抛物量子线中极化子的性质

研究了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的性质，采用Tokuda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合和弱耦合两种情况下极化子的基态能量，并对CAF2、CsI、ZnS和GaAs晶体进行了数值计算，结果表明：两种情况下抛物量子线中极化子的基态能量E0都随约束强度w0的增大而增大。     

量子线中强耦合极化子的振动频率

应用Huybrechts线性组合算符和幺正变换方法,研究了抛物量子线中强耦合极化子的性质.导出了抛物量子线中强耦合极化子基态能量、振动频率和声子平均数随量子线的约束强度和电子—声子耦合强度的变化关系.数值计算表明:抛物量子线中强耦合的振动频率和声子平均数均随约束强度和耦合强度的增大而增加.     

磁场对抛物量子线中强耦合极化子基态能量的影响

本文研究磁场对抛物量子线中强耦合磁极化子基态能量的影响．采用Tcbda改进的线性组合算符法和变分法，在考虑电子与LO声子相互作用情况下，计算了抛物量子线中强耦合磁极化子的基态能量．数值计算结果表明：抛物量子线中磁极化子的基态能量E0随约束强度ω0、回旋频率ωc的增大而增大．     

量子线中弱耦合束缚极化子的性质

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究了库仑场对抛物量子线中弱耦合极化子性质的影响.计算了抛物量子线中弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率和声子平均数.讨论了这些量对库仑束缚势和约束强度的依赖关系.数值结果表明:量子线中弱耦合极化子的基态能量随库仑束缚势的增加而减少,随约束强度的增加而增大;振动频率随库仑束缚势的增加而增加,随约束强度的增加而增大;声子平均数随着约束强度的增加而增加,随库仑束缚势的增加而减少.     

Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的声子平均数

采用改进的线性组合算符方法，研究了Rashba效应影响下半导体量子点中强耦合极化子的光学声子平均数．导出在电子-体纵光学声子（LO）强耦合时抛物量子点中极化子的光学声子平均数、振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和Rashba自旋-轨道耦合常数的变化．数值计算结果表明Rashba自旋-轨道相互作用使极化子的有效质量、基态能分裂为上下两支，随耦合常数的增加极化子基态能量、有效质量表现为增加和较少两种截然相反的情形；Rashba自旋-轨道相互作用影响下强耦合极化子的光学声子平均数随量子点的受限强度、电子声子耦合强度增大而增大，极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加，当达到极值后随受限强度的增加而急剧减少．     

抛物量子点中极化子性质的研究进展

综述了近年来对抛物量子点中极化子性质方面的部分工作．在第一节中从电子-LO声子系的哈密顿出发首次采用线性组合算符和幺正变换方法，研究抛物量子点中弱耦合极化子的基态能量和结合能的性质．在第二节中研究量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、基态能量、结合能和光学声子平均数的性质．在第三节中采用改进的线性组合算符方法研究抛物量子点中弱耦合极化子的相互作用能和有效质量的性质．在第四节中研究抛物量子点中与LO声子强耦合极化子的振动频率、相互作用能和有效质量的性质．在第五节中采用Pekar变分方法研究抛物量子点中强耦合极化子基态和激发态的性质．     

抛物量子线中极化子的光学声子平均数

采用线性组合算符法和变分法，在考虑电子—LO声子相互作用情况下，分别计算了抛物量子线中强、弱耦合情形下极化子的振动频率和光学声子平均数．数值计算结果表明，两种情况下，光学声子平均数都随耦合强度的增大而增大．强耦合极化子的振动频率和声子平均数随有效受限长度的减小而迅速增大。     

量子阱中束缚光学极化子

采用线性组合算符及幺正变换方法研究了量子阱中强、弱耦合束缚光学极化子的性质．导出了量子阱中束缚光学极化子的基态能量与库仑束缚势、电子-LO声子的耦合强度和阱宽的变化关系．通过数值计算结果表明：基态能量因电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的不同而不同，它随电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势的增大而增大，当电子-LO声子的耦合强度和库仑束缚势取某一定值时随阱宽的增大而增大．     

声子之间相互作用对量子点中激子性质的影响

本文采用线性组合算符和幺正变换方法研究了抛物型量子点中强耦合激子的性质．当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了量子点中激子的基态能量的影响．以氯化铊半导体为例进行了数值计算,结果表明：激子的基态能量随量子点半径的增大而减小,随量子点受限强度的增大而增大．     

磁场作用下量子阱中极化子的性质

研究了磁场作用下量子阱中弱耦合极化子的性质,计算了磁极化子的有效质量并分别讨论了磁极化子基态能量与其他物理量之间的关系。结果表明:量子阱中弱耦合磁极化子的有效质量仅与耦合强度α有关,且随α增大而迅速增大。随着阱宽的减小基态能量迅速增加,说明量子尺寸效应较显著;基态能量随磁场回旋频率和极化子的速度的增加而增大。     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

有限深势阱中球型量子点中极化子的基态性质

采用平面波展开、求解能量本征方程、幺正变换和变分相结合的方法,研究有限深势阱里球型量子点中极化子的基态性质。数值计算表明极化子的基态能量随势垒宽度和高度的增加而增大,随电子-声子耦合强度和球壳半径的增大而减小。     

量子阱中弱耦合极化子的内部激发态能量

采用线性组合算符和变分相结合的方法,研究了电子与体纵光学声子弱耦合情况下量子阱中极化子的内部激发态能量．导出了无限深量子阱中弱耦合极化子的第一内部激发态能量与阱宽和电子一体纵光学声子耦合强度的函数关系．通过数值计算,结果表明：弱耦合极化子的第一内部激发态能量随阱宽L的增大而减小,随电子一体纵光学声子耦合强度a的增大呈线性减小．     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系，在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明，基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV，这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多，并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

量子阱中弱耦合磁极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了量子阱中弱耦合磁极化子的性质,得到了极化子的基态能量和振动频率、磁场强度以及阱宽之间的关系．数值计算结果表明：随着磁场强度的增加极化子的基态能量增加,随着阱宽和振动频率的增加磁极化子的基态能量减小,阱宽越小,量子尺寸效应越显著．