d-T源中子照相装置慢化准直系统初步设计

慢化体准直器是热中子照相装置的关键组件之一,利用铅、铍、石墨等为慢化体的材料,对d-T反应中子源中子照相装置的慢化准直系统进行设计.采用MCNP程序模拟d-T反应快中子在慢化体内的中子慢化输运过程,通过计算得到了满足热中子照相的慢化准直系统的设计方案,给出了经慢化后的中子束各项物理参数.     

CTZ—100型中子发生器中子强度测量

介绍ＣＴＺ－１００型中子发生器中子强度的测定，并用活化法和长硼管法两种测量方法，得到较为一致的结果。     

CTZ－100型中子发生器中子强度测量

介绍Ｃｒｚ－１００型中子发生器中子强度的测定，并用活化法和长硼管法两种测量方法，得到较为一致的结果。     

中子散射及其应用

在近30年间，由于中子源和散射装置的改进，中子散射在凝聚态物质中的应用日益广泛，在许多方面是其他（X射线、电子、激光、同步辐射等）散射技术不可比拟的．在简单评述供散射用的中子源和散射实验技术进展之后，重点介绍中子散射在凝聚态物质研究中的应用，它们包括晶体结构和磁结构的测定、表面、界面和薄膜的表征、测定结构涨落、磁涨落的现代相变研究、畸变、无序系统（包括分形和小角散射）和高分子材料、高Tc氧化物超导体的研究。     

丰中子核中子皮厚度的可能观测量

中子皮厚度(核内中子和质子分布均方根半径的差δnp=1/2-1/2)是一个重要的物理量,不仅标志丰中子核的结构特点,也是核状态方程中的重要约束量,在核天体物理、天体物理中有重要的应用[1].丰中子核内结合了大量的中子,其核状态方程受核内中子密度分布方式影响较大.     

用MCNPX计算ADS金属靶散裂中子产额及散裂源中子效率

为了分析加速器驱动系统（ADS）中质子束能量对金属靶散裂产生的中子产额及靶内中子能谱、靶表面的泄漏谱的影响,利用MCNPX对ADS的重金属铅靶、钨靶在不同能量的质子束轰击下的中子产额、中子能谱及靶表面的中子泄漏谱进行了模拟计算,与国际上其他研究机构的模拟结果进行了比较,结果相近.并对铅靶、钨靶的中子产额及泄漏谱进行比较,模拟结果是钨靶的中子产额较铅靶的中子产额大但中子泄漏谱计数较铅的小.结合MCNP5还对一个次临界基准体系中散裂源中子相对于裂变中子的效率进行了计算.     

强流中子发生器的应用现状

本文概述强流中子发生器近五年内在材料和电子元器件的辐射损伤研究，一些核素的活化截面测量，新核素合成和中子生物效应等方面的应用，以及与这些工作相适应的实验条件的改进和完善。     

中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用及校正图版制作

讨论了中子输运理论在中子测井数值模拟中的应用，用国际通用的核数据库和中子输运离散纵标程序ＤＯＴ４．２对不同岩性、几何尺寸和地质环境条件（如岩层化度等）的模型井进行了响应曲线的数值模拟计算，从而实现了中子测井的正演计算，同时根据计算结果制作了不同测井环境条件下的理论校正图版，结果令人满意，研究结果测井工作有一定的参考价值。     

医院中子照射器堆芯中子学参数计算方法

 建立了利用WIMS+CITATION计算医院中子照射器I型堆(IHNI-I)堆芯中子学参数的模型。栅元群常数计算采用WIMS束棒几何模型,控制棒、顶铍反射层、底铍反射层、侧铍反射层以及堆芯每一环燃料元件作为不同栅元类型;全堆芯计算采用CITATION程序R-z几何模型。计算了堆芯的功率分布、顶铍反应性价值、控制棒价值、温度系数、堆芯燃耗等中子学参数,计算结果与文献数据一致。本文所建立的计算模型可用于IHNI-I堆芯的物理计算。     

研究人体组织成分的中子发生器

采用两支Ｚｅｔａｔｒｏｎ中子管组装成的中子发生器系统已交付给设在Ｔｕｆｆｓ大学的美国农业部人类营养研究中心，借助中子的非弹性散射临床测试人体的含碳量。每支中子管都以能以４或８ｋＨｚ的重复频率，在７μｓ的脉冲宽度里提供１０＾３～１０＾４个１４ＭｅＶ的中子，并且能按主－从关系联合工作或单独工作。中子管充氘氚混和气体。管子的靶子在３０到６０ｋＶ的直流负高压离子源工作，在２．５ｋ，７μｓ的脉冲状态下通过测     

中子管离子源脉冲工作特性的研究

利用实验方法研究了中子管离子源的电离特性,其中包括电离时间的延迟特性;不同气压下电离电流和脉冲电压幅值的关系;不同气压下电离脉宽和脉冲电压幅值的关系;气压和加热电流的关系,并对实验曲线进行了分析,确定了Ｃ／Ｏ测井中选择气压和阳极电压参数的原则和方法。