磁场对抛物量子线中强耦合极化子基态能量的影响

本文研究磁场对抛物量子线中强耦合磁极化子基态能量的影响．采用Tcbda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中磁极化子的基态能量E0随约束强度ω0、回旋频率ωc的增大而增大．     

二维晶体中表面磁极化子的性质

采用Larsen方法研究二维晶体中表面磁极化子的性质，导出了表面磁极化子的基态能量，讨论了基态能量与磁场B的关系．计算结果表明：在强磁场情况下，由于电子—表面光学声子—磁场的耦合使表面磁极化子的基态能量下降很多。     

电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响

采用线性组合算符法和变分法研究了电场对抛物量子线中强耦合极化子性质的影响，在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下，计算了抛物量子线中强耦合极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中强耦合极化子的基态能量Eo随约束强度ω0的增强而增大，而随电场强度F和量子线长Z的增大而单调减小．     

抛物量子线中极化子的性质

研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的性质，采用Tokuda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量，并对CAF2、CsI、ZnS和GaAs晶体进行了数值计算，结果表明：两种情况下抛物量子线中极化子的基态能量E0都随约束强度w0的增大而增大。     

多声子对弱耦合体磁极化子性质的影响

研究了磁场中多原子极性晶体中多声子相互作用对弱耦合体极化子基态能量和有效质量的影响．采用么正变换、线性组合算符和拉格朗日乘子法。计算了多声子相互作用对磁极化子基态能量和有效质量的附加贡献．结果表明，基态能量的附加贡献为电子-不同支LO声子-磁场间耦合的附加能量以及电子-不同支LO声子间耦合的附加能量之和，有效质量的附加贡献为电子-不同支LO声子间耦合的附加贡献．     

双声子关联效应对束缚磁极化子基态能量的影响

在LLP正则变换基础之上，引入线性组合算符，选取一个包含双声子关联效应的基态计算库仑束缚磁极化子的基态能量．计算表明，考虑声子关联效应时，束缚磁极化子的基态能量降低．双声子关联效应所对应的能量与耦合常数的二次方密切相关．     

Rashba效应影响下InAs/GaAs自组织量子点中极化子性质

考虑Rashab自旋-轨道相互作用对半导体量子点中极化子基态能量的影响．采用LLP中耦合的方法处理了电子-声子相互作用．结果表明由于Rashba效应的影响使得极化子的基态能量分列为上下两支而且Rashba自旋-轨道相互作用能与总的基态能及其它能量成分间的比例关系，随电子波矢K变化非常显著．Rashba自旋-轨道相互用作使得量子点中极化子基态能量在无任何外磁场的情况下发生分裂，所以完全不同于强磁场影响下的简单Zeeman效应，然而，自旋-轨道相互作用引起的分裂有时掺杂着Zeeman分裂。因此它引起的分裂属于复杂分裂．声子对总能量的贡献为负，由于声子的存在极化子争裂能较裸电子更为稳定．     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

多原子晶体中纯二维极化子的内部激发态

研究多原子晶体中纯二维电子与表面光学声子的相互作用性质，采用线性组合算符和幺正变换方法计算了多原子晶体中纯二维弱耦合极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量．结果表明：多原子晶体中纯二维极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量表示为耦合常数αn的幂级数，不仅包括不同支SO声子与电子耦合的能量，还包括不同支SO声子间相互作用贡献的附加能量．     

抛物线性限制势量子点量子比特的振荡周期

在抛物量子点中电子与体纵光学声子强耦合的条件下，应用Pekar变分方法得出了电子的基态和第一激发态的本征能量及基态和第一激发态本征波函数．量子点中这样二能级体系可作为一个量子比特．当电子处于基态和第一激发态的叠加态时，计算出电子在空间的几率分布作周期性振荡．并且得出了振荡周期随受限长度及耦合强度的变化关系．     

柱型量子点中强耦合磁极化子的性质

采用Pekar类型的变分方法研究在抛物势作用下的柱形量子点中强耦合磁极化子的性质．计算了磁极化子的基态能量,数值计算结果表明，量子点中磁极化子的基态能量随特征频率、回旋频率的增加而增大。     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。     

半导体量子点中磁极化子的性质

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子的基态能量，对GaAs半导体材料进行了数值计算结果表明，量子点中磁极化子的基态能量随磁场的增加而增加，随量子点的厚度增大而减小．     

二维磁极化子的基态能量

本文研究晶体中通过形变势二维磁极化子的性质,采用线性组合算符法和变分法导出了二维电子与表面光学（ＳＯ）声子和表面声学（ＳＡ）声子弱耦合二维磁极化子的基态能量。     

量子阱中弱耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符及幺正变换方法,研究了无限深量子阱中弱耦合磁极化子的振动频率、基态能量和电子-LO声子相互作用能．对不同材料的量子阱进行了数值计算,结果表明：磁极化子的振动频率随回旋共振频率的增加而增大;电子-LO声子相互作用能随阱宽度的增加而单调增加,且在阱宽很小时变化显著,在阱宽较大时变化缓慢,最终趋于体材料的值;磁极化子的基态能量随阱宽和电子-声子耦合常数的增加而减小,随回旋共振频率的增加而增大．     

磁场中表面光学极化子的平均声子数

采用么正变换和变分法研究了磁场中表面光学极化子的性质,计算了表面光学磁极化子的基态能量和平均声子数,讨论了这些量和表面光学声子的频率ωs及耦合强度α的关系.     

晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量

本文采用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间的相互作用时 ,讨论了电子自旋对晶体内弱耦合磁极化子的基态能量和有效质量的影响。对多种晶体所作的数值计算结果表明 :尽管磁场B较弱时 ,电子自旋作用也是较大的。