霍尔效应实验浅探

霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要试验方法。通过研究，对不同样品的霍尔系数的测量方法以及数据误差分析等方面进行了探讨，提出了形状不规则以及材料不均匀的半导体的霍尔系数的测量方法。     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度

根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .     

一种新型的霍尔效应测试装置

采用Vanderpauw提出的测量霍尔效应的方法〔1,2〕,利用低温和变温技术进行霍尔分析,已经成为研究半导体微观结构的有效方法。1979年美国凯茨利(Keithley)公司已研制成功霍尔效应的全自动化装置。国内由于低温等条件的限制,这项工作开展较晚。因为该类型装置涉及低温、控温、测温、真空和电磁等多门技术,所以长期以来一直存在结构庞大繁杂,不易操作等问题,影响了应用研究的进展。我们研制成功的DH82型低温变温霍尔测试装置,较好地解决了这些问题。通过两年来的使用,证明了该装置具有结构合理、成本低,操作简便、测试精度高等优点,是一种简…     

发光二极管的禁带宽度和阈值电压、正常工作电压间关系的再研究

通过对发光二极管的阈值电压和正常工作电压的测量,比较由光波长估算的禁带宽度与阈值电压和正常工作电压,得出半导体发光材料的禁带宽度应在阈值电压和正常工作电压之间,且有的更接近正常工作电压的结论。     

光声光谱法测定磷砷化镓外延层固溶体组分

测定磷砷化镓(GaAs_(1-y)P_x)外延层固溶体组分参数常用的方法是通过测定其禁带宽度,然后利用其组分参数与禁带宽度的关系曲线或经验公式得到组分参数的数值.本文是利用被测样品的光声光谱图(见图1)确定与样品禁带宽度相对应的入射单色光波长九λ_(E(?)),再用公式     

用光学方法测量半导体禁带宽度的温度系数

本文提出了一种测量半导体禁带宽度温度系数的方法,推导出一个求dEg/dT的公式。利用这一公式,在室温附近测量计算了砷化镓单晶的禁带宽度温度系数,得到结果为-3.97×10~(-4)ev/k,这与人们公认的-3.95×10~(-4)ev/k极其接近,说明作为一种基本测量方法,是切实可行的。     

霍尔效应测量半导体特性参数中副效应的消除方法

简述了霍尔效应的基本原理,分析了利用霍尔效应测量半导体特性参数中影响结果的重要副效应,给出了减小或消除这些副效应的方法,并设计出测试电路。     

基于LabVIEW平台的霍尔效应测试系统设计

霍尔效应在半导体材料电学性能的检测中具有重要的应用。通过对材料的测试可以得到材料的载流子浓度、迁移率、导电类型等基本参数。为了满足本科实验教学课程中开设综合性实验的要求,针对霍尔效应测试仪测试样品种类受限的问题,在吉时利仪表和电磁铁硬件的基础上基于Lab VIEW平台设计了霍尔效应测试系统。实测结果表明所设计的霍尔效应测试系统可以满足低阻和高阻半导体材料的基本电学性能测试的要求,适应半导体材料的发展,丰富了综合实验的内容,提高了学生的综合能力和创新意识。     

ZnS结构类型的半导体化合物禁带宽度变化的规律

Pearson,Suchet,Manca等曾应用结构化学的参数讨论了本征半导体的禁带宽度的变化规律及其与物理化学性质的联系,这些研究工作都是很有意义的,在这些研究工作的启发下,本文作者试图以周期律为指导,探求具有ZnS结构类型的本征半导体化合物的禁带宽度变化的规律,并提出了一个依据化合物中元素在周期表中的位置计算其禁带宽度的经验公式,依此公式所得的计算值与实验值相当符合,但其物理意义则有待于深入探讨.     

