 0~4, v″ = 0), (v′ = 1~4, v″ = 1)和(v′ = 2~4, v″ = 2) 3个谱带序列, 另外4个谱带为基态X²Π向上电子态B²Π跃迁的(9, 0), (10, 0), (11, 0), (12, 0)谱带. 通过对所获谱带的转动分析, 获得基态X²Π和上电子态B′²Σ⁺态的较为完整的光谱常数. 并对同位素分子N³⁴S的跃迁谱带进行了转动分析, 得到了上下态的转动常数.     

太平洋中部锰结核及洋底软泥中发现低成熟烃类

对太平洋中部洋底锰结核及洋底软泥中氯仿抽提物的色谱－质谱分析发现，其．烃类生物标志化合物大多具低成熟特征（个别达到成熟烃特点）：“A”／C高达11．4－19．75；碳数奇偶优势指数（CPI）值为1．22－1．23；藿烷C31－22S（22S＋22R）值为0．59－0．60，Tm/Ts值为0．99－1．19；βα莫烷／（αβ βα）藿烷值为0．12－0．14；C29甾烷20S／（20S＋20R）值为0．35－0．41；ββ/（ββ αα）值为0．38－0．45；芳烃TA（Ⅰ）/TA（Ⅰ Ⅱ）值为0．16－0．21；甲基菲指数MPⅡ为0．35－0．67。根据样品采集区 的地质环境条件，结合其有机地球化学特征，可能是洋底热液活动促使洋底沉积物中有机质发生了热降解，导致了洋底成烃作用，并运移或渗透到锰结核及浅部软泥中，这一现象的揭示对于认识大洋底部环境中油气生成机理和拓展海洋油气勘探思路具有一定的启动意义。     

(HAlNH)n(n = 1~15)团簇的结构与稳定性

用密度泛函理论（DFT）的B3LYP／6－31G方法，对（HAINH）的低聚物（HAINH）n(n=1-15)团簇的几何构型、电子结构、振动光谱和化学热力学性质进行了研究，得到了它们的基态结构，比较了（HAINH）n团簇骨架和（AIN）n团簇的差异。结果表明，（HAINH）n团簇骨架是由AI－N键形成的四元环和六元环构成的。每一个AI或N原子形成4个化学键，其中3个为AI－N键，1个为AI－H或N－H键。（HAINH）n(n=1-15)团簇中AI－N键的数目与对应的（AIN）n团簇相等。（HAINH）n(n=1-15)团簇结构的稳定性幻数序列为：n=2,4,6,8,10,12,14等偶数。     

a-Si/SiO2超晶格结构的非线性光学性质

用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格。利用ＴＥＭ和Ｘ射线衍射技术对其结构进行了分析，并采用多种光谱测量手段，如Ｒａｍａｎ光谱、吸收光谱和光致发光谱，对该结构的光学性质进行了研究。结果表明，随纳米Ｓｉ层厚度的减小，Ｒａｍａｎ峰发生展宽，吸收边以及光荧光峰发生蓝移。用单光束Ｚ扫描技术研究了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构的非线性光学性质。这一结果较多孔硅的相应值大两个量级。还对影响非线     

部分纯化的猪心线粒体F0的二维结晶及电子晶体学

用盐酸胍除去猪心亚线粒体F0F1－ATP合酶的亲水部分F1，经两性去污剂CHAPS从内膜增溶高度疏水性的跨膜部分，既质子通道F0，得到部分纯化的F0。用透析法将纯化的F0与大豆磷脂重组获得了二维晶体，衍射能力达2nm，负染Ｆ0晶体的二维投影结果表明，该晶体为P4212平面群，每个晶胞由4个F0分子组成，晶胞参数：a=b=14.4nm。     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu 等 .S空位是双施主能级 ,V1 S 和V2 S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu 能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 .     

