V_(λ)修正器滤光片最佳厚度的计算

本文用最优化计算方法确定了 V_(λ)修正器滤光片的最佳厚度,为修正器的设计提供了可靠的科学依据。     

用硅光电探测器研制光度计

在固体测光元件中,硅光电池比硒光电池和硫化镉光敏电阻有很多优点:线性范围宽,响应快,无光电疲劳现象,长期稳定性好。硅光电二极管测光的下限可达10~(-3)—10~(-4)L_x,线性范围10~8,响应时间短至微秒量级。硫化镉光敏电阻的相应指标比它存在百倍以上的差距,硒光电池的性能更差。在光探测应用的各个领域,硅光电器件的应用都在推广,近来,用硅光电器件作探测器的照度计、亮度计在国外已相继出现,这类仪器的优越性能几乎是众所公认的了。     

新型照度计研制成功

我校天文系和北京市崇文区光电器件厂合作,于去年四月研制成功了我国第一台硅光电池照度计——ST型照度计。几台样机经过一段时间的试用后,于同年八月卅日召开了技术鉴定会。鉴定结果认为,仪器使用方便,测量精度高,稳定性好,其中ST—Ⅲ型照度计的测量误差<±4％,跨入国际先进行例。ST型硅光电池照度计的研制成功为我国光度计仪器方面填补了一项空白。     

色度计滤光片厚度计算的一种方法

(一) 引言滤光式光电色度计的准确度主要取决于仪器中的三组或四组滤光片的配制,经滤光片修正后的光电接收器的相对光谱响应与CIE标准观察者的颜色匹配函数近似得愈好,仪器就愈准确。滤光片酌设计可以经验为依据,也可以通过计算求出每一组滤光片中各片的厚度。我     

拟常曲率空间及射影变换

拟常曲率空间M(维数大于2)是曲率张量满足下面条件的黎曼空间: K_(ωνμ)~λ=a(δ_ω~λg_(νμ)-δ_ν~λg_(ωμ))+b(δ_ω~λV_νV_μ-δ_ν~λV_ωV_μ+V_ωV~λg_(νμ)-V_νV~λg_(ωμ)),(1)其中a,b是数量函数,V_λ是M的单位生成向量场,g_(λμ)是空间M的基本度量张量。本文主要是给出这种空间的几个性质。     

串并列式滤色器的理论研究

制作滤色器测色仪的最大困难是模拟CIE光谱匹配函数。到目前为止,国内外所采用的方法都是将滤色器设计成串列式或并列式来修正光电器件的光谱响应。如图1和图2所示。但这两种方法在测量精度要求较高时不能使用。本文研究修正程度更好的串并列式滤色器,提出分析该滤色器的方法及建立相应光谱透过率的数学模型,并进行     

n型半导体CdS_(1-a)Se_a液结光电池Ⅱ,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能

本文报导了由粉未压块烧结制备的n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能。x-射线衍射分析证明,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)具有六方纤锌矿结构。光响应波长λ_0=546nm,Eg=2.27 eV;同时,用微分电容和开路光电位实验,测得平带电位V_(?)分别为-1.3V 和-1.37V(对SCE)。电池n-CdS_(0.9)Se_(0.1)/1 MNa_2S,0.1MS,1M NaOH/Pt,用488 nm 单色光照射获得光电转换效率η为6.8%;量子效率φ为0.65。根据实验结果算得多数载流子浓度N_(?)为1.2×10~(18)cm~(-3),耗尽层宽W 为4.3×10~(-6)cm。本文是CdS—CdSe 体系液结光电池研究的系列工作之二。在前一文中[1],我们较详细的报导了由粉末压块烧结制备的n 型半导体CdS_(1-a)Se_a(a=0.05～0.5)液结光电池的实验结果。尔后,为了寻找更有效而廉价的电极材料,针对CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能作了深一步的研究。     

Si衬底掺杂浓度对InGaN/Si异质单结太阳电池性能的影响

【目的】研究p-Si衬底掺杂浓度对InGaN/Si异质单结太阳电池性能的影响,为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN掺杂浓度固定为10~(16 )cm~(-3),在改变p-Si衬底掺杂浓度N_A的情况下,采用一维光电子和微电子器件结构分析模拟软件(AMPS-1D)对InGaN/Si异质单结太阳电池器件的各项性能参数进行模拟。【结果】随着掺杂浓度N_A的升高,电池的电流密度J_(SC)和填充因子FF随之升高,当到达一定高的掺杂浓度范围时(N_A5.00×10~(17)cm~(-3)),J_(SC)基本保持不变,约为28.12mA/cm~2,FF保持在0.85左右且变化不大。开路电压V_(OC)和光电转换效率E_(ff)与掺杂浓度的大小呈正相关关系,随着N_A的增大,V_(OC)、E_(ff)缓慢增大。【结论】高掺杂浓度下的太阳电池具有较好的光电转换效率。低掺杂浓度的太阳电池光电转换效率较低,这是因为其对应的尖峰势垒高度和宽度均较大,影响了光生载流子的输运。     

应用于光纤通信DWDM系统的超窄带滤光片的设计

设计光纤通信中波分复用（DWDM）器件所用的超窄带滤光片（NBPF0,该器件能够实现合／分波的功能,避免串扰,具有矩形通带和较高的抑制比,通过理论分析及实验,提出了采用多腔F－P滤光片设计DWDM用超窄带滤光片的方法,并举例设计200GHz的滤光片,它能够满足通信指标,具有符合要求的矩形通带和波纹,插入损耗和偏振相损耗在偏差要求范围之内,信道宽度满足指定范围,同时每层膜的厚度为规整的λ／4,达用于极值监控。     

