I~2C总线协议在80C51单片机上应用的实现

本文介绍了 I~2C 串行总线结构和特点,并结合其在80C51单片机上的应用,以 PCF8582(EEPROM)为例,给出了实现 I~2C 总线协议的程序。     

试谈充电过程中能量的耗散与回路的电阻值无关

在物理学中,焦耳——楞次定律常表示为Q=I~2Rt(J),放出的热量总是和电阻有关;但当我们把电容器接在电源两端时,不管所用的接线是铜线还是钨丝,测得导线放出的热量均相同,即热量与电阻无关,本文的立意,就在于解决这个“有关”与“无关”的问题。     

单模染料激光的一种新模型和类一级相变

本文提出了一种描述单模染料激光光强随机变化的新模型,该模型考虑了“饱和项”的色噪声、自发辐射量子色噪声项(即ξ_1I~2和ξ_2I~(1/2))以及外来强制项的影响,运用有效FPE方法,得到了该模型的有效FPE及光强定态几率分布P_st(I).考虑稳定性条件和几率收敛条件,分析了P_st(I)的全部可能类型,得出P_st(I)在时间反演下出现双峰等新结论.     

A-O-混凝-固定生物活性炭组合工艺处理煤气废水的中试研究

采用“A-O-混凝-固定化生物活性炭（IBAC）”组合式工艺对煤气废水进行了中试研究，并在生化段采用了水解酸化池与接触氧化池串联。研究结果表明，在进水CODc，〈2500mg／L、NH^＋ 4- N〈150mg／L、多元酚〈600mg／L和单元酚〈100mg／L时，处理后的水质可以达到CODe，〈150mg／L、NH^＋ 4-N〈25mg／L、多元酚〈20mg／L和单元酚浓度介于0．053-0．809mg／L之间。该工艺对CODe，的去除率〉90％，单元酚去除率〉95％，NH^＋ 4-N去除率〉80％。     

关于I~2上的max-product矩阵的特征空间

把定义在I上的max-product模糊矩阵扩展到I~2上,对I~2上的max-product矩阵的严格递增的特征向量进行了刻画.还给出了这类矩阵的严格递增特征空间是非空的充要条件.     

基于I~2C串行总线的两点温度测量系统设计

温度是工农业生产中一个普遍而又重要的参数。因此,对于温度这个参数的测量与控制就显得尤为重要。该文设计了基于I~2C串行总线的两点温度测量系统,阐述了I~2C总线的特点及基本原理,选用了STC89C52单片机为系统的核心,并设计了单片机的时钟电路、复位电路和电源电路,选用了DS1621温度传感器采集环境温度,选用了液晶显示器LCD1602显示采集到的温度值,并进行了单片机端口的选择和各器件之间的连接,进行了LCD1602和DS1621芯片的驱动程序和主程序的编写,并进行了仿真。     

硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.     

氧化物纳米线肖特基势垒的输运特性及光电器件研究

基于一维半导体纳米材料发展新型纳米光电器件是纳米科技研究中的重要领域.近年来纳米线肖特基势垒的输运特性及其在光电器件方面的应用受到研究人员的广泛关注.本文中,对氧化物纳米线肖特基势垒的研究背景以及我们近年的研究进展进行评述,主要包括以下三个方面:(1)氧化物纳米线肖特基势垒的输运特性研究;(2)氧化物纳米线肖特基势垒输运特性的调控方法探索;(3)基于氧化物纳米线肖特基势垒的光电器件研究.     

一个改进的八节点三维非协调等参元

本文把E,L WILSON等人提出的对平面非协调等参单元满足“分片试验”的修正条件推广到三维等参砖块单元,给出了满足分片试验的证明。数值算例说明,所得的结果是满意的。     

2.45 GHz紧凑型微带整流天线阵列

为了提升整流天线的微波功率容量与直流输出功率,本文提出了一款基于肖特基二极管的紧凑型微带整流天线阵列,工作频率为2.45 GHz,采用HSMS-2700肖特基二极管作为整流器件,并采用倍压电路提升功率容量与直流输出功率。在输入微波功率2 W时,单支整流电路的最大输出直流功率为0.93 W。将整流电路集成到贴片天线后,形成整流天线阵列。结果表明,天线阵列最大可输出14.03 W的直流功率,尺寸为217 mm×275 mm×2 mm。整流天线阵列结构紧凑,输出直流达到了117.6 mW/cm~3。     

宽禁带SiC肖特基势垒二极管的研制

采用微电子平面工艺 ,高真空电子束蒸发金属Ni作肖特基接触 ,多层金属Ni、Ti、Ag合金作欧姆接触 ,SiO2 绝缘环隔离减小高压电场集边效应等技术 ,制作出Ni/4H SiC肖特基势垒二极管 (SBD) .该器件在室温下反向击穿电压大于 450V ,对应漏电流为 6× 1 0 -6 A .并对实验结果进行分析模拟 ,理想因子为 1 .73 ,肖特基势垒高度为 1 .2 5V ,实验表明 ,该器件具有较好的正向整流特性和较小的反向漏电流 .     

