一种简单多极磁约束的反应离子刻蚀装置的研究

本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ（－３），电子温度为１．９～４．１ｅＶ，等离子体电位１０—５０Ｖ，有磁场的离子密度比没有磁场的离子密度大几个数量级。它是一种具有广泛应用前景的等离子刻蚀装置。     

高压离子交换螯合排代法分离重稀土阻滞离子的研究

研究了以ＥＤＴＡ为排代剂，用高压离子交换螯合排代法分离重稀土元素时，不同的阻滞离子对分离效果的影响．阻滞离子－树脂的亲合力和阻滞离子－排代剂络合物的稳定性是阻滞离子影响稀土元素分离效果的２个因素．在稀土分离中，选择阻滞离子时，综合考虑上述２个因素，是实现有效分离的关键之一．     

P_2O_8~（4－）离子阳极形成动力学与机理以及添加剂的影响

本文用分极化曲线法研究了Ｐｔ电极上ＨＰＯ阳极氧化为Ｐ２Ｏ的动力学与机理．由分解得到的Ｏ２和Ｐ２Ｏ的极化曲线的Ｔａｆｅｌ斜率，低极化区两者均为２．３０３ＴＲ／βＦ；而高极化区两者分别为２．３０３ＲＴ／２βＦ和２．３０３ＲＴ／βＦ（其中β≈０．５）．两者的动力学方程分别为：低极化区：高极化区：此外，还研究了Ｆ－、Ｃｌ－、ＳＣＮ－和（ＮＨ２）２ＣＳ等添加剂对上述两过程分别的影响．发现Ｆ－离子在低极化区对两者均有加速作用，但对ｉ（Ｏ２）的加速作用要大于对ｉ（Ｐ２Ｏ）的加速作用，故使电流效率降低；在高极化区，Ｆ－离子对两者均有阻滞作用，当［Ｆ－］＜２ｍｏｌ／Ｌ时，由于对ｉ（Ｏ２）的阻滞作用要大于对ｉ（Ｐ２Ｏ）的阻滞作用，故使电流效率提高．     

溴离子对银阳极溶出测定影响的研究

本文研究了Ｂｒ￣－离子对银阳极溶出的影响，在０．５ｍｏｌ／ＬＨＮＯ＿３底液中测定银时加入５×１０￣（－４）ｍｏｌ／ＬＢ离子，可以提高灵敏度１０倍以上。其原因是银溶出时生成的Ａｇ￣＋离子与加入的Ｂｒ￣－离子结合生成ＡｇＢｒ沉淀，随后又与过量的Ｂｒ￣－离子生成［ＡｇＢｒ＿２］￣－络合物，加快了溶出反应的进行。富集１０ｍｉｎ，可以测定２．５×１０￣（－９）ｍｏｌ／ＬＡｇ￣＋离子。     

加压排代色谱法分离纯化~(55,59)Fe制备无载体~(60)Co和~(54)Mn的工艺研究

研究了用加压排代色谱法从堆照产物Ｆｅ中分离出无载体放射性同位素６０Ｃｏ，５４Ｍｎ及纯化５５，５９Ｆｅ．以ＤＴＰＡ作排代剂，Ｈ＋为阻滞离子，研究了阻滞离子、排代剂ｐＨ、线性流速及柱比等工艺条件对分离效果的影响．其最佳工艺条件为：ｃＤＴＰＡ＝０．０５ｍｏｌＬ－１，ｃＶｃ＝０．０５～０．１０ｍｏｌＬ－１；ｐＨ＝６．０～８．０；线性流速为７．５～１０ｃｍｍｉｎ－１；柱温：７０℃；柱比大于０．５．     

电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。     

Eu（MDBM）_3·phen配合物的合成及性质研究

首次合成了Ｅｕ３＋离子与对甲氧基苯甲酰－苯甲酰甲烷（ＭＤＢＭ）与１，１０－邻菲罗啉（ｐｈｅｎ）三元混配配合物．实验测得它的化学式为Ｅｕ（ＭＤＢＭ）３·Ｐｈｅｎ．对该配合物进行了元素分析、热谱、红外光谱、荧光光谱的摄取．     

