硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

13.5～14.7MeV中子引起钯同位素反应截面的测量

用活化法，在Ｅｎ＝１３．５～１４．７ＭｅＶ中子能区，以＾５４Ｆｅ（ｎ，ｐ）＾５４Ｍｎ截面为中子注量标准测量了＾１０２Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０２ｍＲｈ，＾１０２Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０２ｇＲｈ，＾１０５Ｐｄ（ｎ，ｐ）Ｒｈ，＾１０６Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０６ｍＲｈ的反应截面值，以＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）＾９２ｍＮｂ截面为中子注量标准测量＾１０６Ｐｄ（ｎ，α）＾１０３Ｒｕ，＾１０８Ｐｄ（ｎ，α）＾１０５Ｒｕ；＾１０２     

磺胺嘧啶的极谱伏安行为研究

通过对磺胺嘧啶在多种底液中的极谱伏安行为研究，发现磺胺嘧定在ＢＲ缓冲溶液（ｐＨ４．２）和ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲液（ｐＨ４．３２）中产生良好的还原峰，峰电位分别为－０．７６Ｖ和－０．７９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），在这两种底液中，峰电流或其导数峰高与磺胺嘧啶浓度在５×１０＾－７～４×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ和５×１０＾－６～３×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，检测限为８×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ，可望用于     

29～1100keV能区^59Co中子俘获截面的测量

在２．５ＭｅＶ静电加速器上，用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２９￣１１００ｋｅＶ能区＾５９Ｃｏ（ｎ，ｙ）＾６０Ｃｏ的反应截面，并将测量结果与现有数据作了比较。     

2.5MV静电加速器ns脉冲离子源的研制

２．５ＭＶ静电加速器ｎｓ脉冲离子源的研制袁其清代云方李宗培（原子核科学技术研究所）利用毫微秒脉冲束进行中子物理实验，可使测量本底显著降低，能提高测量精度［１～３］．我们为使２．５ＭＶ质子静电加速器能提供能量为１～２．５ＭｅＶ毫微秒脉冲束流的要求，在对...     

22—1100keV能区Eu中子俘获截面的测量

用活化法相对于Ａｕ的中子俘获截面，测量了２２－１１００ｋｅＶ能区＾１５１Ｅｕ（ｎ，γ）＾１５２ｇ，ｍＥｕ和＾１５３Ｅｕ（ｎ，γ）＾１５４Ｅｕ的反应截面，测量精度为６％－７％，并将测量结果与现有实验数据作了状态。     

^151Eu（n,γ）^152Eu反应的同核异能态截面比

在４．５ＭｏＶ静电加速器上，用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，利用活化法测量了能量从２２ｋｅＶ到１１００ｋｅＶ的中子引起＾１５１Ｅｕ（ｎ，γ）＾１５２Ｅｕ反应的同核异能截面比。在Ｈｕｉｚｅｎｇａ－Ｖａｎｄｅｎｂｏｓｃｈ理论方法计算的同核异能态截面比与自旋切割因子的关系曲线上，用实验测得的同核异能态截面比确定了产物核的自旋切割因子。     

29—1100keV能区^98Mo（m,γ）^99Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于＾１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９－１１００ｋｅＶ中子能区测量了＾９８Ｍｏ（ｎ，γ）＾９９Ｍｏ的反应高，并将测量结果与已有数据进行了比较。     

C／O比测井用中子管的研制

报道了外型直径４８ｍｍ，长２００ｍｍ的圆柱型陶瓷体石油测井用中子管的研制．该管在２０ｋＨｚ的脉冲电压下工作正常，产额最高可达５×１０８ｎ／ｓ，寿命在２５０ｈ以上．     

四氢呋喃在苯中聚合向醋酸酐链转移的研究

本文研究了以苯为溶剂，在醋酸酐存在下，采用乙酰基四氟硼酸盐ＣＨ３ＣＯＢＦ４为催化剂进行四氢呋喃（ＴＨＦ）聚合及链转移的反应，经测定，在１５℃和２１℃下的表观聚合速度常数Ｋｐ分别为７．０３×１０＾－３和１０．１８×１０＾－３Ｌ／ｍｏｌ．ｓ表现链转移速度常数的Ｋｔｒ分别为７．３９×１０＾－４和１２．０１×１０＾－４Ｌ／ｍｏｌ．ｓ     

在表面活性剂存在下泰尔登的电分析化学特征研究

在ＰＨ７．００缓冲溶液中，当有０．００２０％ＯＰ在在时，泰尔登在－１．９５Ｖ产生一灵敏极谱波，利用此波可测定痕量泰尔登，检测下限为５．４×１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ。用恒电位库仑法，计量库仑法和循环伏安法测得反应电子数为２，吸附量为１．１７×１０＾－１０ｍｏｌ／ｃｍ＾２，扩散系数为４．３×１０＾－５ｃｍ＾２／ｓ。     

