电子密度差拓扑及作用力分析

Ａ－Ｂ分子的密度差Δρ（ｒ）定义分子的密度ρ（ｒ）与原子Ａ，Ｂ的密度和ρ（Ａ（ｒ）＋ρ（Ｂ（ｒ）之差，本文研究了电子密度差的拓扑特性，并定义电子密度流来表示在原子核移动过程中电子密度流的方向和大小。     

一类M对N格斗的射击策略的无差异性

记格斗双方为Ａ方与Ｂ方，Ａ方有Ｍ件同类型武器，Ｂ方有Ｎ伯同类型武器，双方武器种类可以不同。设Ａ（Ｂ）方－件武器的射击时间间隔ＸＡ（ＸＢ）服从参数为ｒＡ（ｒＢ）的指数分布，ＮＡ（ｔ）（ＮＢ（ｔ））为Ａ（Ｂ）方一件武器在时间「０，ｔ）」内的射射次为射击次数，则ＮＡ（ｔ），（ＮＢ（ｔ）是参数的为ｒＡ（ｒＢ）的泊松随机过程。在此假设下，该文证明地任意的Ｍ：Ｎ格斗，任一方的射击策略的改变既不会增大孔雀地减少     

溴离子在铂电极上的电化学反应

用电位扫描和环盘电极等方法研究酸性介质中溴离子在铂电极上的多步氧化反应行为，证实在１．１Ｖ电位处发生的反应是：Ｂｒ－－ｅＢｒａｄ，（１）Ｂｒａｄ＋ＢｒａｄＢｒ２（ａｑ）．（２）在电位１．５Ｖ处发生的反应是：Ｂｒ２（ａｑ）Ｂｒａｄ＋Ｂｒａｄ，（２′）Ｂｒａｄ＋Ｈ２Ｏ－ｅ＝ＨＯＢｒ＋Ｈ＋．（３）其中反应（１）具有典型的可逆性．实验测得Ｂｒ－离子的扩散系数为１．８×１０－５ｃｍ２·ｓ－１，反应（１）的标准速率常数为２．０×１０－３ｃｍ·ｓ－１．     

Hastelloyc-275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积 （０ ０ ２） 取向的 ＹＳＺ过渡层薄膜于ＮｉＣｒ 合金基底上;基底加温至７５０ ℃,用准分子脉冲激光沉积ＹＢＣＯ 高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ 上,并切割成线材．实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材不但为ｃ－轴取向的,同时为在ａ－ｂ 平面内织构的,其临界温度Ｔｃ≥９０ Ｋ（Ｒ＝ ０）,临界电流密度Ｊｃ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）．     

钌（Ⅲ）—KIO4（或KBrO3）—3,5—Br2—PADAP体系催化光度法测…

首次报道了硫酸介质中微量钌（Ⅲ）对ＫＩＯ４（或ＫＢｒＯ３）氧化２－（３，５－二溴－２－吡啶）－偶氮－５－二乙氨基苯酚（３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤＡＰ）褪色具有显著的催化使用，并以此反应为指示反应建立了测定微量钌的催化光度法，在Ｒｕ（Ⅲ）－ＫＩＯ４－３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤＡＰ体系中，钌（Ⅲ）含量在０．０８０～０．３００μｇ／１０．０ｍｌ范围内符合比耳定律，在Ｒｕ（Ⅲ）－ＫＢｒＯ３－３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤ     

Hastelloyc—275上激光沉积YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＾＋离子源辅助准分子脉冲激光沉积取向的ＹＳＺ过渡层薄腊地ＮｉＣｒ合金基底上；基底加温至７５０℃，用分子脉冲激光高温超导薄膜于ＹＳＺ／ＮｉＣｒ上，并切割一材，实验结果表明：ＹＢＣＯ超导线材不但为ｃ－轴取向的，同时为在ａ－ｂ平面内织构的，其临界温度Ｔｃ≥９０Ｋ，临界电流密度Ｊｃ≥１×１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ）。     

垃圾填埋场渗沥液厌氧处理的研究

研究了两相厌氧消化系统和单相的上流式厌氧污泥床──生物滤床组合型系统（ＵＢＦ）在不同条件下处理垃圾填埋场渗沥液的运行特性，结果表明，两相厌氧消化用于处理本研究用的废水没有显著效果．采用单相ＵＢＦ系统，当温度为３５℃，水力停留时间为１２ｈ，ＣＯＤＣｒ容积负荷率为每天每立方米１０ｋｇ，每天每千克ＶＳＳ的ＣＯＤＣｒ污泥负荷率为０．５３ｋｇ时，ＣＯＤＣｒ去除率平均为的９４％，产气量４．７７Ｌ·Ｌ－１·ｄ－１．其中甲烷含量为７５．８％．     

