利用毛管模型研究泥岩自然电位特性

利用多孔介质毛管模型建立了孔隙饱和介质电化学传质动力学理论，推导出泥岩的自然电位测井响应方程。结果表明：（1）扩散吸附电位Eda随地层水矿化度与泥浆滤液矿化度比值（Cw/Cm)的增大而增大，当地层水矿化度一定时，阳离子交换量Qv越大，扩散吸附电位越大；（2）扩散吸附电位随着温度的升高而增大；（3）在对称电解质溶液中，溶液的价数越高，扩散吸附电位越小；（4）井条件下自然电位的幅度差随阳离子交换量的增大而变小。     

介质流速对海洋金属结构物阴极保护电位的影响

将流场分析和电位场分析结合起来，分析绕流速度对海洋金属结构物表面阴极保护电位的影响，从而为给出更合理的阴极保护电位的计算方法提供依据，利用边界元法研制了流场分析和电位场分析通过程序－－ＰＣＢＥ，可计算有限域，无限域或半无限域问题，对圆柱绕流问题进行了计算，不同方案计算结果表明，表面介质流速对阴极保护电位的影响是明显的。     

电位分析法在非水介质中的应用

评述电位分析法在非水介质中的应用，对测定中所用指示电极、参比电极、有机溶剂及出现的液接电位问题进行了讨论。     

利用探针法研究二次电子发射过程中介质材料的表面电位

为研究介质材料二次电子发射过程中表面电位的测量手段及相关规律,以拒斥场会影响二次电子出射为基础,提出了能够原位测量介质材料表面电位的探针法。首先,利用专业电磁仿真软件对探针法原理进行了研究,计算了探针附近电位分布和探针偏压对二次电子发射系数的影响曲线,此曲线拐点处对应的探针偏压即为样品的表面电位;其次,用铜样品进行了实验研究,验证了探针法测量样品表面电位的可行性;最后,将探针法应用于介质材料聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),对其表面电位进行了实验测量和研究。结果表明:栅网偏压和入射电子能量对PMMA表面电位有直接的影响,PMMA表面电位总是高于栅网偏压,两者呈线性关系;随着入射电子能量的增加,PMMA表面电位呈现先升高后下降的趋势。实验结果与理论分析相一致,验证了探针法测量介质材料表面电位的可行性。该方法操作简便、成本低廉,而且实现了原位在线测量,减小了实验中的不稳定性,对介质材料二次电子发射机理的研究有一定的参考价值。     

应用井-地电位测量技术判断油层高渗透带方向

提出了一种新的确定高渗透带的方法——井-地电位测量方法，它是在地表测量由套管流入地层中的电流在非均匀电性变化的地下介质中形成的电位分布，来求得地下介质的电阻率分布，从而研究高渗透带的分布。介绍了该方法的理论基础、测量原理和模拟计算方法，并重点介绍了井-地电位测量数据的成像处理方法和实际应用。采用该方法在大庆油田采油三厂北三区的两口井中进行了矿场试验，试验结果表明采用该方法确定的油层高渗透方向与开发动态吻合程度较高，该方法具有较高的可靠性。     

尿素级316L不锈钢的非敏化晶间腐蚀与电位的关系

用恒电位浸蚀方法在高压金属素介质中研究了供货态316L不锈钢的非敏化晶间腐蚀与电位区段的关系,并在常温硫酸介质中研究了316L不锈纲非敏化晶间腐蚀的发展过程及其与电位值的关系。     

Ou-40Ni-20Cr合金在含Cl^-介质中的电化学腐蚀行为研究

利用动电位扫描法和交流阻抗技术研究了传统电弧熔炼制备的Cu-40Ni-20Cr合金在不同Cl^-浓度的腐蚀介质中的电化学腐蚀行为．结果表明：合金在单一Na2SO4介质中具有较低的腐蚀电流，腐蚀速度较慢，腐蚀过程由电化学控制腐蚀，电化学阻抗谱呈单容抗弧特征．在含Cl^-腐蚀介质中，随着Cl^-浓度的增加，自腐蚀电位不同程度负移，腐蚀电流增大，腐蚀速度加快．Cl^-浓度大于0.02mol·L^-1时，出现Warburg阻抗特征，腐蚀过程由电化学控制转为扩散控制；加入Cl^-后，极化电阻减小，腐蚀过程中存在一定弥散效应．     

聚苯胺电极的制备及其电化学聚合的影响因素

采用1mol／L硫酸作为介质，扫描速度为100mV／s．扫描电位为-0．2～0．8V，用循环伏安法在纳米二氧化钛（Nano-TiO2）膜电极上实现了苯胺的电化学聚合。结果表明复合膜的生成、峰电流的大小受溶液浓度、扫描速度以及扫描电位的影响，成膜速度随溶液浓度增大而加快，但膜稳定性降低，峰电流随扫描速度和电位增大而提高，可逆性降低．     

氧化还原反应中状态参数的作用

对于水溶液中的物质若状态参数变化时可能会引起许多物理变化和化学变化。下面讨论条件变化影响氧化还原反应的几种情况。在氧化还原反应中,介质的酸度对氧化还原电位是有影响的。介质的酸度不同,其电位也就不同。本文将着重讨论PH 值改变时半反应的电位是否发生改变,改变的原因,以及,介     

原位X—射线衍射技术研究银在碱性介质中形成AgO

用循环伏安法通过改变ＫＯＨ浓度及改变电位挪速等研究了ＫＯＨ介质中银电极表面上ＡｇＯ的形成，着重探讨了电位负扫方向上出现倒峰的条件，采用原位Ｘ－射线技术进行表征，研究结果表明，这一倒峰的出现与ＫＯＨ浓度，电位扫速等因素有关，该峰代表了ＡｇＯ继续生成的阳极氧化峰。     

