掺杂钨丝再结晶机理的研究

本文用纯钨丝作对比,利用扫描电镜和透射电镜系统地观察了直径0.28mm掺杂钨丝退火后的显微组织变化过程,测量了再结晶温度、显微硬度、亚晶尺寸和位错密度。结果表明:掺杂钨丝退火时由于成串钾泡的形成,发生了回复、原位再结晶和第二次再结晶;第二次再结晶驱动力为界面能和残留的冷变形贮能。     

掺杂钨丝的再结晶组织特征

本工作利用透射电子显微镜研究了两种丝径不同的掺杂钨丝的再结晶组织特征,0.4mm的钨丝在2100℃退火状态下呈现不均匀再结晶,而1.25mm的钨丝却强烈地反映出钾泡阻碍晶界迁移和对位错的钉扎作用。作者指出:在研究0.4mm以下掺杂钨丝的再结晶行为时,钾泡的分布状态固然重要,但还应着重研究深度拉拔在纤维组织和织构方面对延缓再结晶过程的作用。对这个问题的深入研究,有利于寻求合理的工艺参数。     

形变和热处理条件对掺杂钨中钾泡弥散状态的影响

利用扫描电镜和透射电镜对采用不同形变和热处理工艺所生产的钨棒和钨丝进行了系统的研究,比较了钾泡的弥散状态和组织性能情况。研究结果表明,钾管的长宽比与变形程度之间有确定的关系,它随不同的变形阶段而变化。本文提出了钾管长宽比的关系式,计算结果与实验结果相符。研究还表明,旋锻加工再结晶退火后钨棒中钾泡的弥散状态,对于最终钨丝中钾泡的弥散状态及高温性能起决定的作用。     

钨丝的回复和再结晶形核机制研究(英文)

采用扫描电镜、透射电镜系统地研究了在1000～2400K温度范围内退火的dia.0.43mm的纯钨和掺杂钨丝的显微组织变化。研究结果表明,这两种钨丝在退火过程中所出现的纤维宽化现象主要是由于平面亚纤维边界离解、亚纤维聚合所至。这种纤维宽化并非为一次再结晶或原位再结晶,而是加工态钨丝回复过程中的一个特殊阶段。纯钨和掺杂钨丝主要都是通过宽化纤维中的粗大亚晶空间胞壁离解、粗大亚晶的二次聚合而形核。但是由于钾泡对于位错和晶界运动的钉扎作用,掺杂钨丝的纤维宽化和形核过程严重受阻,其回复和再结晶过程缓慢、同步发生并延缓到2000K高温。     

掺杂钼丝中钾泡对其组织和性能的影响

采用电子显微镜研究了掺杂元素钾对于掺杂钼丝显微组织和性能的影响。研究发现钾元素存在于细小、规则排列的小孔洞列中。由于这些钾泡的存在,掺杂钼丝的回复和再结晶过程受到抑制,其再结晶在14O0～2200K温度范围内缓慢进行;与此相对应,掺杂钼丝的抗拉强度随退火温度变化的曲线在此退火温度区间内出现一个平台。由于钾泡列导致了一种大长宽比的粗大再结晶组织,掺杂钼丝的高温抗蠕变性能远优于纯钼丝。     

掺杂钨丝再结晶反常行为的研究

本文用光学显微镜、扫描和透射电镜观察了国产纯钨丝和掺杂钨丝退火后的显微结构及断口形貌,测定了它们的抗张强度和显微硬度,结果表明,和纯钨丝相比,掺杂钨丝的再结晶过程反常:其一次再结晶不完全,生成一种类纤维组织,引起二次再结晶晶粒不连续爆发式聚合长大,在粗大的二次再结晶晶粒之间形成了一种特殊的燕尾状搭接结构。作者认为,沿晶界及晶内紧密排列的气泡列,阻碍了晶界迁移和位错的重排,是引起掺杂钨丝再结晶过程反常的主要原因。     

掺杂钨丝的再结晶

本文利用金相显微镜、扫描电镜、透射电镜和X射线衍射技术研究了掺杂钨丝的微观组织变化,同时对不同温度下退火处理的样品进行了抗拉强度、显微硬度和室温内耗的测定。结果表明,掺杂钨丝退火时可分为三个阶段:回复、一次再结晶和二次再结晶。文中提出了亚晶聚合是一次再结晶的主要形核机制的观点。     