51V(n,α)48Sc和51V(n,p)51Ti反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４～１４．８ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的＾５１Ｖ（ｎ，α）＾４８Ｓｃ和＾５１Ｖ（ｎ，ｐ）＾５１Ｔｉ两反应截面，还列举了尽可能收集到的数据，中子能量是用铌锆截面方法测定的。     

芦荟甙的伏安行为及其应用研究

芦荟甙在０．０５ｍｏｌ·Ｌ＾－１硫酸溶液中出现一灵敏的吸附伏安峰,峰电位为０．２３Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ｃｌ）。峰电流与芦荟甙的浓度在２．０×１０＾－８～４．０×１０＾－７ｍｏｌ·Ｌ＾－１和４．０×１０＾－７～６．０×１０＾－６ｍｏｌ·Ｌ＾－１范围内成线性关系,检出限为５．０×１０＾－９ｍｏｌ·Ｌ＾－１（富集时间为１５０ｓ）。用线性扫描和循环估安法研究了体系的电化学行为,并应用于芦荟原胶中芦荟甙的的测定     

厦门近岸表层海水中铜,铅和锌的存在形态

应用差示脉冲阳极溶出伏安法研究厦门沿岸表层海水中洞，铜和锌的化学存在形态。新鲜海水试样和酸化贮存海水试样（ｐＨ２）分别以金属离子溶液滴定，达到平衡后用ＤＰＡＳＶ法测定电活性金属浓度，基于１：１配合物形成模型，估算出海水中可溶的痕量金属各种存在形态的比例。结果表明，海水中这些金属的总浓度分别为Ｃｕ：１．１×１０＾－７ｍｏｌ．１＾－１；Ｐｂ：６．０×１０＾－８ｍｏｌ．１＾－１；Ｚｎ：７．４×１０＾－７     

接种密度对Vero细胞在微载体表面生长的影响

研究了接种密度对Ｖｅｒｏ细胞在微载体表面生长行为的影响,发现培养过程中所获得的细胞最高密度随接种密度的增加而有所提高,当细胞的表面接种密度高于１．０×１０＾５ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ时,因贴壁后细胞扩展受到限制而不利于进入对数生长期。就整个Ｖｅｒｏ细胞培养过程,适宜的表面接种密度为３×１０＾－４－７×１０＾４ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ,此时可以获得较高的比生长速率和细胞增殖倍数。     

含苯并咪唑八齿配体EGTB双核钴（Ⅱ）配合物的合成？…

报导了八齿配体Ｎ,Ｎ,Ｎ′,Ｎ′－四（２－苯并咪唑甲基）－１,４－二乙氨基乙二醚（ＥＧＴＢ）的４种双核钴（Ⅱ）配合物的合成及其红外（ＩＲ）,紫外－可见（ＵＶ－Ｖｉｓ）光谱和电子自旋共振（ＥＳＲ）谱表征,并用硝基蓝四氮唑（ＮＢＴ）光照还原法证明这４种配合物均具有超氧化物歧化酶性质,与Ｏ２反应的速率常数在１０＾６～１０＾７ｍｏｌ＾１．Ｌ．ｓ＾－１之间。     

^181Ta,^139La,^140Ce和^142Ce麦克斯韦谱平均俘获截…

在脉冲静电加速器上，利用＾７Ｌ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的＾１８１Ｔａ，＾１３９Ｌａ，＾１４０Ｃｅ和＾１４２Ｃｏ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较。     

^65Cu（n,2n）^64Cu,^63Cu（n,α）^60Co和^46Ti（n,p）…

本用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ反截面为中子注量标准，测得的１４．９ＭｅＶ中于＾６５Ｃｕ（ｎ，２ｎ）＾６４Ｃｕ和＾４６Ｔｉ（ｎ，ｐ）＾４６Ｓｃ反应截面分别为９３３±３２和２９７±１０ｍｂ，测得的１４．６２ＭｅＶ中子＾６３Ｃｕ（ｎ，α）＾６０Ｃｏ反应截面值为４２．３±１．５ｍｂ。单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ反应获得，中子能量是用铌锆截面比法测定的。在中还把本的结果与其他一些作的数     

关于检测爆炸物的数字化脉冲中子发生器的研制

利用陶瓷制成靶中子管,研制了检测爆炸物的数字化脉冲中子发生器.该中子发生器具有小型便携、数字化控制和远程控制功能,可以产生直流中子、脉冲中子和复合脉冲中子.最大中子产额可以达到2×108个/s,最小中子脉冲宽度为10μs,最大脉冲频率为10kHz.发生器的中子产额和中子时间谱经中国工程物理研究院测试,满足PFTNA中子检测法检测爆炸物的要求.此外,发生器还可以应用于其他中子测试以及工业在线中子多元素分析领域.     

硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ十Ｖ２）或（Ｏ十Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还表明，该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位Ｅ２增加，这可能是Ｖ２Ｏ、Ｖ３Ｏ分解所致。