高铝锌基合金挤压铸造的组织和性能的研究

研究了高铝锌基合金挤压铸造的组织和性能。挤压铸造显著提高合金的塑性和韧性，延伸率由重力铸造时的１％￣３％提高到１０％￣１８％，冲击强度由重力塑造时的２０￣５０Ｊ／ｃｍ＾２提高到９５￣１３７Ｊ／ｃｍ＾２。与重力铸造相比，合金的组织显著细化，组织中共晶体含量增加，ε相的含量减少。     

Pb—Ag—Ca新型阳有在MnSO4—H2SO4溶液中腐蚀速度的测定

分别测定了ＰＡＣ电极（Ｐｂ－Ａｇ－Ｃａ新型阳极的简称）在ＭｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４溶液中的阴极极化曲线及阳极极 线，从图中求得：ｉｃｏｒ＝１５．８５μＡ／ｃｍ＾２，ψωｒ＝－０．０９５Ｖ，Ｖｃｏｒ＝２．９５Ｋｇ／ｍ＾２ａｎｎ．７．９０％（电极重量每年消耗的百分数）ｉ。（２）＝５４．７０μＡ／ｃｍ＾２及ｉ。（３）＝１．１０μＡ／ｃｍ＾２；讨论了ＰＡＣ阳极的腐蚀机理即反应（２）受反应（３）的动力学参数所     

在表面活性剂存在下泰尔登的电分析化学特征研究

在ＰＨ７．００缓冲溶液中，当有０．００２０％ＯＰ在在时，泰尔登在－１．９５Ｖ产生一灵敏极谱波，利用此波可测定痕量泰尔登，检测下限为５．４×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。用恒电位库仑法，计量库仑法和循环伏安法测得反应电子数为２，吸附量为１．１７×１０＾－１０ｍｏｌ／ｃｍ＾２，扩散系数为４．３×１０＾－５ｃｍ＾２／ｓ。     

2,4,7-三硝基-9-芴酮阴极特性研究

研究了以１ｍｏｌ．Ｌ＾－１ＬｉＣｌＯ４／ＰＣ＋ＤＭＥ（１：１）为电解液的ＴＮＦ／Ｌｉ电池的性能和放电机理。电池以０．５ｍＡ．ｃｍ＾－２放电时比容量为８４７．６Ａｈ．ｋｇ＾－１,比能量为６．７＊１０＾６Ｊ．ｋｇ＾－１。该电池存在自放电现象,开状下放置一个月后,容量损失掉３６．２％。     

真空液相重结晶法改善InSb薄膜的组织和性能

利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大，热处理后室温下的电子迁移率大大提高，由原来的１．３１×１０＾４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高到４．４７×１０６４ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）（热蒸镀）和２．１５×１０＾３ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）提高     

用光偏转方法对金属激光烧蚀阈值的研究

实验研究光偏转检测原理和实验装置，并用此装置测得黄铜，铝，４５号钢的激光烧蚀阈值分别为０．０１８５ＧＷ／ｃｍ＾２，０．０１３３ＧＷ／ｃｍ＾２，０．０１９５ＧＷ／ｃｍ＾２。     

燃烧合成氮化硅的动力学分析

用２种方法研究了燃烧合成氮化硅的动力学,Ｓｉ３Ｎ４的燃烧波蔓延速度为０．０９７－０．１３ｃｍ．ｓ＾－１,燃烧区宽度为０．５４ｃｍ,用燃烧波速法测得其激活能为７５．４ｋＪ／ｍｏｌ确定了不同燃烧时间的反应转化率和转化程度,并据此计算出燃烧合成Ｓｉ３Ｎ４的激活能烽５４．３ｋＪ／ｍｏｌ,２种方法计算的激活能数值相差约３０％,说明燃烧合成氮化硅过程存在明显的后燃烧现象,随稀释剂质量分数的增加,最高燃烧温度降     

