磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.     

用有限元法计算鱼鳍线的色散特性

本文用有限元法从求解非均匀介质填充波导本征值问题入手,计算了鱼鳍线的色散特性.由于计及了鱼鳍厚度对色散特性的影响,故可以修正用其他方法计算的结果.文中用统一的计算程序对鱼鳍线、双脊波导和条形介质加载矩形波导主模和高次模色散特性进行计算,获得了与用别的方法得到的相同的结果.实测的色散特性曲线与考虑了鳍厚的计算值相吻合,证实了所述方法的正确性.     

不锈钢上草绿色钼酸盐转化膜组成的研究

用阴极电沉积法从钼酸盐溶液中获得了草绿色的不锈钢转化膜。该膜具有良好的热稳定性。ＸＰＳ和ＡＥＳ分析表明，膜厚约为１７３ｎｍ，膜的表面钼以Ｍｏ存在，而在膜内则以Ｍｏ和Ｍｏ共存。从ＡＥＳ深度剥蚀曲线的组成恒定区求得膜的组成为：Ｏ５２．８％，Ｍｏ３０．４％，Ｐ１２．５％和Ｆｅ４．３％。循环伏安的氧化峰也证明膜内存在Ｍｏ。     

氧化铝陶瓷／金刚石膜复合材料的表征及介电性质研究

采用ＭＰＣＶＤ和ＨＦＣＶＤ在氧化铝陶瓷基片上沉积金刚石薄膜,用抛电镜,Ｘ躬一衍射和Ｒａｍａｎ散射分析表征了沉积膜的质量,并测这和分析了氧化铝／铝金刚石膜复合材料的介电性质。     

金刚石厚膜的制备方法及应用展望

热丝化学气相沉积是制备金刚石厚膜的传统方法,但是所得到的金刚石厚膜成品率低,限制了其作为刀具和散热片的应用。本文针对此方法进行设备改造,采用复合技术-射频等离子体辅助热丝化学气相沉积(RF-HFCVD)提高金刚石厚膜的沉积速率和质量。同时,对金刚石厚膜的应用及展望进行了简要综述。     

在制备过程中热障涂层系统应力场有限元分析

采用有限元软件ABAQUS建立了非齐边三层平板结构热障涂层模型,并模拟了在制备过程中其残余应力的分布情况,主要讨论了沉积温度、陶瓷层厚度对其残余应力场分布的影响.计算表明：沉积温度越高,陶瓷层厚度越厚,容易造成陶瓷层端部应力分布不均匀区域变大,同时对基底应力场不均匀分布影响区域也越深;在不同的陶瓷层厚度和沉积温度条件下,陶瓷层和过渡层均处于压应力状态,其数值分别在-50 ~ -300 MPa和-30~-140 MPa范围内,而基底则处于拉应力状态,其值变化在5 ~ 55 MPa范围内;陶瓷层与过度层界面剪切残余应力呈双曲正弦分布,且在界面中间剪切残余应力的值接近于零.这些模拟结果将进一步完善解析解所预测的残余应力场分布情况,为后期采用拉伸法研究热障涂层系统界面结合性能时提供重要的应力分析基础.     

二氧化硅厚膜材料的快速生长及其致密化处理

采用火焰水解法（FHD）在Si片上快速演积出SiO2厚膜材料，材料膜厚40μm以上，生长速率8μm/min。将该材料分别在真空中和空气中高温致密化处理，获得各种形状的二氧化硅厚膜材料。利用XRD，SEM，电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行测试分析。     

直流PCVD方法制备α—Si：D／H薄膜

将Ａｒ（９５％）－ＳＨ４（２．５％）－Ｄ２（２．５％）混合气体等离子体直流正辉区用化学敢相沉淀（ＰＣＶＤ）方法制备α－Ｓｉ：Ｄ／Ｈ薄膜，采用双探针技术测量了混合气体等离子体参数，红外照相方法测量了反应腔壁温度，结果表明，基片支架对反应腔的等离子体有干扰，反应腔壁温度分布不均匀；基片温度高的区域薄膜沉淀速度大；加大电源功率可提高薄膜沉淀速率。     

铁磁膜的居里温度

在考虑了边界条件对电子态和电子组态的影响乃至对自旋之间交换作用影响的基础上，计算了４￣７单分子层厚的铁磁膜的居里温度随膜厚的变化关系。结果表明居里温度随膜变薄而降低，这从微观上肯定了一般的理论预测并解释了近期的实验结果。     

脉冲激光沉积制备MgO非晶薄膜介电性质的研究

利用脉冲激光沉积技术在高电导P-Si和绝缘体Si O2上沉积了Mg O非晶薄膜,并对Si O2上的Mg O薄膜进行了透过率及XRD表征。构造了金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管结构P-Si/Mg O/Ag,测量了其C-F曲线,计算得到K-ω曲线,通过拟合计算得到Mg O的介电常数和等效厚度,与Si O2的等效厚度进行对比发现,非晶Mg O作为高K值绝缘栅介质材料优于Si O2。     