基于Pd/SiNWs/p-Si结构的高灵敏常温氢气传感器

采用无电镀Pd的方法,在硅纳米线上制备了一层Pd.首次制备出了能够在室温下工作的Pd/SiNWs肖特基氢气传感器.SEM(Scanning Electron Microscopy)(扫描电子显微镜)表征结果表明,硅纳米线表面Pd层是由Pd纳米颗粒组成.Pd/SiNWs肖特基二极管I-V测试结果表明,该传感器可以在室温下进行氢气(H2)浓度的检测,且可检测的浓度范围很大,同时给出了Pd/SiNWs/p-Si肖特基二极管在常温下进行检测H_2的敏感机理.实验表明,这种新型传感器可以在室温下进行H2检测,且具有很大的发展潜力,可以应用于燃料电池等诸多领域.     

屈曲约束支撑线接触长度的简化计算

针对屈曲约束支撑,提出了核心单元与约束单元由点接触过渡到线接触时,线接触长度的简化计算方法.针对所采用的力学模型,利用轴心受压杆件的四阶微分方程,忽略不稳定的偶数阶反对称屈曲模态,并引入线接触终止点处杆件曲率为零的简化假定,推导了核心单元与约束单元发生线接触时的荷载变化范围以及挠度计算公式,重点讨论线接触段最大长度的简化计算.理论分析表明:线接触长度与核心单元和约束单元的间隙无关,仅与核心单元两端的约束情况有关;当核心单元两端采用铰接时,线接触段的最大长度为L/2(L为核心单元的长度),随着轴向荷载P的增大,将发生线接触段的再次屈曲;当两端采用固定连接时,线接触段的最大长度为L/3,随着轴向荷载P的增大,也将发生再次屈曲.该公式不仅物理意义明确,而且具有简单的表达形式,适合进行接触长度的快速求解.     

离子溅射Ti、Pt、Au的研究

本文研究了直流多靶溅射Pt_5Si_2—Ti—Pt—Au多层金属化系统的溅射条件并讨论了梁式引线和肖特基势垒二极管的生成机理。     

短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究

肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂.采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性.结果表明:在MPS阳极区(p 区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数.     

完备格上的超分子理论

研究定义在完备格上的“超分子”的有关性质,并讨论它和分子、强分子之间的关系,并在此基础上证明了在｜L｜＝2^n时,SM（L）＝M（L）。     

基于双层人工表面等离激元的高扫描率漏波天线

针对传统人工表面等离激元(SSPPs)漏波天线扫描速率低的现象,提出了一种新型双层SSPPs单元,并基于此实现了拥有高扫描率特征的漏波天线。所提出的双层SSPPs单元由具有“H”形的顶层SSPPs单元和具有“I”形的底层SSPPs单元组成。所提出的单元通过分别控制顶层和底层SSPPs单元的色散特性,能够实现对色散曲线的截止频率和斜率的独立控制。所提出的漏波天线的辐射是通过对顶层的“H”形单元进行正弦表面阻抗调制来实现的。由于底层“I”形的SSPPs单元的存在,引入了强色散特性,提高了周期相移的增长速率,从而实现了高扫描速率。此外,通过在周期辐射结构上引入短路枝节,该漏波天线的开阻带(OSB)现象被几乎完全抑制。通过对所提出的漏波天线的原型进行仿真、加工和测量,该漏波天线能够在8.8～10.8 GHz之间的窄频段实现从后向-63°到正向63°的大角度连续扫描。测试结果与仿真结构一致证明了提出双层SSPPs单元与设计理论的正确性。     

含苯并咪唑基的两个钴(Ⅱ)配合物合成、结构及表征

采用水热法合成了配合物Co(Pydca) (L1)3 (1),{[Co2(L2)2Cl4]·3DMF}n(2) (H2Pydca=2,6-吡啶二羧酸,L1=5,6-二甲基苯并咪唑,L2=1,4-二(5,6-二甲基苯并咪唑)丁烷,DMF=N,N'-二甲基甲酰胺),并借助于元素分析、红外光谱、X-射线单晶衍射等手段进行了表征.配合物1的晶体结构中存在着一种晶体学上独立的单核钴单元,钴中心为六配位畸变八面体构型,通过N-H…O氢键作用单核钴单元从零维堆积成三维的网络结构;配合物2通过配体L2桥联呈现出Z型一维链结构,并进一步通过7-7堆积作用形成二维超分子结构.     

应用电磁瞬态程序(EMTP)的限流熔断器的仿真试验模型

本文叙述限流熔断器的仿真试验模型,熔断器的不同工作阶段用电气元件来模拟,该模型使用范围有限,但很简单,该模型可建立在熔化时间小于1/4个周期的条件下,能产生I~2t最大值的电源电压截止角,该模型也能表明I~2t的允通值是如何受到熔断器中电压对时间分布图的影响的。 仿真试验模型的建立减少了熔断器试验次数,大大节省了昂贵的试验费用。     

复合材料叠层板弯曲问题有限元分析

通过“单体检验”并以“自由公式”为基础的任意四边形,考虑剪切变形的板弯曲单元体为出发点,并采用等参数平面应力单元而构造了一种新型的复合材料叠层板弯曲单元体。数值结果表明此种单元得到的数值解与精确解误差很小,证明了此种单元的优越性能。