离子／自由基捕获碰撞活化质谱方法及应用

介绍在化学源条件下用自由基捕获剂在离化室内脯获自由基，再经碰撞活化分解 研究碳中心自由基或离子结构的离子／自由基捕获碰撞活化质谱方法（ＩＲＴＣＡ）．并 用甲基叔丁基甲醇为模型化合物，在ＣＨ４－ＣＩＭＳ中质子化后脱水生成碳烯离子 Ｒ＋，由离子－电子再结合生成的自由基Ｒ·用四氰乙烯（ＴＣＮＥ）捕获，根据 〔ＴＣＮＥＲ－ＣＮ〕－的负离子碰撞活化质谱图可以证明新戊基型饱和链状碳烯正离子 在气相发生１．２－甲基转移，这一过程与液相Ｗａｇｎｅｒ－Ｍｅｅｒｗｅｉｒ重排反应相同。     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

5 MW核供热堆高欠热沸腾的特性研究

通过在子通道分析程序ＣＯＢＲＡ－ⅢＣ／ＭＩＴ２中引入能够计算高欠热沸腾区空泡份额的Ｂｏｗｒｉｎｇ模型，定量验证了５ＭＷ核供热堆（ＮＨＲ－５）功率运行时高欠热空泡的存在，且额定工况下堆芯平均空泡率为１．０６×１０－２，并研究了这类空泡的产生及其分布特征。以此为基础，在冷却剂系统分析程序ＲＥＴＲＡＮ－０２中补充高欠热沸腾计算模型，对负荷自跟随特性实验和自稳定性实验进行了分析计算，给出了分析结果与实验结果的比较。同时还研究了高欠热空泡的反应性反馈在动态过程中的作用及其特点。     

碰撞对伴有二次电子发射等离子体鞘层的影响

建立了包括器壁发射二次电子的等离子体鞘层的流体模型,讨论了一维稳态等离子体鞘层中离子与中性粒子的碰撞对含有二次电子发射的鞘层结构的影响。结果表明:碰撞频率的增加,导致鞘层空间的二次电子密度逐渐增大,离子密度是先增加后减小,离子速度则是先减小后增加。从碰撞和二次电子发射比较来说,碰撞频率的增加对于鞘层空间影响更大。另外发现碰撞对于不同带电量的离子来说,带电量较少的离子的等离子体鞘层受碰撞的影响要大一些。     

Exciton condensation and perfect Coulomb drag

Coulomb drag is a process whereby the repulsive interactions between electrons in spatially separated conductors enable a current flowing in one of the conductors to induce a voltage drop in the other. If the second conductor is part of a closed circuit, a net current will flow in that circuit. The drag current is typically much smaller than the drive current owing to the heavy screening of the Coulomb interaction. There are, however, rare situations in which strong electronic correlations exist between the two conductors. For example, double quantum well systems can support exciton condensates, which consist of electrons in one well tightly bound to holes in the other. 'Perfect' drag is therefore expected; a steady transport current of electrons driven through one quantum well should be accompanied by an equal current of holes in the other. Here we demonstrate this effect, taking care to ensure that the electron-hole pairs dominate the transport and that tunnelling of charge between the quantum wells, which can readily compromise drag measurements, is negligible. We note that, from an electrical engineering perspective, perfect Coulomb drag is analogous to an electrical transformer that functions at zero frequency.     

ZrO2-ZiCrAl系功能梯度热障涂层界面残余热应力研究

研究用等离子喷涂方法制备Ｚｒｏ２－ＮｉＣｒＡｌ系功能梯度热障涂层的不同梯度过渡层之间,以及与基体之间界面的残余热应力和功能梯度热障涂层厚度、组分对残余热应力的影响．方法来用热弹性有限元方法．结果所设计的功能梯度热障涂层的界面残余热应力得到有效缓和．结论对于所要保护的基体,可用有限元数值分析结果选择适当的功能梯度材料体系．     

低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析. 结果表明，这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出，实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射，从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减. 此外，通过改变AlGaN量子阱垒层的Al组分，可以调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时，双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下都比较稳定，而Al组分为0.09时，光谱只在40~100 mA电流范围内比较稳定.     

