混合应变量子阱半导体光放大器噪声特性研究

研究了直接耦合混合应变量子阱ＳＯＡ的噪声特性，实验测定了ＳＯＡ在１３０ｍＡ偏塌流下的噪声指数为７．７ｄＢ，表明应变量子阱结构改善了ＳＯＡ的噪声性能。理论分析指出，通过消除ＳＯＡ的剩余反射，其噪声性能可以得到进一步的改善。     

利用K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的能带

利用Ｋ·Ｐ方法计算了阱宽１０．０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱在１％压缩应变、无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度．结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在１３．５～１３．２３ｍｅＶ能量范围之内子带较少，而在１３．３２～－３８ｍｅＶ能量内，具有比无应变时较低的的态密度．从能带角度考虑，在伸张应变时，利用增大阱宽可以改善器件性能     

应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD

利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响,并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时,Ｐ型和Ｎ型的杂质浓度和ＰＮ结控制的条件,得出在０．５％压缩条件下有源区阱层ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＰ的应变量子阱激光器（ＬＤ）．当激光器实现室温脉冲激射时,可获得峰值功率＞１０６ｍＷ、阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２的应变量子阱激光器     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

Ga_（1－x）In_xAs／GaInAsP／InP张应变层量子阱的增益特性

在运用变形计算法计算了Ｇａ１－ｘＩｎｘＡｓ／ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阱子能带结构的基础上，综合考虑了子能带耦合效应对价带子能带与跃迁矩阵元的作用及状态密度对增益线宽的影响，首次从理论上发现张应变量子阱中的ＴＭ模具有比压应变或无应变量子阱中的主模式ＴＥ模更为优异的增益特性。即增益系数更大，微分增益更高，线宽更窄。     

单轴应力下应变量子阱结构的共振隧穿特性

研究了应变对量子阱结构的遂穿电流的影响，考虑应变对介电常数、有效质量，晶格常量等物理量的影响，由变分法计算了AIGaAs／GaAS应变量子阱的隧穿系数随外加应变变化．计算结果表明，应变对量子阱结构的隧穿系数有着极为重要的影响，根据这些变化，可以选取检测的敏感点．     

电场下应变层量子阱AlN／GaN（001）的子带结构

采用有效质量理论６带模型，研究了电场下应变层量子阱ＡｌＮ／ＧａＮ（００１）的价带子能带结构．具体计算了价带子能级的色散曲线，分析了电场和应变效应对子能带的影响．还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级．     

燃烧法快速合成铝酸锶：铕及其发光性能

利用燃烧法在较低温度下按化学计量快速合成发光材料ｎＳｒＯ．７Ａｌ２Ｏ３：Ｅｕ＾２＋。讨论了Ｓｒ＾２＋含量，助熔剂浓度及磷含量对磷兴体发光性能的影响，并测定了４ＳｒＯ．７Ａｌ２Ｏ３：Ｅｕ＾２＋的发射光谱，激发光谱，Ｘ－射线衍射光谱，粒度分布及比表面积。     

InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备

针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．     

InGaAs／GaAs应变单量子阱的表面光伏谱

采用表面光伏谱方法,测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认,分析了量子阱内子能级间的跃迁能量、强度及跃迁峰半宽随温度的变化关系     

基于SOA的有源光开关技术的研究

研究了ＳＯＡ 有源光开关原理与光开关矩阵的基本构成,给出了相关的主要性能参数,包括开关速度、消光比、噪声指数、动态范围以及开关增益等,实际制备了一个有源光开关基本单元矩阵,并给出初步实验结果     

有源光开关交换矩阵中的SOA门性能分析

阐述了基于半导体光放大器（ＳＯＡ） 的有源光开关独特的优点．对ＳＯＡ 作为开关中的选通门的四个性能参数即开关速度、消光比、噪声指数和动态范围作了分析,指出了改善各性能参数的途径．     

低偏振相关的半导体光放大器

分析了半导体光放大器的偏振特性,研制成功一种具有低偏振相关增益的半导体光放大器,该器件采用张应变与压应变混合量子阱结构,在有源层解理面上镀制超低剩余反射率减反膜以消除谐振腔效应并抑制自身受激辐射,使入射光信号在经过有源层时获得单程增益,形成行波放大．     

拉曼光纤放大器噪声特性分析

分析了N信道密集波分复用系统采用拉曼光纤放大器时信道的噪声特性.利用非线性耦合波理论方程,推导出了噪声指数的表达式.应用数值分析法,得到了噪声指数与光纤长度、泵浦功率等的关系,并引入了噪声指数的极值.结果表明,光纤和信号功率一定时,噪声指数主要受光纤长度和泵浦光功率的影响,适当改变泵浦光功率对改善噪声性能有积极意义.     

增益锁定掺铒光纤环形激光放大器的低噪声特性

为了得到噪声性能优良的增益锁定掺铒光纤放大器，提出利用掺铒光纤放大器噪声指数曲线在浅饱和区有一凹陷的特性以及强激光功率对放大的自发辐射的抑制作用，可以改善增益锁定放大器的噪声特性，并在以反馈环路实现增益锁定的掺铒光纤放大器光路结构上实验研究了不同反馈深度对放大器的噪声特性的影响，结果表明在正向泵浦放大光路中引入同向选频激射，通过适当选择反馈深度即放大器的工作点，可以在获得足够宽的输入信号动态范围的同时获得比反馈锁定前更低的噪声指数。     

交叉增益调制的全光波长转换的噪声特性分析

对基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换的输出噪声特性作了理论分析,获得了反映注入光参数对转换的信号噪声特性影响的解析表达式,通过数学计算表明,大的泵浦光功率、小的探测光功率以及合适的波长转换间隔,有利于改善转换信号的噪声特性．     

基于改进Wigner-Hough变换的多分量LFM信号特征提取

为了解决Wigner-Hough变换对多分量线性调频(LFM)信号特征提取受噪声困扰的问题,提出采用数字图像处理中改进的Sobel算子对含噪声信号的WVD时频图进行边缘特征检测,利用Hough变换对信号特征进行提取.通过对WHT,SPWD-Hough变换以及改进WHT 3种方法进行计算机仿真比较结果表明,改进的WHT对多分量LFM信号的特征提取效果最好.     

量子三元Werner态的抗噪声干扰特性

文献(XIE C M,LIU Y M,LI G F,et al.A note on quantum correlations in Werner states under two collective noises[J].Quantum Inf Process,2014,13:2713-2718)研究了移相噪声和旋转噪声对量子二元Werner态量子关联的影响,发现这两种噪声作用下量子二元Werner态量子关联守恒.该文研究这两种噪声(移相噪声和旋转噪声)对量子三元Werner态量子关联的影响,结果显示这两种噪声不改变量子三元Werner态中的量子关联,换句话说,量子三元Werner态具有抵抗这两种噪声的特性.