空载投入变压器造成继电保护动作的简要分析及对策

在变压器空载投运时,产生的较大励磁涌流会对继电保护的正确动作产生影响,特别是在新安装变压器的试运行过程中,常常会碰到全电压冲击变压器时继电保护误动的情况,影响试运工作的继续进行.通过多年的工作经验和波形分析,分析了空投变压器时产生励磁涌流的特点及其对继电保护的影响,并对试运行时各保护范围应投入的主要保护做了阐述,进而提出了减少涌流产生和合理配置保护的方法,从而减少在空投变压器时充电保护跳闸概率.     

变压器励磁涌流仿真研究

变压器在空载合闸过程中会产生励磁涌流,此时电流可达到额定电流的4~8倍,会给系统带来冲击,同时也会使变压器差动保护发生误动,因此,研究变压器励磁涌流具有非常重要的意义.利用MATLAB/simulink搭建了变压器仿真模型,分别对影响变压器励磁涌流的因素和励磁涌流的特征进行了仿真研究.仿真结果表明,变压器剩磁和合闸角是影响励磁涌流的主要因素;变压器励磁涌流时,电流会出现间断角,并含有大量的非周期分量和二次谐波分量,并给出了不同涌流程度下间断角和谐波含量的变化规律.     

励磁涌流分析和对策

由于变压器的非线性,在变压器冲击合闸时可能会产生数值相当大的励磁涌流变压器励磁涌流可使变压器投运时引发变压器的继电保护装置误动,造成电网电压骤升或骤降,影响电气设备正常工作,严重时会造成大面积停电。通过对变压器合闸时产生励磁涌流的分析,总结了励磁涌流的特点,提出了对励磁涌流的抑制和解决方法,以减少励磁涌流的影响。     

变压器纵绝缘设计中冲击响应电压分布的仿真分析

讨论了不同频率下电力变压器绕组等值电路的建立原则,提出了一种适用于高频冲击作用的变压器绕组等值电路模型。采用pspice仿真软件对雷电波冲击作用下变压器绕组的暂态响应电压进行了仿真分析,比较了两种不同设计方案中变压器绕组的冲击响应电压分布情况,验证了变压器绕组分区绝缘结构的合理性。     

流－固砰击铰支柱的弹－塑性动力屈后分析

用试验分析方法探讨了两端铰支柱在轴向流－固砰击作用下的弹－塑性动力屈后行为。由流－固砰击柱的弹－塑性屈后响应规律考察了这类中速冲击屈曲所不同于高速与低速冲击屈曲的屈后特征，通过对铰支柱塑性失效现象的分析定义了动力塑性失效准则，并给出了相应的塑性失效临界冲量。同时考察了不同加载历史对铰支柱动力屈后性能的影响。     

一类改进的一维弹簧-质量系统

为研究一串Ⅱ类胞元在冲击作用下的动力失效模式以及失效模式对冲击速度的敏感性,对GAO和YU提出的一维弹簧-质量系统进行了修正,忽略单个胞元的强化平台,给出了1个新的弹簧-质量模型.采用微分方程的显式积分算法,计算结果显示,系统失效模式只对速度敏感,在不同冲击速度下冲击系统会得到不同的失效模式.低速时,失效模式从冲击端到末端渐进失效;中速时,失效模式将会从两端向中间渐进失效;高速时,系统失效模式则没有规律可循.     

变压器涌流分析与仿真

从变压器铁芯中的磁通变化方程出发,对空载合闸励磁涌流与恢复性涌流产生机理进行了理论阐述与比较;对几种典型的变压器励磁涌流进行了数字仿真,并根据仿真结果提出了使用间断角原理制动的差动保护存在局限性,可能使变压器保护在恢复性涌流下误动作。     

110kV大降坪变电站主变差动保护误动作分析

正电力变压器在年度检验和预防性试验过程中会在铁芯中出现剩余磁势,对变压器进行充电投入运行时,因励磁涌流过大而且不平衡,容易使差动保护误动作,造成变压器投运失败。因此,电力变压器在做完年检试验后,还需要进行消磁处理。云浮硫铁矿是国家"六五"计划重点建设项目之一,1988年1月建成,年生产硫铁矿能力达300万吨,是我国最大的硫铁矿矿山。2010年3月,云浮硫铁矿整体改制为国有法人独资有限责任公司——广     

电力变压器高压试验分析

近年来电力安全事故较为频繁,所以电力企业对电力变压器高压试验更为重视。本文分析了电力变压器高压试验的分类和电力变压器高压试验前的需要采取的安全措施,同时对电力变压器高压试验中的影响因素、试验及试验中所出现的偏差进行了具体的阐述。     

电力自耦变压器负载短路的数字实时仿真

提出一个三相电力自耦变压器的实时仿真模型,给出有效的数字积分方法,对该变压器空载合闸涌流的电磁暂态过程及负载短路过程进行了仿真。仿真实例在PC机系统上的运行结果表明,所提出的模型和选用的数字积分方法是正确的。     