圆壳式半导体器件管壳温度分布的数值解及其应用

本文给出圆壳式半导体器件管壳温度分布稳态数值计算模型、计算方法及计算程序,按国家标准进行温度试验得到器件管壳温度分布的计算结果。     

高效能半导体器件进展与展望

随着数字时代的不断发展,中国"3060碳战略"目标的确立,绿色低碳成为我国各行业发展主要导向,其中,高效能半导体器件发展应用成为推动汽车电子、电子信息、大数据中心等领域节能降耗的重要趋势.从硅、锗为代表的传统半导体材料到现在以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料,再到以金刚石、氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料,支撑半导体器件的性能不断提升,促进射频通信、高功率器件、照明器件等方面革新发展.主要介绍了宽禁带半导体和超宽禁带半导体的研究进展,分析了高效能半导体在射频通讯、汽车电子、航空航天、新型显示等新兴领域的应用前景,总结了目前超宽禁带半导体发展主要面临的难点问题,结合当前相关的研究成果,展望高效能半导体科研、技术及产业的发展趋势,对于我国半导体科技与产业发展都具有重要的指导意义.     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压V_BE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。     

定量解析TPR谱图的计算方法

本文从常用的气-固相还原反应速率模型出发,讨论了定量解析程序升温还原(FPR)谱图,求取还原动力学参数的若干方法.在均匀表面的假设下,采用已见报道及本文提出的方法对CuO-ZnO-Al_2O_3型低变催化剂的TPR谱图进行了解析,得到了相互印证的计算结果.并建立了由实验上易获取的参数估算还原活化能的经验公式.在非均匀表面的前提下,提出了解析了PR谱图的计算方法,并指出了均匀表面计算结果与非均匀表面计算结果之间的内在联系.     

BaCe0.75Y0.25O3-δ中温电解质的制备及单电池性能

采用溶胶-凝胶法制备掺Y³⁺的BaCeO₃电解质BaCe_0.75Y_0.25O_3-δ. 通过TG\|DTA和烧结曲线测试表明, 样品在1 080 ℃附近开始烧结; XRD谱分析表明, 空气中1 450 ℃烧结10 h的样品已成单相, 为正交钙钛矿结构; 单电池H₂(wet),Ag｜BCY1450｜Ag,Air(dry)测试结果表明, 基于BCY1450电解质的单电池在中温范围具有较高的开路电压.     

一类变形的McMullen集的维数及其应用

研究了平面上一类变形的Mc Mullen集R=∑∞k=1a00b-kxkyk,(xk,yk)R,其中整数a,b满足|a|≥|b|1或者|b|≥|a|1,有限整数点集R{(i,j),i=0,1,…,n-1,j=0,1,…,m-1},得到了这类自仿射集的Hausdorff维数和Box维数的计算公式.并且作为其应用给出了自仿射集R=∑∞k=1a bb a-kxkyk,(xk,yk)R相应的Hausdorff维数和Box维数,其中整数a,b满足|a-b|≥|a+b|1或者|a+b|≥|a-b|1有限整数点集R{(i+j,-i+j),i=0,1,…,|a-b|-1,j=0,1,…,|a+b|-1}.     

色素分子吸收光子后电极势的变化

推导了吉布斯自由能、电动势、电极势与光子的能量之间的关系,表达式为ΔrGm=-FE=-F[φ(A+|A*)-φ(A+|A)]=0.1λ196.利用该公式计算了基态P680和P700吸收光子变成激发态P6*80和P7*00后电极势的变化,计算值为φ(P3+80|P6*80)-φ(P6+80|P680)=-1.82V,φ(P7+00|P7*00-φ(P6+700|P700)=-1.77V.计算值与测量值完全相同.另外,计算支持紫色光合细菌光系统中B875把S1态的能量转移给D.     

氮化铝(AIN)薄膜的光学特性研究

研究了宽禁带Ⅲ－Ｖ族化合物半导体氮化铝（ＡＩＮ）薄膜的折射率及其热光特性,采用棱镜──薄膜耦合装置和自动温控光波导测试仪,测出不同温度下氮化铝薄膜的波导特性,利用迭代法可得到ＡＩＮ的折射率与温度变化的关系,并首次测得了ＡＩＮ薄膜的热光特性。     

77K下硅中杂质电离率的计算

用纯数值技术计算了７７Ｋ硅中杂质的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，计算结果比简化模型精确，而且可插入到半导体器件模拟软件中。     

一类带梯度项的快速反应扩散方程解的熄灭

讨论了一类快速反应扩散方程us=-△u^m＋λ｜△↓u｜^p在全空间上Cauehy问题．当p〉2,0〈m〈N-2/N时,若初值满足适当的衰减条件,则方程的解会熄灭．反之,则不会熄灭．