天然低温久辉铜矿(Cu1.93S)中的畴结构及缺位结构

利用高分辨透射电子显微镜技术得到天然低温久辉铜矿的畴结构及缺位结构图像，东乡久辉铜矿[100]高分辨晶格像显示：（1）天然低温的久辉铜矿中存在久辉铜矿与蓝辉铜矿纳米级交生的畴结构，虽然两者之间存在六方辉铜矿状结构过渡带，但它们仍然遵循（100）久辉（111）蓝辉的结晶学取向关系；（2）天然低温久辉铜矿中存在1．56％－3．12％的Cu原子缺位，在久辉铜矿的单位晶胞中平均每b0/2的宽度就会存在1－2个Cu原子的缺位，这一缺位率与其成分Cu1.93-1.97S相吻合。     

硅藻土表面羟基的1H魔角旋转核磁共振谱

采用高转速的^1H魔角旋转核磁共振技术，成功分辨了硅藻土表面不同类型的羟基：孤立羟基、氢键缔合羟基，以及表面吸附的孔隙水和氢键结合水。其质子的化学位移（δ）分别约为2．0，6．0－7．1，4．9和3．0。随热处理温度逐渐升高，孔隙水、氢键结合水先后脱附，导致代表孤立羟基质子、氢键缔合羟基质子的谱峰的相对强度增加，1000℃时达到最大。1100℃时，强氢键缔合羟基、孤立羟基基本缩合，弱氢键缔合羟基则仍有部分保留于微孔之中。     

距今3 ka来京东地区的古温度变化: 石笋Mg/Sr记录

通过分析石笋和其上方滴水中的Mg/Ca与Sr/Ca比值，并用Sr含量来校正Mg在初始溶液中的变化，获得Mg的固液相分配系数DMg/Ca，它与Mg/Sr比值呈线性正比，即Mg/Sr比值代表DMg/Ca值，亦即反映碳酸盐沉积时的温度变化。采自北京平谷大溶洞石笋ZFFS－1的Mg/Sr记录表明，距今3ka来京东地区的古温度变化可分为两大时期：3－2kaBP为凉湿气候，平均气温约为9．8℃；2kaBP至现今，气候以热干为特征，气温比3ka的平均值（11．7℃）升高约1℃。其中在0．5－0．2kaBP，气温比现今低约1．2℃，可能是欧洲小冰期在研究区的响应。自大约0．2kaBP开始，Mg/Sr比值与δ^18O和δ^13C同向正偏，表明气温逐渐回升，这种格局一直持续到现今。     

用导数光声光谱技术测量人血特征吸收峰

用一种新的高灵敏度的导数光声光谱技术对健康人、妊高征病人、白血病病人各3例的血液以及40例鼻咽癌病人血液进行吸收光谱测试，获得不同血液的一阶导数和二阶导数光声谱。结果：(1)导数光声光谱技术比普通光声吸收光谱技术具有更高的检测灵敏度，一些用普通光声吸收谱不能确定的弱吸收峰或肩峰，用一阶和二阶导数光声谱可以测量出来；(2)许多人的血液的光声谱在637和664nm附近有吸收峰，目前尚未见到报道。结论：用导数光声光谱技术可以检测出普通光声吸收光谱技术难以发现的人血中的弱吸收峰，为生物医学研究提供一种新的分析和诊断方法。     

低于20nm的SⅩ～SⅩⅥ光谱研究

在兰州重离子加速器上采用束－箔光谱技术测量了ＳⅩ－ＳⅩⅥ激光发光谱,经分析研究,辨认出３０多条光谱线。这些谱线与理论及现有的一些实验结果相符合。     

芴与二噻基苯并噻二唑共聚物的电致发光和光致发光研究

使用自己实验室合成的9，9－二辛基芴与4，7－二噻基苯并噻二唑系列共聚物（1％ DBT，5％，DBT，10％，DBT，15％DBT，25％DBT），采用双层结构制备了高效率和红色聚合物发光二极管（PLEDs)，器件的外量子效率接近1．4％（15％DBT共聚物），流明效率超过1．0cd/A，最大发光亮度达到3700cd/m^2，电致发光发射光谱峰值位于675nm