| 应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD |
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| 引用本文： | 刘宝林,黄钟英.应用LP—MOCVD方法研制InGaAs／InP应变量子阱LD[J].厦门大学学报(自然科学版),1998,37(6):857-860. |
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| 作者姓名： | 刘宝林 黄钟英 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系 |
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| 摘 要： | 利用低压－金属有机化合物蒸汽沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）的方法研究在生长过程中温度和时间对ＰＮ结结位的影响，并用它来控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ－ｎ结结位．探讨在ＩｎＰ材料中使用ＤＥＺｎ和Ｈ２Ｓ做掺杂源时，Ｐ型和Ｎ型的杂质浓度和ＰＮ结控制的条件，得出在０．５％压缩条件下有源区阱层ＩｎＧａＡｓ和ＩｎＰ的应变量子阱激光器（ＬＤ）．当激光器实现室温脉冲激射时，可获得峰值功率＞１０６ｍＷ、阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２的应变量子阱激光器
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| 关 键 词： | LP－MOCVD，应变，量子阱，激光器件 |
InGaAs/InP Strained Quantum Well LD Made by LP MOCVD |
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| Liu Baolin,Huang Zhongying.InGaAs/InP Strained Quantum Well LD Made by LP MOCVD[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1998,37(6):857-860. |
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| Authors: | Liu Baolin Huang Zhongying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LP MOCVD Strained Quantum well LD |
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