NS自由基B′2Σ＋和B2Π电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下, 采用SF₆和N₂混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基. 在35700～40200 cm-1能量范围内, 利用共振增强多光子电离(REMPI)技术得到同位素分子N³²S 和N³⁴S的(1+1)REMPI光谱. 通过对所有观察到的16个振动谱带的归属, 确定其中12个谱带为N³²S自由基基态X2Π向上电子态B′²Σ^＋跃迁的(v′ = 0~4, v″ = 0), (v′ = 1~4, v″ = 1)和(v′ = 2~4, v″ = 2) 3个谱带序列, 另外4个谱带为基态X²Π向上电子态B²Π跃迁的(9, 0), (10, 0), (11, 0), (12, 0)谱带. 通过对所获谱带的转动分析, 获得基态X²Π和上电子态B′²Σ⁺态的较为完整的光谱常数. 并对同位素分子N³⁴S的跃迁谱带进行了转动分析, 得到了上下态的转动常数.     

NS自由基B＇^2∑＋和B^2П电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下，采用SF6和N2混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基．在35700～40200cm^-1能量范围内，利用共振增强多光子电离（REMPI）技术得到同位素分子N^32S和N^34S的（1＋1）REMPI光谱．通过对所有观察到的16个振动谱带的归属，确定其中12个谱带为N^32S自由基基态X^2П向上电子态B＇2∑^＋跃迁的（v’=0-4，v″=0），（v＇=1-4，v″=1）和（v＇=2-4，v″=2）3个谱带序列，另外4个谱带为基态X^2П向上电子态B^2П跃迁的（9，0），（10，0），（11，0），（12，0）谱带．通过对所获谱带的转动分析，获得基态X^2П和上电子态B＇2∑^＋态的较为完整的光谱常数．并对同位素分子N^34S的跃迁谱带进行了转动分析，得到了上下态的转动常数．     

NS自由基B'2∑+和B2∏电子态共振增强多光子电离光谱

在超声射流条件下,采用SF6和N2混合气脉冲直流放电的方法产生NS自由基.在35700～40200cm-1能量范围内,利用共振增强多光子电离(REMPI)技术得到同位素分子N32S和N34S的(1+1)REMPI光谱.通过对所有观察到的16个振动谱带的归属,确定其中12个谱带为N32S自由基基态X2∏向上电子态B'2∑+跃迁的(v'=0～4,v"=0),(v'=1～4,v"=1)和(v'=2～4,v"=2)3个谱带序列,另外4个谱带为基态X2∏向上电子态B2∏跃迁的(9,0),(10,0),(11,0),(12,0)谱带.通过对所获谱带的转动分析,获得基态X2∏和上电子态B'2∑+态的较为完整的光谱常数.并对同位素分子N34S的跃迁谱带进行了转动分析,得到了上下态的转动常数.