去掺杂态N-乙基苯胺与苯胺共聚物的防腐性能

利用动态电位极化法和开路电位法，研究了去掺杂态N-乙基苯胺与苯胺（EA／AN）共聚物的防腐性能．结果表明，仅涂有EA／AN共聚物的钢板在强酸性、NaCl水溶液和自来水介质中的自腐蚀电位，分别为-487，-495和-354mV，腐蚀速度分别为0．1110，0．0208和0．0277g·m^-2·h^-1,降低倍率远远大于仅涂覆聚苯胺的钢板．以EA／AN共聚物涂层为底漆、环氧树脂为面漆的复合涂层具有最佳的防腐效果，尤其在强酸性介质中，该共聚物复合涂层钢板的开路电位在浸泡过程中不降反升．在长达半年的浸泡中，涂层平滑，粘结紧密不脱落、不起泡，也元锈点．     

考虑三相界面形态的多孔气体扩散电极数学模型

根据电化学中电导和多孔介质内电解质溶液的欧姆定律的原理,应用渗流力学知识建立单元体内电流与过电位的数学关系,并定义了有效三相分界线长度,在单孔电极过程的数学模型基础上建立了基于多孔介质理论的一维过电位数学模型,可以用来计算电池的电流电压输出.     

高频焊管微区腐蚀电位分布

采用微区电位测试技术，分别测定了４种管线钢焊接接头在混合硝盐介质中的微电位分布图。结果表明：４种管一钢焊接接头的焊缝部位最易于发生局部腐蚀，其焊接接头抗局部腐蚀能力由大到小依次为住友、川崎、１１＃、５＃。     

用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面…

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图。研究腐蚀发生，发展过程。实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘。涂层一旦破裂，在Ｃｌ＾－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＬ＾－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐步受抑制几种温敏二极管而在ＣＯ＾２－３介质中腐蚀不发生。     

原位X－射线衍射技术研究银在碱性介质中形成AgO

用循环伏安法通过改变ＫＯＨ浓度及改变电位扫速等研究了ＫＯＨ介质中银电极表面上ＡｇＯ的形成，着重探讨了电位负扫方向上出现倒峰的条件，采用原位Ｘ－射线技术进行表征．研究结果表明，这一倒峰的出现与ＫＯＨ浓度、电位扫速等因素有关，该峰代表了ＡｇＯ继续生成的阳极氧化峰．     

砷黄铁矿自诱导浮选的研究

给出了砷黄铁矿自诱导浮选的矿浆电位-pH关系。酸性介质中可浮电位区较宽,碱性介质中较窄。热力学计算表明了可浮区的意义和导致砷黄铁矿表面疏水的机理。表面溶剂提取-化学分析技术建立了砷黄铁矿表面的疏水/亲水平衡关系。结果表明,中性硫是主要疏水体。     

利用毛管模型研究泥岩自然电位特性

利用多孔介质毛管模型建立了孔隙饱和介质电化学传质动力学理论 ,推导出泥岩的自然电位测井响应方程。结果表明 :( 1)扩散吸附电位Eda随地层水矿化度与泥浆滤液矿化度比值 (Cw/Cm)的增大而增大。当地层水矿化度一定时 ,阳离子交换量Qv 越大 ,扩散吸附电位越大 ;( 2 )扩散吸附电位随着温度的升高而增大 ;( 3 )在对称电解质溶液中 ,溶液的价数越高 ,扩散吸附电位越小 ;( 4 )井条件下自然电位的幅度差随阳离子交换量的增大而变小。     

用有限差分法分析电介质静电场特性

电介质内的电位分布、电场分布和极化等特性相对常规静电场问题难于理解.在介绍有限差分法求电位分布原理的基础上,导出了介质中拉普拉斯方程的有限差分形式;通过巧妙设计非均匀介质区域并运用Matlab求解,分析了电介质的静电场特性.理论分析与仿真计算结果符合较好.     

碱性介质中正丁醇在Pt电极上氧化和吸附的EQCM研究

用电化学循环伏安和石英晶体微天平研究了碱性介质中正丁醇(1-BL)在Pt电极上氧化和吸附过程。结果表明正丁醇的氧化与溶液酸碱性关系密切。酸性介质中正丁醇在Pt电极上的CV曲线有两个正向氧化峰，而碱性介质中只有一个正向氧化峰，第二个氧化峰的消失可能是由于碱性介质中电极钝化引起的；负向电位扫描中正丁醇在碱性介质中观察不到负向氧化峰，而酸性介质中正丁醇的氧化出现阳极支与阴极支相互交错的伏安行为，表明碱性介质中正丁醇在Pt电极上氧化不遵循双途径机理，本文还从表面质量定量变化的角度提供了碱性介质中正丁醇反应机理的新数据。     

用阵列电极研究不同阴离子介质中有机涂层/铁电极界面腐蚀行为

应用阵列电极测量不同阴离子介质中有机涂层／铁电极界面电位分布图，研究腐蚀发生、发展过程．实验结果表明：腐蚀优先发生在有机涂层／铁电极界面边缘．涂层一旦破裂，在Ｃｌ－介质中腐蚀很快发生并不断发展，在ＮＯ－３介质中腐蚀也很快发生，一段时间后就逐渐受抑制，而在ＣＯ２－３介质中腐蚀不发生．与常规电极相比，阵列电极能给出更详细的腐蚀界面的电化学参数．