In极性面InN的生长动力学行为

采用第一性原理模拟计算方法,从原子层面出发,了解InN的生长动力学行为.通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒,了解沉积原子的相互作用和成核.结果表明,In原子比N原子更容易在干净的In极性表面吸附、粘接,并通过扩散找到稳定位置,形成一个较致密的双In原子层.模拟计算了N和In原子在双In原子层和三In原子层表面的扩散,结果显示,在稳定的双In原子层上,N原子将通过垂直扩散穿过顶部In原子层,并在两In原子层表面之间横向扩散,形成纤锌矿结构的InN材料;然而,In原子虽然可形成三In原子层或In滴,其上沉积的N原子也仅能垂直扩散穿过顶部In原子层,长成新的InN分子层,与InN基底间存在双In原子层或更厚的In薄膜,形成不完整的纤锌矿结构InN薄膜.在此基础上,我们提出一新的InN外延两步生长法,以在生长过程中尽量保持表面只存在双In原子层结构,为高质量InN薄膜的外延提供理论依据.     

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究

分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并及及脱附过程，给出了In并入外延层的效率表达式，依据该表达式，解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP－MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响。     

In2S3纳米晶自组装微球的无模板水热法制备及其光催化性能研究

以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用简单、无模板的水热法于140℃、160℃恒温24 h分别得到In2S3纳米自组装成的不同形貌微米球。产物通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行表征.XRD结果表明:两种产物均为纯相立方晶相的In2S3.SEM结果表明:于140℃、恒温24 h得到In2S3纳米粒自组装微球,微球直径约3～4μm.纳米粒大小约20 nm;于160℃恒温24 h也得到In2S3纳米粒自组装形成的微球,微球大小约2.5～10μm,纳米粒大小20～200 nm.以亚甲基蓝-乙醇溶液为模型污染物,考察In2S3在紫外灯照射下的光催化性能.     

In和Pr双填充方钴矿的电子结构及电传输性能研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了未填充型、In单填充型、In和Pr双填充型CoSb_3方钴矿热电材料的电子结构.结果表明:In和Pr双填充CoSb_3方钴矿热电材料可以较In单填充的材料进一步提升费米能级从而有更高的电导率σ,In和Pr双填充CoSb_3方钴矿热电材料导带底有In的5p和Pr的6s轨道产生的局部共振态叠加,进而使得其Seebeck系数更高.由于电导率和Seebeck系数的提升,使得In和Pr双填充能有效提高CoSb_3的功率因子.计算结果很好地解释了实验现象,阐述了双填充方式优化CoSb_3基方钴矿材料的热电性能内在物理机制.     

无汞碱锰电池锌负极的研究（Ⅱ）

在碱性锌锰电池负极铜集电体表面用化学方法分别沉积致密的铟、锌、锡单层和锌铟、锡、铟、锌锡双层金属。用动态析氢实验表征,发现沉积单、双层金属的集电体在含锌粉的7．0mol/L KOH溶液体系中的析氢量比无沉积层的铜集电体析氢量要小,其中沉积锌铟、锡铟双层的析氢量最小,与用循环伏安和极化曲线方法测试金属集电体的电化学行为的结果一致。在相同的条件下,将沉积不同镀层的集电体装配成电池进行放电,实验结果表明：集电体表面化学沉积铟、锌、锡单层或锌铟、锡铟、锌锡双层金属用来生产无汞碱锰电池的放电性能均超过这类电池的国家行业标准QB1185－01中的要求。     

Fe掺杂In2O3薄膜的微结构与磁、输运性能

采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.     

文本分类的性能评估指标

在信息检索领域,查全率与查准率是一对相互制约的指标.为了研究文本分类领域查全率和查准率的关系,在此从理论和实验两方面分析查全率及测试集对查准率的影响.理论分析与实验结果一致得出,在文本分类中查全率和查准率是两个一致的指标.另外,在查全率确定的情况下,测试集中各类别文档比例的变化也会导致查准率的变化.     

以能力为核心的建筑学专业课程体系改革初探

针对地方普通本科院校建筑学专业人才培养模式作了初步探索,在教学方法上,将设计课程分解成以设计能力培养为目的的"环节链";在教学内容上突破单个课程的局限性,围绕设计课程建立起相应的课程群;在师资安排上设计课教师与其他相关课程教师组成团队,共同承担教学任务,适时帮助学生解决设计中的困难,使学生能较快地形成比较完整的建筑设计知识框架,并在此框架下掌握设计方法、培养设计能力以及训练相关技能。     

多维空间中的Markov不等式

在一维空间区间上存在关于实多项式及其导数无穷模之间关系的不等式，即Ｍａｒｋｏｖ不等式。在多维空间中，此类关系受到区域形状影响，远比一维的情形复杂。在已知的反映此类关系的不等式中，有关常数是定性的，该文将采用一种新的证明方法，从而给出这类常数的上界估计。     

嵌入式系统中的低功耗设计研究

在嵌入式系统的设计中,低功耗设计是经常让设计人员头痛而又不得不面对的问题。在嵌入式系统中,其功耗主要由嵌入式微处理器功耗和外围硬件接口设备功耗组成。要降低嵌入式系统的功耗,需要从系统设计的各个方面入手。本文将从电源供给电路、振荡电路、接口电路三个方面来讨论嵌入式系统中的低功耗设计。