碱卤晶格中V^2＋—X^—（X=Cl,Br）的键长

用吸收光谱实验数据和ｄ轨道理论确定了Ｖ＾２＋：ＮａＣｌ和Ｖ＾２＋：ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长，结果表明，ＮａＣｌ和ＮａＢｒ中的Ｖ＾２＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）键长明显小于未掺杂晶格中的Ｎａ＾＋－Ｃｌ＾－（Ｂｒ＾－）离子距离，本文所用的方法不失为一种简单可靠的有效方法。     

Cs_2NaYX_6（X＝Cl，Br）中Cr~（3＋）的d－d电子光谱和EPRg因子的研究

用双自旋－轨道耦合模型研究了Ｃｓ＿２ＮａＹＸ＿６（Ｘ＝Ｃｌ，Ｂｒ）：Ｃｒ￣３＋的ＥＰＲｇ因子。计算表明，配体Ｂｒ４ｐ轨道对络离子（ＣｒＢｒ＿６）￣３－ＰＲｇ因子的贡献不应忽略。解释了Ｃｓ＿２ＮａＹＢｒ＿６：Ｃｒ￣３＋的ｇ因子移动为正值的疑惑。     

Cr（Ⅲ），Nd（Ⅲ）与铬天青B配合显色反应的研究

分别研究了Ｃｒ（Ⅲ）及Ｎｄ（Ⅲ）与铬天青Ｂ在酸性媒介染料染色条件下的配合情况．采用最大摩尔比法和连续变化法分别测定了Ｃｒ（Ⅲ）及Ｎｄ（Ⅲ）与铬天青Ｂ的配合比．利用分光光度法首次验证了以铬天青Ｂ为配位体条件下，Ｃｒ（Ⅲ）对Ｎｄ（Ⅲ）的配合置换     

五次(0,3)类缺插值样条的局部渐近性质

本文讨论［１］中所定义的五次（０，3）类缺插值样条Ｓｎ（ｘ），当ｆ∈ｃθ［０，１］时，的局部渐近性质。得到： 定理 设ｆ（ｘ）∈Cθ［０，１］，Sｎ（ｘ）是ｆ（ｘ）的五次（0，3）类（ｉ）型缺插值样条，＝Ⅰ，Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ，那么对于任意固定的ｘ∈（０，１），当 n→时有 Ｓｎ（ｘ）＝ｆ（ｘ）－［Ｂθ（ｕ）－１／４２］·ｆ（６）（ｘ）·ｈ６／６！＋ｏ（ｈ６）和 Ｓｎ（ｒ）（ｘ）＝＝ｆ（ｒ）（ｘ）－Ｂ６－ｒ（ｕ）ｆ（６）（ｘ）·ｈ６－ｒ／（６－ｒ）！＋ｏ（ｈ６－ｒ），ｒ＝１，２，３，４，5。其中Ｂ１（ｕ）是首项系数为１的ｊ次Ｂｅｒｎｏｕｌｌｉ多项式；u＝（ｘ－γｈ）ｉ　γ＝［ｎｘ］。     

数论函数中的R—空间的性质（Ⅱ）

本文证明了如果Ｔ是一个Ｒ－空间，ｆ是一个积性函数，ｆＴ，ｆ（ｎ＋Ｂ）－ｃｆ（ｎ）∈Ｔ［ｎ］，其中Ｂ为正整数，ｃ为复常数，那么必有ｃ＝±１，而且对于任何素数ｐ皆有非负整数αｐ使ｆ（ｐαｐ＋ｒ）（ｆ（ｐαｐ））ｒ－１＝（ｆ（ｐαｐ＋１））ｒ，ｒ＝２，３，…．进一步，如果ｃ＝１或ｐ≠２，则有ｐαｐ｜Ｂ，而当ｃ＝－１时２α２｜２Ｂ，推广了以前的结果     

带测度项的退缩椭圆方程弱解的正则性

研究了退缩椭圆方程弱解的正则性，这里μ是一非负Ｒａｄｏｎ测度，１＜ｐ＜＋∞。Ｂ（ｘ，ｕ，ｈ）满足自然增长条件。证明了：如果μ满足增长条件，对所有Ｒ￣Ｎ中的球Ｂ（ｘ，ｒ）有μ［Ｂ（ｘ，ｒ）］≤Ｃｒ￣（Ｎ－ｐ＋ε）．（ε＞０）．那么μ是局部Ｈｏｌｄｅｒ连续的。     

Mg—RE微合金化对Ni3Al（B）—Gr熔盐腐蚀及力学性能的影响

研究了Ｍｇ－ＲＥ复合微合金化的双相Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ基金属间化合物熔盐腐蚀和力学性能，发现Ｍｇ－ＲＥ复合微合金化能降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ在ＬｉＣｌ－ＫＣｌ熔盐中的阳极电流密度；同时能在不降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ屈服强度的条件下，提高延伸率近２０％。     

