| GaAs上Ge薄膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 杨茹,任永玲,李国辉,阎凤章,朱红清.GaAs上Ge薄膜的性能研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2001,37(2):180-182. |
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| 作者姓名： | 杨茹 任永玲 李国辉 阎凤章 朱红清 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所, |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金;; |
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| 摘 要： | 用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶，在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。
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| 关 键 词： | Ge／GaAs 白光快速退火 再结晶 界面扩散 光纤通信 光电材料 |
| 修稿时间： | 2000年7月13日 |
A STUDY ON THE PROPERTY OF Ge FILMS ON GaAs |
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| Yang Ru,Ren Yongling,Li Guohui,Yan Fengzhang,Zhu Hongqing.A STUDY ON THE PROPERTY OF Ge FILMS ON GaAs[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),2001,37(2):180-182. |
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| Authors: | Yang Ru Ren Yongling Li Guohui Yan Fengzhang Zhu Hongqing |
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| Abstract: | 800nm Ge is deposited on SI-GaAs in super high vacuum. Ge films recrystalize when anneal temperature is higher than 500℃ and change into polycrystal from amorphous. There is atomic interdiffusion at the interface between Ge and GaAs. After annealing, Ge films become p type according to electric property measurement. It may be the result of the diffusion of Ga in Ge films or the defects in Ge films. |
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| Keywords: | Ge/GaAs RTA recrystalize inter-diffusion at interface |
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