锥柄麻花钻麻圆尖工艺分析

磨锥柄麻花钻工艺圆尖作为以后各道工序的基准，其麻尖质量好坏将直接影响以钻头的质量和合格率本文就磨工艺圆尖的夹紧定位、受力和定位误差进行了分析，并对存在的问题提出了改进方案。     

弧齿锥齿轮尖齿刮削刀盘的齿形优化设计

采用尖齿刮削刀盘对弧齿锥齿轮硬齿面进行刮削加工时，刀盘切削刃采用斜角直线造形法，切削刃较大刀具造形误差和重磨误差较大。充分分析各种参数对刀具造形误差和重磨误差的影响，合理选取刀具参数，是促进硬齿面刮削加工工艺广泛应用的关键。本文提出了优化尖齿刮削刀盘造形的方法，并对影响刀盘造形误差和重磨误差的参数进行了全面分析，得出了选取造形参数的基本规律。     

钻头磨尖问题几何模型研究

对钻头磨尖问题进行研究，并描绘出制造相关的几何模型。本文提出了斜等距曲面的概念及相应公式，并介绍了它们在钻头磨尖中的应用，最后用具体算例实施了验证工作，表明本文所述方法的可靠性。     

外圆切入磨再生颤振稳定性理论及评价方法

为减小磨削过程中再生颤振现象以提高工件磨削质量,基于再生颤振机理,同时考虑工件及砂轮再生颤振,分别建立外圆切入磨工件、砂轮再生颤振动力学模型．研究了符合外圆切入磨特点的稳定性分析方法并绘制稳定性图,进而提出外圆切入磨再生颤振稳定性评价方法．磨削试验结果与理论分析一致,验证了外圆切入磨再生颤振模型及稳定性理论的正确性．     

双速同步器制造和应用的若干问题

本文主要探讨高精度多相多极正弦绕组的设计方法,从小批试制的观点出发,探索导磁材料的选用,采用由定位孔冲模,单槽冲模和内外圆落料模冲剪铁心冲片,用槽大圆定位代替槽口键定位叠压铁心,定子铁心采用不磨工艺等方面的尝试及试制结果。由旋转变压器的等值电路,推导出双速同步器在配对运行和一台发送机带多台接收机并联运行时有关的计算公式,从测试结果说明所得出的公式具有一定的实用价值。     

淀粉加工型甘薯茎尖的成分分析与利用研究

系统地筛选了甘薯茎尖蛋白质最适的提取酶解条件，比较了淀粉加工型和蔬菜专用型甘薯茎尖的营养成分，研究结果表明:用新鲜甘薯茎尖质量2倍体积的0.1%NaHSO₃溶液、30 ℃下搅拌30 min，水溶性蛋白质的提取率可达52%；在此条件下加入木瓜蛋白酶、50 ℃下搅拌水解4 h，水溶性蛋白质的提取率可提高到75%，茎尖蛋白质的水解度可达24.8%.该方法制备的富含功能多肽的甘薯茎尖粉末的蛋白质、游离氨基酸和黄酮类物质的质量分数分别为24.19%、5.41%和3.31%，与蔬菜专用型甘薯茎尖制备的产品无显著差异.该研究开发了利用淀粉加工型甘薯茎尖制备富含营养和功能多肽的保健食品的工艺，为利用田间废弃的甘薯茎尖开辟了新的途径.     

小型单缸柴油机曲轴中心孔加工工艺的改进

通过对曲轴中心孔加工工艺的改进，保证了曲轴两端中心孔的同轴度，为曲轴的车、铣、磨各工序提供了精确的定位，使曲轴的尺寸精度、位置精度和表面质量得到很大提高，降低了废品率，提高了劳动生产率。     

MLS立磨使用应注意的问题

立磨以其优良的节能性、环保性受到人们的青睐。在实际的工业生产中大多数以立磨粉磨工艺代替了管磨扮磨工艺，是粉磨工艺从原理上有了质的变化，为节能降耗提供了良好的设备条件，但是立磨在使用过程中存在一些问题，本文以MLS立磨为对象进行简要分析。     

大型不锈钢圆网的加工探讨

通过对烘干机大型不锈钢圆网的加工难点分析，重新制定工艺方案，改进加工方法，以保证不锈钢圆网的生产质量，满足产品要求。     

圆磨齿轮滚刀的优化造形法

本文提出了圆磨齿轮滚刀的优化造形法．该方法使圆磨滚刀的造形精度得到明显提高。改变了造形误差随滚刀模数、前角和螺旋升角的传统变化关系。为发展大模数、正前角、多头和小直径精切圆磨齿轮滚刀奠定了理论基础。     

In极性面InN的生长动力学行为

采用第一性原理模拟计算方法,从原子层面出发,了解InN的生长动力学行为.通过计算N和In原子于不同覆盖度下In极性表面的top、h3以及t4位置上的形成能和扩散势垒,了解沉积原子的相互作用和成核.结果表明,In原子比N原子更容易在干净的In极性表面吸附、粘接,并通过扩散找到稳定位置,形成一个较致密的双In原子层.模拟计算了N和In原子在双In原子层和三In原子层表面的扩散,结果显示,在稳定的双In原子层上,N原子将通过垂直扩散穿过顶部In原子层,并在两In原子层表面之间横向扩散,形成纤锌矿结构的InN材料;然而,In原子虽然可形成三In原子层或In滴,其上沉积的N原子也仅能垂直扩散穿过顶部In原子层,长成新的InN分子层,与InN基底间存在双In原子层或更厚的In薄膜,形成不完整的纤锌矿结构InN薄膜.在此基础上,我们提出一新的InN外延两步生长法,以在生长过程中尽量保持表面只存在双In原子层结构,为高质量InN薄膜的外延提供理论依据.     