用正电子技术研究铜板变形中的位错密度

应用正电子湮灭－多普勒增宽技术研究了铜板在单向拉伸、平面应变和等双向拉伸变形条件下的位错密度变化规律。结果表明，当等儿应变从０．０２增加到０．６０时，位错密度从２．４×１０＾９ｃｍ＾－２增加到７．５×１０＾１０ｃｍ＾－２；当等效应变量相同时，应变路径对位错密度的影响不明显。     

Mo离子注入硅和快速退火硅化钼的形成

用大束流密度的钼金属离子注入硅，由于原子间激烈碰撞和硅片的温升而得到了性能良好的硅化钼。实验中发现，当注量均为５×１０＾１７ｃｍ＾－２时，随束流密度的增加，硅化钼生长，其电阻率明显下降，当束流密度为０．５０Ａ．ｍ＾－２时，方块电阻Ｒ口最小，其值为９０Ω。Ｘ衍射分析表明，当束流密度为０．２５Ａ．ｍ＾－２时，硅化钼衍射峰很小，难于辨认，当用０．５０Ａ．ｍ＾－２注入时，３种结构的硅化钼明显出现，对０．２     

激光开槽,埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ＾２的条件下，以面积为４５ｃｍ＾２的３６片硅研制的硅太阳的输出参数的平均值为Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ＾２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了这种高性能硅太阳电池的设计特点。     

C60CH2和C60HR(R＝C6H5CO--)的光限幅特性

应用倍频Ｎｄ：ＹＡＧ激光研究了２种新合成的Ｃ６０衍生物Ｃ６０ＣＨ２和Ｃ６０ＨＲ（Ｒ＝Ｃ６Ｈ５ＣＯ－）甲苯溶液的光限幅性质。Ｃ６０ＨＲ的光限幅效应与Ｃ６０相比稍则Ｃ６０ＣＨ２的光限幅效应与Ｃ６０相近,并具有更低的限幅幅值。     

Synthesis of N-acetamide C60 nitride and its performance of optical limiting

N-acetamide C60 nitride (N-acetamide-1,2-dihydro-1,2-aza-fullerene[60]) has been synthesized by the reaction of C60 and azidoacetamide and initially characterized. Its mechanism was that the objective product is formed through intermediate triazoline. The computational study shows that N-nitride structure is thermodynamically more stable by using the semi-empirical AM1 SCF-MO method. The properties of optical limiting were tested by using double frequency Nd∶YAG pulse laser system and showed that the optical limiting mechanism is reverse saturation absorption. A wavelength of 532 nm, compared with optical limiting for ns pulse, this new material has good optical limiting character for ps pulse. At wavelength of 707 nm, the capacity of optical limiting of the derivative is prior to C60.     

C60氮丙啶衍生物的表征及其光限幅效应

研究了叠氮乙酰胺与C60反应,其反应机理为经过一个三唑啉中间体结构形成最终产物;分析表征了C60氮乙酰胺,通过量化计算确定了氮丙啶闭环结构为热力学稳定结构;应用倍频Nd:YAG脉冲激光测试了它的光限幅性能,确定其光限幅机制为反饱和吸收,长波长(707 nm)激光的限幅效果要优于C60,表明C60衍生物是一种非常有希望的激光限幅材料.     

富勒烯高分子聚合物的制备及发光性能

采用金属钨催化剂和溶液聚合法 ,在室温下合成了C6 0 和 1 -苯基 - 1 -丙炔共聚物 ,对该共聚物的结构进行了表征 ,发现在聚合反应中C6 0 既作为共聚单体分子又呈现出催化剂的作用。详细地测试了聚合物的荧光性能 ,结果表明共聚物荧光发光光谱峰位置与激发光波长无关。对聚合物不同浓度溶液的测试和对聚合物发光机制的分析表明 :在聚合物链中含有不同发光结构点 ,共聚物呈现结构不均匀性     

