低失真、高PSRR的D类音频功率放大器

设计了一种低失真、高电源抑制比的D类音频功率放大器.该功率放大器采用幅值为1 V,频率为300kHz且斜边失真小于0.1%的双边三角波作为载波的PWM调制方式,大大降低了D类音频功率放大器的总谐波失真度,并提高了系统的电源抑制比.仿真测试结果表明:在5V的电源电压下驱动4Ω负载,可提供2 W的额定输出功率, 且典型总谐波失真小于0.08%,在频率为217 Hz时电源抑制比可达到77 dB.在保证D类音频功率放大器高效率输出的同时,也保证了输出信号较小的失真度和较强的抗电源干扰能力.     

一种带增益修正的音频功率放大器芯片

设计了一种应用于汽车音响的AB类BTL(bridge-tied load)音频功率放大器芯片.该功率放大器加入了一种新颖的增益修正结构使两输出端口增益匹配,可有效地抑制线性失真.仿真结果表明:在14.4 V或18V的电源电压下驱动4Ω负载,满摆幅输出功率可分别达到25 W和40 W以上;1 kHz频率下输出功率18 W时,输出效率达到35%,总谐波失真为0.4%,具有较高的效率和较低的失真度.     

消除音频功率放大器瞬变互调失真的设计准则

描述音频功率放大器的瞬变互调失真(TIM)总是在时间域中方便，但要消除TIM，在时间域对放大器中的那些环节进行设计就出现困难。将瞬变互调失真产生的机理用频率法来描述，进而找到一个功率放大器动态设计的准则。依照这个准则，运用频率法可以得心应手地处理各参数之间的关系，同时保证消除瞬变互调失真。     

双模式控制的防失真D类音频功率放大器

设计了一款具有双模式控制、防失真功能、超低EMI、无需滤波器、5W高效率的单声道D类音频功率放大器.通过检测输出信号的失真来动态调整系统增益可实现独特的防失真功能,可以通过硬件或者软件设置使该放大器工作在防失真模式或者普通模式.电路采用CSMC的0.35 um的CMOS工艺实现,在输入信号为O～1.2V的范围内,输出信号能够保持良好的波形形状.可应用于各种便携式电子设备,如手机、平板电脑和便携式电视机等.     

一种工作于Ka频段的GaN单片集成功率放大器

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15 μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使用功率合成结构.仿真结果表明,在20 V的电源电压下,功率放大器的小信号增益为25 dB,饱和输出功率为38dBm,功率附加效率为35%.     

高性能10W D类音频功率放大器设计

提出一种双反馈回路的2阶闭环脉宽调制(PWM)方式的D类放大器结构,在保证系统稳定性的同时通过增加反馈环路增益来改善放大器性能.分析了系统结构工作机制,并采用系统级行为模型仿真和晶体管级电路仿真进行验证.本设计采用上华0.5μmBCD工艺,全差分结构、全桥输出,实现了输出功率2×10W的双声道立体声D类音频功率放大器.实验结果表明,效率可达90%,fPSRR为82dB@1kHz,总谐波失真为0.05%,芯片面积为4.37mm×3.46mm,静态工作电流31mA,关断电流小于100nA.实现了大功率高性能D类功率放大器的设计要求.     

应用于WLAN的SiGe射频功率放大器的设计

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段范围内的AB类射频功率放大器.该放大器采用三级放大结构,偏置电路采用电流镜形式的自适应偏置控制电路,具有温度补偿和线性化作用.后仿真结果显示:1dB压缩点输出功率高达27.73dBm,功率增益为25.67dB,电路的S参数在2.4GHz频段内,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-60dB.     

一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35μm双层多晶硅工艺实现,驱动32Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3V电源电压下,电压输出摆幅为2.7V.     

基于ADS平台反向Doherty结构的功率放大器的设计与仿真

基于Advanced design system(ADS)平台,通过优化偏置电压和输入功率比例改善三阶互调失真(IMD3),仿真设计一款工作于2.14 GHz频段WCDMA基站不对称功率驱动的反向Doherty功率放大器(IDPA).IDPA结构中接在峰值放大器补偿线后的微带线能减少功率泄露,改善输出效率.仿真结果表明,当载波放大器的栅极偏置电压为2.74 V,峰值放大器的栅极偏置电压为0.9 V并且输入功率比例为1∶2.07,输出功率为44 dBm时其功率附加效率(PAE)为25.26%,比AB类平衡功率放大器提高了9.63%,比传统的Doherty功率放大器(DPA)提高了1.12%;IMD3为-40.82dBc,和AB类平衡功率放大器相比改善了3.34 dBc.因此,这种简单结构的不对称功率驱动的IDPA实现了高效率和高线性度的良好折中,能够很好地适用于现代无线通信系统中.     

基于LM4766的音频功率放大器设计

介绍音频功率放大器的原理与设计,讨论了主要元器件及参数的选择.整个电路主要由稳压电源、前置放大器、功率放大器共三个部分构成.其中LM4766是一立体声音频放大器电路,采用双电源应用电路.电路结构简单,并给出了测试结果,实验结果表明该功率放大器在带宽、失真度、效率等方面具有较好的指标.     

Low Carbon Low Alloy Submicro-Steel with Nano-Precipitates

A submicro-steel sheet was successfully fabricated by severe warm-wiling at 773 K through a single pass. The microstructure was characterized first and the thermal stability of the submicro-steel was investigated by annealing the steel at different temperatures.Results indicate that grains are nearly equiaxial with an average diameter of 300 nm for grains near to the surface and 600 nm for grains at the center of the sheet and the submicro-steel can be subjected to annealing at 773 K without obvious grain growth. The formation of the submicro-structure can be related to a severe plastic deformation-induced grain refinement mechanism. The unusually high thermal stability can be attributed to the pinning effect of numerous uniformly-distributed nano-precipitates in the steel. The average diameter of the larger precipitates is about 30 nm and the smaller less than 10 inn.     