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究

分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并及及脱附过程，给出了In并入外延层的效率表达式，依据该表达式，解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP－MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响。     

In2S3纳米晶自组装微球的无模板水热法制备及其光催化性能研究

以氧化铟、盐酸和硫脲为原料,采用简单、无模板的水热法于140℃、160℃恒温24 h分别得到In2S3纳米自组装成的不同形貌微米球。产物通过X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对其结构和形貌进行表征.XRD结果表明:两种产物均为纯相立方晶相的In2S3.SEM结果表明:于140℃、恒温24 h得到In2S3纳米粒自组装微球,微球直径约3～4μm.纳米粒大小约20 nm;于160℃恒温24 h也得到In2S3纳米粒自组装形成的微球,微球大小约2.5～10μm,纳米粒大小20～200 nm.以亚甲基蓝-乙醇溶液为模型污染物,考察In2S3在紫外灯照射下的光催化性能.     

In和Pr双填充方钴矿的电子结构及电传输性能研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了未填充型、In单填充型、In和Pr双填充型CoSb_3方钴矿热电材料的电子结构.结果表明:In和Pr双填充CoSb_3方钴矿热电材料可以较In单填充的材料进一步提升费米能级从而有更高的电导率σ,In和Pr双填充CoSb_3方钴矿热电材料导带底有In的5p和Pr的6s轨道产生的局部共振态叠加,进而使得其Seebeck系数更高.由于电导率和Seebeck系数的提升,使得In和Pr双填充能有效提高CoSb_3的功率因子.计算结果很好地解释了实验现象,阐述了双填充方式优化CoSb_3基方钴矿材料的热电性能内在物理机制.     

无汞碱锰电池锌负极的研究（Ⅱ）

在碱性锌锰电池负极铜集电体表面用化学方法分别沉积致密的铟、锌、锡单层和锌铟、锡、铟、锌锡双层金属。用动态析氢实验表征,发现沉积单、双层金属的集电体在含锌粉的7．0mol/L KOH溶液体系中的析氢量比无沉积层的铜集电体析氢量要小,其中沉积锌铟、锡铟双层的析氢量最小,与用循环伏安和极化曲线方法测试金属集电体的电化学行为的结果一致。在相同的条件下,将沉积不同镀层的集电体装配成电池进行放电,实验结果表明：集电体表面化学沉积铟、锌、锡单层或锌铟、锡铟、锌锡双层金属用来生产无汞碱锰电池的放电性能均超过这类电池的国家行业标准QB1185－01中的要求。     

Fe掺杂In2O3薄膜的微结构与磁、输运性能

采用磁控溅射方法制备Fe掺杂In2O3基稀磁半导体(DMS)薄膜.通过XRD、XPS和XANES分析,确定Fe掺杂In2O3薄膜中没有出现Fe团簇以及Fe的氧化物第二相,Fe元素是以Fe2+和Fe3+的形式共同存在.通过输运特性ρ-T和HALL分析确定Fe掺杂In2O3薄膜的载流子浓度约4×1018cm-3,且Fe的掺杂并未改变In2O3的半导体属性.SQUID磁性测试显示Fe掺杂In2O3样品具有明显的室温铁磁性,铁磁性可以由束缚磁极子模型或双交换机制来解释.     

文本分类的性能评估指标

在信息检索领域,查全率与查准率是一对相互制约的指标.为了研究文本分类领域查全率和查准率的关系,在此从理论和实验两方面分析查全率及测试集对查准率的影响.理论分析与实验结果一致得出,在文本分类中查全率和查准率是两个一致的指标.另外,在查全率确定的情况下,测试集中各类别文档比例的变化也会导致查准率的变化.     

以能力为核心的建筑学专业课程体系改革初探

针对地方普通本科院校建筑学专业人才培养模式作了初步探索,在教学方法上,将设计课程分解成以设计能力培养为目的的"环节链";在教学内容上突破单个课程的局限性,围绕设计课程建立起相应的课程群;在师资安排上设计课教师与其他相关课程教师组成团队,共同承担教学任务,适时帮助学生解决设计中的困难,使学生能较快地形成比较完整的建筑设计知识框架,并在此框架下掌握设计方法、培养设计能力以及训练相关技能。     

多维空间中的Markov不等式

在一维空间区间上存在关于实多项式及其导数无穷模之间关系的不等式，即Ｍａｒｋｏｖ不等式。在多维空间中，此类关系受到区域形状影响，远比一维的情形复杂。在已知的反映此类关系的不等式中，有关常数是定性的，该文将采用一种新的证明方法，从而给出这类常数的上界估计。     

嵌入式系统中的低功耗设计研究

在嵌入式系统的设计中,低功耗设计是经常让设计人员头痛而又不得不面对的问题。在嵌入式系统中,其功耗主要由嵌入式微处理器功耗和外围硬件接口设备功耗组成。要降低嵌入式系统的功耗,需要从系统设计的各个方面入手。本文将从电源供给电路、振荡电路、接口电路三个方面来讨论嵌入式系统中的低功耗设计。