GaN/ZnO固溶体电子结构与光学性质的第一性原理研究

GaN/ZnO固溶体具有良好的光催化活性。为研究不同ZnO物质的量对GaN/ZnO固溶体能带结构和光吸收性能的影响,构建了一系列GaN/ZnO固溶体的随机原子结构模型。基于密度泛函理论计算不同ZnO物质的量对GaN/ZnO固溶体模型电子结构和光学性质的影响。研究结果表明： ZnO/GaN固溶体形成能与结合能均为负值,结构稳定。随着ZnO物质的量的增加,固溶体的带隙先呈现下降趋势,最后呈现小幅上升趋势。对于ZnO物质的量分数在13.89%至22.22%的GaN/ZnO固溶体,可以观察到光吸收峰强度在可见光区各个波长范围内均有较强吸收。通过研究不同ZnO物质的量对GaN/ZnO固溶体能带结构和光吸收性能的影响,为GaN/ZnO固溶体光催化材料的设计与制备提供了理论参考。     

Synthesis of N-acetamide C60 nitride and its performance of optical limiting

N-acetamide C₆₀ nitride (N-acetamide-1,2-dihydro-1,2-aza-fullerene [60]) has been synthesized by the reaction of C₆₀ and azidoacetamide and initially characterized. Its mechanism was that the objective product is formed through intermediate triazoline. The computational study shows that N-nitride structure is thermodynamically more stable by using the semi-empirical AM1 SCF-MO method. The properties of optical limiting were tested by using double frequency Nd: YAG pulse laser system and showed that the optical limiting mechanism is reverse saturation absorption. At wavelength of 532 nm, compared with optical limiting for ns pulse, this new material has good optical limiting character for ps pulse. At wavelength of 707 nm, the capacity of optical limiting of the derivative is prior to C₆₀.     

掺杂C60的PVK及其共聚物的光电导性能

通过自由基共聚合的方法制备了一系列乙烯基咔唑／丙烯酸丁酯（ＮＶＣ／ＢＡ）的共聚物,发现ＮＶＣ能和ＢＡ进行较好的共聚合反就投料比和共聚产物中的各单元组成比接近。通过ＴＥＭ观察。加入的共聚单体ＢＡ可以大大改善了聚乙烯基咔唑（ＰＶＫ）的成膜性能。也对掺有Ｃ６０的ＰＶＫ的均聚和共取物的光电导性能进行了研究。实验结果表明Ｃ５０的加入可以大大增进ＰＶＫ的光电导性能,并且随着Ｃ６０的增加光电导性能增强;共聚体系     

嘧啶环二炔氮桥C60衍生物的合成及非线性光学性质

合成了嘧啶环二炔氮桥C₆₀衍生物C₆₀NPD ,研究了在532nm、脉宽 8ns条件下的非线性光学特性。通过Z-扫描实验发现C₆₀NPD有很强的非线性吸收和非线性折射,并获得了三阶非线性光学系数χ⁽³⁾ 。同时也研究了光限幅特性，实验结果表明C₆₀NPD有较低的光限幅箝位值。     

芴基荧光共聚物与芴基磷光共聚物光电性能的比较研究

通过对芴基荧光共聚物(PFO-TPP)和芴基磷光共聚物(PFO-TPP-Pt)的光电特性的比较研究,结果发现PFO-TPP-Pt磷光共聚物相对于母体荧光共聚物PFO-TPP的PL效率低很多,但是磷光聚合物比相应的不含金属的母体荧光共聚物的EL效率却显著提高,PFO-TPP-Pt器件的最大外量子效率为1.95%,相应的发光亮度为8.3 cd/m2和色坐标(C IE1931)为(0.700,0.293),此外,磷光共聚物在EL过程中的能量转移比母体荧光共聚物更完全。     

卟啉单体和卟啉二聚体的光限幅性质

采用Alder法合成了3种在苯环对位连接性质不同取代基的卟啉单体和3种桥联基团性质各异的卟啉二聚体, 并研究卟啉单体和卟啉二聚体的Z-扫描
曲线和光限幅性质. Z-扫描研究结果表明, 卟啉测试样品的Z-扫描曲线相似, 均出现反饱和吸收和光限幅性质, 其中卟啉化合物4的光限幅效果明显, 入射光的透过率约为7%.