Fe─Mn─Si─Ni─Cr合金的形状记忆效应

研究了Ｆｅ－１４Ｍｎ－５Ｓｉ－９Ｃｒ－５Ｎｉ合金温轧板材在不同温度固溶处理后的形状记忆效应．结果表明，经７００℃加热６００ｓ水冷固溶处理，完全回复应变达２．２％，回复率为９０％以上．固溶处理态奥氏体的微观结构对形状记忆效应有显著作用     

原始组织对Fe—14Mn—5Si—9Cr—5Ni合金形状记忆效应的影响

采用不同的预处理工艺，在Ｆｅ－１４Ｍｎ－５Ｓｉ－９Ｃｒ－５Ｎｉ合金的原始组织中，引入不均匀的全位错、回复亚晶、α′马氏体和化合物相来强化母相奥氏体，测试了合金在不同组织状态时的形状记忆效应．结果表明：对母相奥氏体的强化，能有效抑制预应变时奥氏体的不可逆塑性变形，从而使合金的回复应变和形状回复率显著提高     

Fe—Mn—Si—Ni—Cr合金的形状记忆效应

研究了Ｆｅ－１４Ｍｎ－５Ｓｉ－９Ｃｒ－５Ｎｉ合金温轧板材在不同温度固溶处理后的形状记忆效应，结果表明，以７００℃加热６００ｓ水冷固溶处理，完全回复应变达２．２％，回复率为９０％以上，固溶处理态奥氏体的微观结构对形状记忆效应有显著作用。     

Fe－Mn－Si－Cr形状记忆合金的耐腐蚀性能

通过腐蚀重量法实验及电化学测试，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ形状记忆合金的耐腐蚀性能，并与Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金及１８－８铬镍不锈钢的耐腐蚀性能作了比较。结果表明，Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金的耐腐蚀性能明显高于Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ合金中随着铬含量的增加，其耐腐蚀性能也相应提高。     

Fe-Mn-Si-Cr-Ni 系形状记忆合金 γε 相变温度与成份的关系

对现有ＦｅＭｎＳｉ、ＦｅＭｎＳｉＣｒＮｉ系形状记忆合金的成份和γε马氏体相变温度的实验测定数据进行了多元线性回归处理,建立了马氏体相变温度Ｍεｓ、Ａεｓ以及相变热滞（Ａεｓ－Ｍεｓ）与合金成份之间的定量经验关系．结果表明：Ｍｎ、Ｃｒ、Ｎｉ元素均降低相变温度Ｍεｓ和Ａεｓ;但Ｓｉ明显使其升高．同时表明此类合金中的Ｓｉ、Ｃｒ含量增加,合金的相变热滞增大．这一结果为此类合金的成份设计提供了依据．     

Fe—Mn—Si—Cr—Ni系形状记忆合金γ→←ε相变温度与成份？…

对现有Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ,Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ｎｉ系形状记忆合金的成份和γ→←ε马氏体相变温度的实验测定数据进行了多元线性回归处理,建立了马氏体相变器Ｍεｓ,Ａεｓ以及相变热滞（Ａεｓ－Ｍεｓ）与合金成份之间的定理经验关系,结果表明：Ｍｎ,Ｃｒ,Ｎｉ元素均降低相变温度Ｍεｓ和Ａεｓ,但Ｓｉ明显使用升高,同时表明此类合金中的Ｓｉ,Ｃｒ含量增加,合金的相变热滞增大,这一结果为此类合金的成份设计提供了     

铁基形状记忆合金热塑性

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金热塑性。结果表明：合金中硅含量的增加可提高合金的记忆效应，却严重损害合金热塑性；微量元素Ｍｇ的加入可大大改善合金的热塑性，而不降低记忆效应。由于Ｍｇ元素的加入，含Ｓｉ量达４％的Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金也能顺利地热轧成无缝管，提高了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金实用性。     

Fe—Mn—Si基形状记忆合金的奈尔温度（TN）对马氏体相变...

用静电音频内耗仪测量了Ｆｅ－３０．３Ｍｎ－６．１Ｓｉ,Ｆｅ－２９．０５Ｍｎ－６．２７Ｓｉ－ＲＥ,Ｆｅ－２６．４Ｍｎ－６．０２Ｓｉ－５．２Ｃｒ形状记忆合金在１５０￣６００Ｋ温度范围的内耗及模量变化,确定了三种合金的ＴＮ温度及Ｍｓ温度,通过计算ε→γ相变内耗峰的面积,研究了奈尔温度ＴＮ对γ→ε马氏体相变的影响。结果表明,合金成分显著地影响ＴＮ温度,其中ＲＥ和Ｃｒ均降低ＴＮ温度。随着ＴＮ温度的降低,Ｍｓ     

MnS添加方式对Fe－Cu－C－MnS烧结钢力学性能影响

比较了混合法及预合金法添加ＭｎＳ的Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃ－ＭｎＳ烧结钢中ＭｎＳ分布特点和钢的力学性能的差异。结果发现：采用混合法添加ＭｎＳ时，存在于铁颗粒间的ＭｎＳ将影响铁颗粒间的烧结，降低了铁颗粒间连接强度，降低了烧结钢的力学性能；而采用预合金法添加ＭｎＳ时，ＭｎＳ均匀分布于烧结体内部，对铁颗粒间烧结影响很小，故不影响Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃ－ＭｎＳ烧结钢的力学性能。     

MnS添加方式对Fe—Cu—C—MnS烧结钢力学性能影响

比较了混合法及预合金法添加ＭｎＳ的Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃ－ＭｎＳ烧结钢中的ＭｎＳ分布特点和钢的力学性能的差异，结果发现：采用混合法添加ＭｎＳ时，存在于铁颗粒间的ＭｎＳ将影响铁颗粒间的烧结。降低了铁颗粒间连接强度，降低了烧结钢的力学性能；而采用预合金法添 加ＭｎＳ时，ＭｎＳ均匀分布于烧结体内部，对铁颗粒间烧结影响很淡，主不影响Ｆｅ－Ｃｕ－Ｃ－ＭｎＳ烧结钢的力学性能。     