一种带保护电路的低功耗LDO

为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。     

Low Sulfur Low Olefin Gasoline Production by RIDOS Technology

1Worldwidetrendsingasolinespecifica tions　Anincreasingdemandexistsinthelasttwodecadesforau tomotivefuels .Fuelquality (fuelreformulation)andengineefficiencyhaveconstantlybeenimproved .Themostsignifi cantchangewastheeliminationofleadingasolineinanum berofcountries ,includingChina .Progressivelystrongerregulationshavebeenenactedbymanycountriestoreducetheemissionsfromtransportationengines .Experimentaldatashowthatreducingsulfurandolefincontentingasolinemaybeoneofthebestwaystoimproveautomobileem…     

用于植入式医用芯片的低电压低功耗SAR ADC

为适应植入式医用芯片的使用要求,给出一低电压低功耗逐次逼近型模数转换器(SARADC)的设计。从降低功耗出发,提出了一种新的能量高效开关策略。与传统开关策略相比,电容阵列的平均开关能量减少了68%,电容阵列的面积仅为传统开关策略的50%;采用带校正的动态比较器,在提高精度的同时可以降低功耗;采用异步时钟,省略了高频时钟产生器,进一步降低了功耗。提出的5 Ms-111位SAR ADC采用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺流片。供电电压低至1 V,功耗仅为0.236 mW,SNDR,SFDR分别达到55.1,68.38 dB。核心面积为650μm×1 000μm,符合植入式系统的要求。     

吐哈低粘低渗-特低渗油田渗流特征研究

在对吐哈油田大量的岩心测试实验分析的基础上,并结合油藏数值模拟技术,研究并确定了低粘低渗-特低渗油田的渗流特征为随着储层物性的变差,压敏性增强,流体可流动区间变小,启动压力梯度增大;在油水两相区,随着含水饱和度的增大,油相相对渗透率下降很快,水相相对渗透率上升很慢,残余油饱和度下水相相对渗透率值很小;在水驱油过程中,对于不同的韵律层,由于油水粘度比小,可以自动调节水淹剖面,导致了层内纵向上活塞式驱替特征十分明显,表现出与中粘中高渗油田的渗流特征有很大的差别.     

低孔低渗气藏高效低伤害压裂液研究

根据延长气田低孔低渗的特点,研究了一种能够适应该储层的高效低伤害压裂液。通过对压裂液各个组分的配比的研究优化出此压裂液的最佳配比,并进一步研究了此压裂液的抗剪切性能、携砂性能、破胶性能以及对地层的伤害性,发现本压裂液有着强稳定能力、流变性强,携砂能力强,破胶快及低伤害等特点,现场进行5口井的压裂施工试验,结果证明对延长油田低孔低渗气藏有较好的压裂增产效果。     

SiGe HBT低温敏宽带低噪声放大器设计

采用两级锗硅异质结晶体管(SiGe HBT)低噪声放大芯片,通过ADS2015进行宽带电路匹配设计了一款频率覆盖超短波到L波段的宽带低噪声放大器(LNA).仿真显示该LNA工作频率在0.07～2 GHz,增益Gain>30 dB,噪声系数NF<0.78,增益平坦度Gain Flatness<0.2 dB,输入输出回波损耗Return Loss<-10 dB.实测结果显示常温下该LNA测试指标和仿真结果基本一致,233 K低温下该LNA的Gain实测值比常温下测试结果增大1 dB左右,其它指标基本一致,证实了采用SiGe HBT放大芯片设计的低噪声放大器噪声性能良好且具有低温敏特性.     

一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器

通过比较两种常用的运算放大器结构,提出了一种适用于低压低功耗Sigma-Delta数据转换器的运算放大器结构,并在Chartered公司的0.35μm互补型金属氧化物半导体工艺下完成了该放大器的设计.仿真结果表明,放大器的直流增益为77 dB,单位增益带宽为36 MHz,相位裕度为48,°可满足低频高分辨率Sigma-Delta调制器的设计要求.     

低耗散低色散有限差分格式误差分析

基于7点中心色散保持(DRP)空间离散格式,结合5种龙格库塔(RK)时间积分方法,从误差构成、误差传播、误差累积3个角度出发,采用传统Von Neumann误差分析方法和修正误差传播分析方法,分析比较了各时间离散格式和全离散格式的耗散色散误差,波数分辨能力,长距离波计算误差传播,低频波、中频波、高频波的误差累积特性,还从稳定性、求解精度等角度分析比较了各组合格式的优劣,获得了与7点中心DRP格式组合的最佳时间离散格式ORK6;最后对一维标量和矢量波动问题计算验证了各组合格式的准确模拟能力.     

过程低碳化：低碳经济之路的创新战略

低碳经济是一种以可持续健康发展为核心理念的发展形态。循环经济与循环社会模式为低碳经济发展奠定了理论与实践基础。当前的低碳经济发展主要聚焦于新能源生产为主导的源头低碳化领域。而强调生产与生活领域的节能、降耗、减排为主的过程低碳化应该成为低碳经济的重要战略。过程低碳化提倡基于公共行为理念的变革,目标是要将低碳生活方式引入大众日常行为之中,从而透过技术创新、政策调整、文化激励等措施以推动低碳经济又好又快发展。