Mg—RE微合金化对Ni_3Al（B）－Gr熔盐腐蚀及力学性能的影响

研究了Ｍｇ－ＦＥ复合微合金化的双相Ｎｉ３ＡＬ（Ｂ）－Ｃｒ基金属间化合物熔盐腐蚀和力学性能，发现Ｍｇ－ＲＥ复合微合金化能降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ在ＬｉＣｌ－ＫＣｌ熔盐中的阳极电流密度；同时能在不降低Ｎｉ３Ａｌ（Ｂ）－Ｃｒ屈服强度的条件下，提高延伸率近２０％．     

钌(Ⅲ)-KIO_4(或KBrO_3)-3,5-Br_2-PADAP体系催化光度法测定微量钌

首次报道了硫酸介质中微量钌（Ⅲ）对ＫＩＯ４（或ＫＢｒＯ３）氧化２－［（３，５－二溴－２－吡啶）－偶氮－５－二乙氨基苯酚（３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤＡＰ）褪色具有显著的催化作用，并以此反应为指示反应建立了测定微量钌的催化光度法．在Ｒｕ（Ⅲ）－ＫＩＯ４－３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤＡＰ体系中，钌（Ⅲ）含量在０．０８０～０．３００μｇ／１０．０ｍｌ范围内符合比耳定律；在Ｒｕ（Ⅲ）－ＫＢｒＯ３－３，５－Ｂｒ２－ＰＡＤＡＰ体系中，钌（Ⅲ）含量在０．０５０～０．３０μｇ／１０．０ｍｌ范围内符合比耳定律．这两种方法具有灵敏度高、选择性好、操作简单等特点并已用于实际样品中微量钌的测定，结果令人满意．     

溴离子对银阳极溶出测定影响的研究

本文研究了Ｂｒ￣－离子对银阳极溶出的影响，在０．５ｍｏｌ／ＬＨＮＯ＿３底液中测定银时加入５×１０￣（－４）ｍｏｌ／ＬＢ离子，可以提高灵敏度１０倍以上。其原因是银溶出时生成的Ａｇ￣＋离子与加入的Ｂｒ￣－离子结合生成ＡｇＢｒ沉淀，随后又与过量的Ｂｒ￣－离子生成［ＡｇＢｒ＿２］￣－络合物，加快了溶出反应的进行。富集１０ｍｉｎ，可以测定２．５×１０￣（－９）ｍｏｌ／ＬＡｇ￣＋离子。     

关于唯一r－偶泛圈图

设ｒ是不小于４的偶数，一个阶为ｖ（ｖ为偶数）的偶图Ｇ称为唯一ｒ－偶泛圈图，如果对每一偶数ｔ（ｒ≤ｔ≤ｖ），Ｇ恰含一ｔ圈，而不含长小于ｒ的圈。若Ｇ是唯一ｒ－偶泛圈图，则称Ｇ为ｒ－ＵＢ图，设Ｇ是ｒ－ＵＢ图，Ｃ是Ｇ的Ｈａｍｉｌｔｏｎ圈，本文约定Ｇ中不在圈Ｃ上的边全画在Ｃ的内部，并称这些边为Ｇ的桥．如果Ｇ的一条桥的两个端点在圈Ｃ上分离另一条桥的两个端点，则称这两条桥是交叉的．有ｎ对交叉桥的ｒ－ＵＢ图称为ｒ－ＵＢ［ｎ］图．本文确定了所有ｒ－ＵＢ［１］图．     

烧结温度对PSBN铁电陶瓷介电性能的影响

用普通的电子陶瓷工艺制备了ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＢａＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＰＳＢＮ）系统民陶瓷，研究了ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系，ＸＲＤ分析表明：ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的主晶相是Ｐｂ０．７Ｂａ０．３Ｎｂ２Ｏ６（ＰＢＮ）、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５Ｎｂ２Ｏ６（ＳＢＮ）和Ｂａ０．２７Ｓｒ０．７５Ｎｂ２Ｏ５．７８（ＢＳＮ），将这一复杂的化学系统看作三元系固熔体，其中ＰＢＮ、ＳＢＮ和ＢＳＮ各相比例随烧结温     

硒硒硼氢化钠对芳基磺酰氯,芳基亚磺酸钠和芳基磺酸？…

三硒硼氢化钠（ＮａＢＨ２Ｓｅ３）是一种新型还原剂,其还原能力强于硼氢化钠（ＮａＢＨ４）在乙腈（ＣＨ３ＣＮ）溶液中,它可直接还原芳基磺酰氯（Ａｒ·ＳＯ２Ｃｌ）至相应的二硫化物（Ａｒ·ＳＳ·Ａｒ）产率比单独使用ＮａＢＨ４作还原剂的高。在二甲基酰胺（ＤＭＦ）溶剂中,也可将芳基亚磺酸钠Ａｒ·ＳＯ２Ｎａ）芳基磺酸酯（Ａｒ·ＳＯ３·Ａｒ′）直接还原为相应的二硫化物,而在同样的条件下,单独用ＮａＢＨ４却不能还原