掺杂钨带退火过程中的组织与织构演变

对掺杂钨带在1 000～1 500℃等温退火过程中的组织与织构变化进行研究.研究结果表明:未退火钨带为拉长的纤维组织,纤维宽窄不一,纤维内部存在长短不一的条形胞.于1 200℃,1h条件下退火时由于亚晶长大发生纤维宽化与纤维界的锯齿化,但无再结晶晶粒形成.当退火温度升高至1 400℃时,纤维界处出现细小的等轴状再结晶晶粒,这些再结晶晶粒的形成机制是亚晶转动.1 500℃退火后,再结晶晶粒增多,但长大不明显,这主要是由于K泡对亚晶界或位错的钉扎作用,使亚晶转动与亚晶界迁移受到阻碍,延缓了再结晶形核与核心长大.拉拔钨丝织构为[110]丝织构,钨丝轧制为钨带后,[110]丝织构转变为{001}＜110＞和{111｝＜110＞织构,1 500℃退火后,亚晶转动使钨带织构转变为沿α取向线均匀分布的{uvw}＜110＞织构,与拉拔钨丝的[110]丝织构类似.     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶，在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

纳米晶镍涂层与基体的界面扩散研究

在不同温度下（150℃～500℃）对电沉积纳米晶镍镀层与低碳钢基体进行低温扩散退火热处理。利用扫描电子显微镜（SEM）的背散射电子（BSE）像及附带的能量色散谱（EDS）考察了热处理后样品中涂层与基体界面上的相结构变化及过渡层的形成。结果表明,在250℃－500℃范围进行低温扩散退火可以有效促使纳米晶镍涂层与基体界面上原子的互扩散,形成扩散过渡层,同时界面上形成了新的相结构。     

滞后算子在生物种群扩散模型中的应用

构造并分析了一个由微分积分方程初值问题确定的滞后算子，利用这个滞后算子将一类非线性生物种群扩散模转化为一个带滞后算子的抛物型偏微分方程的初边值问题。给出了解的存在唯一性定理，并讨论了解的渐近行为及其在生物实际中的意义。     

扰流色谱的研究：利用扰流色谱测定气体扩散系数

本文分别用返流色谱法和Ｒ（Ｆ）峰法测定了不同温度下有机气体乙烯、丙烯、乙炔在氮气流中的扩散系数和苯、环已烷、乙醇、乙酸乙酯等有机蒸气的扩散系数，讨论了各种操作参量对测量精度的影响，大量测量结果表明，返流色谱法的平均偏差为３．３２％，而Ｒ（Ｆ）峰法为４．４９％。     

深层渗硼层的组织形态及其硼、碳扩散机制的研究

本文探讨了深层渗硼中硼、碳元素的扩散机制,通过光学显微镜和扫描电镜对其组织形态和硼、碳元素分布的观察分析,表明深层渗硼过程中,硼、碳元素中扩散以及深层渗硼层的组织形态与通常的渗硼都有所区别,因此会对其性能产生影响。     

强流金属离子注入分布的模拟计算

给出了一个计算强束流离子注入下杂质浓度分布的数学模型.利用有限差分法,给出了该模型的数值解及计算程序.用该程序对Mo,W等注入离子的浓度分布进行了数值计算,给出了部分结果并同实验结果进行了比较.     

两点式分布概型的信息扩散估计

对小样本两点式分布概型的分布用信息扩散的方法进行了模糊优化处理研究,证明了当样本较小时,本方法优于传统的频率估计方法.以中国象棋棋子为随机试验的原型材料,做了大量的实验来表明这种方法的可靠性.     

h-条件扩散的特性

对一般二阶椭园型算子，讨论了ｈ－条件扩散的鞅特征及条件生命时，并对条件Ｆｅｙｎｍａｎ－Ｋａｃ泛函进行了研究，这样，就把相关的问题推广到了一般椭园型算子。     

黄瓜花叶病毒的侵染扩散及病变细胞的电镜观察

在电镜下观察黄瓜黄叶病毒的侵染扩散部位发现：病毒粒体入侵细胞及复掣一子 体的扩散同烟草花叶病毒一样是以整体形式向细胞壁靠拢，附着，并通过胞间连丝进入易感细胞，同时还发现少量病毒粒体似有直接穿过胞壁入胞的现象。     

活塞环表面碳化铌镀覆新工艺试验研究

用化学液相沉积方法，在高强度灰铸铁活塞环表面实现了Ｎｂｃ覆层，盘销磨擦磨损试验表明，无论在无润滑的情况时，Ｎｂｃ镀层表面要比镀Ｃｒ表面或铸铁原始表面具有更高的耐磨性，可以延长活塞环使用寿命，而Ｎｂｃ镀层与铸铁之间低的磨擦系数可使Ｓ１９５柴油机磨擦损失降低０．３５ｋＷ，降低比油耗９－５ｇ／（ｋＷ．ｈ）。