铁基形状记忆合金及其记忆效应

论述了铁基形状记忆合金的研究进展和记忆效应,对六种铁基记忆合金的特性作了简介。提出了尚待解决的问题和对今后发展的看法。     

中枢记忆性T细胞和效应记忆性T细胞

免疫记忆是适应性免疫应答的重要特征,其细胞学基础的阐明是疫苗开发和疾病预防的关键。近年来的研究表明,记忆性T细胞可以被进一步划分为中枢记忆性T细胞和外周记忆性T细胞2个亚群,它们的分布和功能迥异,在生物学特性上也不尽相同。二者关系的深入探讨对于免疫记忆的认识和疾病防治均具有重大的理论和实践意义。     

内隐还是外显记忆: 对女性面孔吸引力记忆偏好的ERP研究

运用事件相关电位(ERPs)技术, 采用学习-再认的实验范式, 考察38名大学生(21名男生和17名女生)对女性面孔吸引力再认记忆的认知神经机制。结果发现大学生对女性面孔吸引力的记忆偏好存在性别差异, 再认任务中有吸引力的女性面孔诱发了男性更负的早期ERP成分(N90, N220和N300), 而对女性的效应并不显著。这可能与两性在遗传基因、性激素、大脑结构与功能上的不同有关。进一步对男性的记忆特点进行分析发现, 内隐记忆效应在N80和LPC(300~600 ms)上表现显著, 其最强效应出现在中央区和顶区; 外显记忆效应在P170和LPC(400~600 ms)上表现显著, 其最强效应出现在前额区和额区。表明男性对有吸引力女性面孔的记忆偏好效应更大, 且内隐和外显记忆的脑机制在单一的再认任务中产生了分离。     

Flash Memory程序存储器实验的设计

介绍了FLASH存储器芯片W29C011A的读写操作和软件数据保护方法，设计了基于52单片机实验系统的FLASH存储器实验项目，在不用编程器的条件下，利用FLASH存储器的ISP功能将机器码写入FLASH存储器芯片，实现程序存储器功能。     

内存池在Vxworks系统内存管理中应用

实时性、可靠性是嵌入式应用使用自己的内存管理程序的要求。概要地分析了嵌入式操作内存管理的实现原理,在此基础上详细阐述内存池的算法,并描述了它的实现方法。     

结构与记忆--兼论化学学习方法

1 物质结构与性质认识、记忆的关系 学生在化学学习中普遍存在着“化学缠”的问题,即学生并非根本不会,但是总觉得模糊不清,头绪不明。这种现象反映出学生对化学学习既缺乏科学的方法,又缺乏对化学学习规律的整体认识。实际上中学化学教材中,物质结构理论像一根红线贯穿教材始终。结构决定性质,性质反映结构,存在、制备、用途又反映出物质     

"记忆大师"揭秘记忆之谜

现年46岁的英国人多米尼克·奥布雷恩(DominicO’Brien),曾八次获得世界“记忆大师”的称号。在接受一家德国杂志采访时,他向人们介绍了记忆的技巧以及训练记忆力的方法。他认为,记忆的关键在于想象。没有想象力,记忆力便无从谈起。人在青少年时期想象力非常丰富,所以对各种童话和圣诞老人等都深信不疑。使用脑电图仪对青少年的大脑活动进行研究发现,在这一时期,大脑α波和θ波的活动非常强。这两种波运动缓慢,主要是在人做梦或回忆时出现。从上学开始,尤其是当人主要进行理性思维时,大脑中出现的则是另一种运动速度较快的脑波,即β波。奥…     

基于脑电信号分析的正确记忆与错误记忆的差异性

旨在探索工作记忆中正确记忆与错误记忆的差异性,更好的区分正确记忆与错误记忆。本文设计了基于DRM范式的改进的脑电实验,采集被试的脑电数据,探究正确记忆与错误记忆的差异性。采用时频域分析的方法分别对δ、θ、α、β、γ波进行了差异分析,对具有显著差异的频段采用皮尔逊相关方法分别构建脑功能网络,并对脑网络特征属性进行了对比分析。结果显示,大脑前顶区错误记忆θ、α2波能量谱密度显著大于正确记忆(P<0.05)。对脑网络的分析结果显示,大脑前后额区、后顶区θ、α2波脑功能网络连接正确记忆显著多于错误记忆;正确记忆θ、α2波节点度均显著高于错误记忆,α2波聚类系数正确记忆显著高于错误记忆;正确记忆与错误记忆θ、α2波介数中心度均无显著差别。结果表明,正确记忆任务θ、α2波大脑功能连接通路较错误记忆任务更多。正确记忆平均反应时长是961.56ms;错误记忆平均反应时长是1097.99ms。结果表明,与正确记忆相比,错误记忆反应时长明显长于正确记忆。研究结果表明,大脑前顶区正确记忆与错误记忆脑波活动能量差异表现最明显,差异波中错误记忆大脑活跃度均显著高于正确记忆;大脑后额区θ、α2波脑网络连接程度及节点度差异最明显,正确记忆均显著大于错误记忆,可能同存在后额-前顶记忆机制,使得正确记忆与错误记忆存在明显差异。     

内存优化漫谈

内存与CPU配合的好坏，直接影响电脑性能的发挥。利用操作系统对内存进行各种优化设置，可以使有限的内存得到最大程度的使用，从而提高CPU的利用率，提高电脑性能。