任意方向界面外磁场下侧向金属磁性超晶格

我们研究了侧向金属磁性超晶格的静磁模。我们考虑外磁场位于界面内并可沿任意方向,自旋波沿垂直磁化强度的方向传播,衰减是来自于涡流。一些有意义的性质被发现,比如频率是衰减不仅与电导率、波数有关,而且与外磁场方向、大小有关。     

超导薄膜在垂直磁场作用下的应力应变分布

研究主要分析了YBCO高温超导薄膜在垂直磁场作用下的应力、应变分布规律。基于Bean临界态模型,并且在超导薄膜仅受外加磁场的作用下,分析了超导体内产生感应磁场与电流密度的关系,由此推导了YBCO高温超导薄膜在外加磁场作用下的应力应变表达式,使用Origin、Matlab程序做出了应力应变分布图。结果表明:超导薄膜在外加磁场的作用下其应力应变主要分布在薄膜的两侧;同时发现在外加磁场逐渐增大的过程中,薄膜的应力应变极值会随着增大。     

场发射显示器中支撑体的优化设计

在场发射显示器中,支撑体起到支持阴阳极基板以抵抗大气压力下形变和应力的作用.在不同的支撑体配置方式下,基板的形变也是不同的.基板的形变将改变器件内部的电场分布,进而影响发射体的发射性能以及屏上光点的亮度.文中研究了柱型和墙型支撑体在不同配置方式下对于屏幕亮度均匀性的影响.研究表明等边三角形方式排列的支撑体分布是最优的分布方式,相对于传统的矩阵排列的支撑体分布方式而言,可使屏幕上亮度的周期性波动降低三分之一.     

类金刚石薄膜的喇曼光谱高斯分解研究

采用过滤式阴极电弧沉积的方法获得类金刚石薄膜.喇曼光谱的分析表明,这种薄膜是典型的无氢类金刚石薄膜.喇曼光谱的高斯分解研究表明:随着偏压的增加,D线和G线的位置__d、__g向低频移动,半高宽F_g减小、F_d增加,在偏压为-100V时,D线和G线强度比I_d/I_g有最大值.     

基于FLUENT的三叶圆弧转子泵流场及流量脉动的研究

以三叶圆弧转子泵为研究对象,分析了泵的内部流场及其输送不同粘度介质时的出口流量脉动特性。在已知转子型线方程的基础上运用UG和ICEM建立仿真模型,运用FLUENT进行流场的动态仿真,最终得到速度、压力分布以及流量变化规律。结果表明:泵内大部分区域流速较低,速度变化梯度不大,间隙处存在剧烈的回流且流速较高;泵内静压呈块状分布,入口部分存在负压,最低压力位于两转子最小间隙处并分别向进出口增大,间隙处的动压与静压分布相反,由最小间隙处向进出口方向减小;转子泵的流量脉动频率与转子的叶数及泵的转速有关,与介质粘度无关,流量不均匀系数会因介质粘度的增加而有所改善。     

电弧放电法中碳纳米管的微结构控制

通过分析不同放电条件下得到的阴极沉积物形貌和微结构,提出整体温度较低的沉积物边缘具有较高的局部温度和较大的碳离子流;并提出阴极上存在两种电子反射机制:边缘区域的冷阴极场致电子发射,引起边缘硬壳的形成;中心区域的热电子发射,为碳纳米管的生长提供必要的条件.     

YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应和第二级自旋波不稳定性的临界场

YIG单晶薄膜在垂直泵下铁磁共振折叠效应的实验结果已被作者及其同事报道了.该工作是进一步分析这些实验结果和讨论薄膜样品的第二级自旋波不稳定性的临界场.分析结果表明,连续波高功率激发的铁磁共振折叠效应主要是由于样品发热引起的.在脉冲微波功率激发下,当静磁场平行薄膜平面时,铁磁共振不存在明显的折叠效应,但对静磁场垂直于薄膜平面的铁磁共振观察到折叠效应.     

反铁磁薄膜磁极化子的色散性质

研究当外场平行于反铁磁薄膜（d=500um）的各向异性轴时，其体极化子和表面极化子的色散性质．在外场的作用下体极化子由原来的两个窗口分裂成三个窗口；表面极化子也由原来的一个窗口分裂成两个窗口并且仍然满足互易性．     

基于FLUENT的双蜗壳离心泵径向力数值分析

利用CFD软件Fluent对HD型石油化工流程泵的不同工况作流场计算.采用雷诺时均方程和标准κ-ε湍流模型,压力和速度耦合采用SIMPLEC算法,对双蜗壳离心泵内部流场进行模拟,分析了双蜗壳泵静压力和速度场的分布规律,并对径向力进行了计算分析.通过模拟计算发现,数值模拟计算外特性曲线与试验曲线趋势一致,两者相对误差小于10%,说明应用数值计算结果建立的离心泵径向力计算模型具有一定的准确性.利用离心泵径向力的数学计算模型,得出各个工况下叶轮所受的径向力的大小和方向.结果表明,双蜗壳结构泵能有效地减小径向力,在设计点运行时径向力最小且不为0,偏离设计工况下径向力逐渐增大,但不同工况下径向力的变化不大,验证了双蜗壳能有效地平衡径向力.