Giant spin Seebeck effect in a non-magnetic material

The spin Seebeck effect is observed when a thermal gradient applied to a spin-polarized material leads to a spatially varying transverse spin current in an adjacent non-spin-polarized material, where it gets converted into a measurable voltage. It has been previously observed with a magnitude of microvolts per kelvin in magnetically ordered materials, ferromagnetic metals, semiconductors and insulators. Here we describe a signal in a non-magnetic semiconductor (InSb) that has the hallmarks of being produced by the spin Seebeck effect, but is three orders of magnitude larger (millivolts per kelvin). We refer to the phenomenon that produces it as the giant spin Seebeck effect. Quantizing magnetic fields spin-polarize conduction electrons in semiconductors by means of Zeeman splitting, which spin-orbit coupling amplifies by a factor of ～25 in InSb. We propose that the giant spin Seebeck effect is mediated by phonon-electron drag, which changes the electrons' momentum and directly modifies the spin-splitting energy through spin-orbit interactions. Owing to the simultaneously strong phonon-electron drag and spin-orbit coupling in InSb, the magnitude of the giant spin Seebeck voltage is comparable to the largest known classical thermopower values.     

低能质子对乙炔分子电子激发效应的研究

探索低能离子特别是质子碰撞对有机分子的电子激发效应对理解低能离子对生物有机体的辐照损伤效应是非常重要的.本文采用第一性原理分子动力学方法模拟低能质子与乙炔分子之间碰撞的动力学过程,研究由于低能质子碰撞导致的乙炔分子的电子激发效应,碰撞过程中质子的能量损失以及靶分子价带上的激发电子的数目,揭示了电子激发效应是电子能量损失的主要机制,证明了关于电子阻止本领的传统线性理论模型不能很好地描述低能离子穿透分子靶时的电子能损,并且阐明了其中的原因.     

金属陶瓷倾斜涂层的热障作用

研究了在大气下用氧—乙炔火焰法实现的Al_2O_3基金属陶瓷倾斜涂层的附着性及其热障作用。结果表明,Cu、Ni/Al金属的加入及梯度成分设计,改善了涂层与基体之间的物理相容性和化学相容性,使热应力、界面应力弛豫,附着性明显提高。同时,该梯度涂层具有良好的抗热震、抗热冲蚀及抗高温铁水烧蚀等性能,热障作用显著。     

垃圾填埋场中水泥土屏障对Cu2+的阻滞性能

通过室内模型试验,研究了不同水泥掺量的水泥土防渗屏障和上海老港填埋场的膨润土砂水泥(塑性混凝土)防渗屏障对Cu~(2+)的阻滞效果,并应用数值模拟的方法对Cu~(2+)在防渗屏障中的有效扩散系数进行求解.研究结果表明,随着水泥掺量和屏障厚度的增加,水泥土屏障对金属离子的阻滞效果会逐步提升;Cu~(2+)在水泥土中的有效扩散系数(1×10~(-7)~2.5×10~(-7) cm~2·s~(-1))是在土中的有效扩散系数(9.53×10~(-6)~1.14×10~(-5) cm~2·s~(-1))的1/35~1/100;上海老港填埋场中的塑性混凝土防渗屏障对Cu~(2+)有较好的阻滞效果.     

气体放电中等离子体流体模型的级数解

数值模拟技术已成为低温等离子体研究的一种有效方法,然而由于耦合性极强的电子、正负离子方程组＂刚性问题＂的存在,使模拟计算受到很大限制,这是等离子体模拟所面临的困难.本文针对气体放电中多离子等离子体流体模型,考虑正负离子、电子间的相互碰撞作用及正负离子、电子的产生消耗和迁移扩散问题,对一般初始边界问题,基于分离变量法,导出了一维形式的正、负离子、电子密度随时间空间变化的级数解,获得了气体放电过程中正、负离子、电子密度时空分布一维形式的解析表示.由于研究的出发点是基于一般形式的带电粒子及电势边界条件,并未涉及具体的电极上电压施加方式,因此本方法不仅适用于直流放电过程而且还适应于交流放电过程.     

双色激光激励对空气中太赫兹辐射增强的研究

利用光电流模型模拟研究在泵浦光中引入400nm倍频光对空气中太赫兹辐射的增强情况,其中空气中氮气离化过程考虑到二阶离化,同时考虑电子在运动过程中与周围离子、分子的碰撞。结果表明,400nm激光的引入打破了原激光电场的对称性,导致了光电流中漂移成分的产生,大大增强了最后的太赫兹波输出强度。