气垫导轨上条形挡光片的测速误差

<正>我们在气垫导轨上研究匀加速直线运动。假设两个光电门的距离为50.00cm,将导轨一端垫高,使滑块从某一固定点沿倾斜轨面下滑,则应该有 V_(AB)=1/2(V_A+V_B)在这里,V_(AB)是滑块通过两个光电门这段距离的平均速度;V_A是滑块通过光电门A处的瞬时速度;V_B是滑块通过光电门B处的瞬时速度。 下面我们用开口挡光片和条形挡光片分别测得一组数据:     

汽车尾气监测仪的研制

本文提出了一种新型的汽车尾气监测仪,它是一典型的机电一体化产品,它以硒光电池作为光电转换器件,用MCS—51单片计算机组成数据采集与处理系统,可显示、打印测试结果,机械部分用来完成气体采集。     

静态光谱偏振差分成像技术研究

提出了一种基于液晶可调谐滤光片(liquid crystal tunable filter,LCTF)和液晶可调谐相位延迟器(liquid crystal variable retardation,LCVR)的静态光谱偏振差分成像技术。采用液晶可调谐相位延迟器实现不同波长成像光束的偏振方向旋转,采用液晶可调谐滤光片实现波长选择和检偏,通过程序控制实现透过波长及其两个正交线偏振态的设定,面阵光电探测器完成两个正交线偏振态图像采集,再经过图像处理获取光谱偏振差分图像。完成了原理样机的研制,取得了初步试验结果。该技术没有任何机械运动部件,具有稳定性好、操作灵活、数据处理简单直观等优点。     

基体温度对诱增透滤光片特性的影响

考察了λ=(620±10)nm栅滤光片的制备过程,分析了工艺参数对滤光片性能的影响.结果表明,除了蒸发速率、银层厚度、监控波长等工艺措施外,合适的基体温度是获得优良性能诱增透滤光片的重要因素.     

10.6μm红外膜系制备工艺研究

采用真空镀膜法,在半导体晶片GaAs衬底上制备红外增透和增反光学薄膜,研究了Si滤光片对镀膜工艺的影响以及10.6μm增透膜系和10.6μm增反膜系的透射特性.结果表明,Si滤光片可以有效地消除单色仪二级以上光谱对镀膜工艺的影响,是一种理想的红外监控光的滤光片.监控光波长的修正值△λ约为原波长的2.5%～3%时,是制备该红外光学薄膜的较佳的条件.     

关于解析函数的星形半径

用N 表示在|z|<1内解析且满足条件f'(0)-1=f(0)=0的函数f 的集合;对于αε〔0,1),用Q_α表示在|z|<1内解析且满足条件p(0)=1与|p(z)-1/(2a)|<1/(2a)的函数p 的集合;而V_λ,β表示由等式g(z)=λh(z)+(1-λ)zh'(z)定义的函数g 的集合,其中λ∈〔0,1〕、β∈〔0,1)及h 是β级星形函数.本文主要对满足条件:f∈N,g∈V_λ,β且f/g∈Q_α的函数类{f},求出它的星形半径.     

用硅光电池进行火焰参数测试

光电池作为一利光电转换器件,常用来把太阳能转换成电能.笔者曾与某部杨明俊等同志合作,研制了一台火焰参数仪,其中利用硅光电池来测试爆发式火焰的长度和持续时间,收到了迅速准确和可靠的效果.这种“爆发式”的火焰通常是由一种叫作“火帽”的器件发出来的,在军事工业中用得很多.它燃烧的时间很短,大约只有1到3毫秒.因此,靠眼睛、尺子和秒表直接测量它的长度和持续时间是不行的.用照相的办法,固然可以测量它的长度,但这不仅手续繁杂,而且由于冲洗条件及读数方面的原因,造成的误差较大.我们采用硅光电池将它的长度和持续时间转换成电脉冲,因而就可以用电子仪器很快测出.     

轧床光电控制自动刹车

光电控制是一门新技术,过去认为光电控制技术是高不可攀的新技术,这次通过实践,其实也并不难,只要我们坚持“鞍钢宪法”勇于实践,树雄心,立壮志,我们工人阶级是完全可以掌握它,应用它,使它为生产服务。这一新技术的试制成功,是依靠了党的正确领导和群众的热情支持,经过反复试验,终于使轧床光电控制自动刹车试制成功,并正式投入了生产。关于光电控制系统的原理,就是将光源(电灯)的光线照射到光电继电器的接收头上,     

氧化锌陶瓷元件伏安特性的试验分析与机理探讨

本文用分段拟合法对ZnO陶瓷压敏器件的直流伏安特性进行了分析讨论。根据活化能分析,认为低压欧姆隧区为电子性电导。并用噪声测量法,进一步证实击穿区确实是由隧道效应引起的。文中把器件的残压比V_(10kA)/V_(1mA)分成具有不同物理意义的三部分,进而区分电子热激发过程、隧道过程和ZnO晶粒电阻各对残压有不同的影响。     

基于光电效应的普朗克常数的测定与分析

利用光电效应法测量普朗克常数是一种简单且有效的实验方法.在大学物理光电效应测量普朗克常数的近代实验中,采用PC-Ⅱ型普朗克常数测定仪对普朗克常数进行测定和分析.该文采用了上述仪器对普朗克常数进行了测量和理论分析,用"减速电位法"测遏止电压,应用数学中的斜率法进行分析,克服了传统实验的困难,实验操作可重复好.光电效应已经广泛地应用于各科技领域,利用光电效应制成的光电元件(如光电管、光电池)已成为生产和科研中不可缺少的器件.     

扇型探测器光电特性的修正方法

研究了扇形自扫描光电二极管列阵（ＳＳＰＤ）的光电特性，分析了器件的特殊结构和非线性转换特性，提出了一种快速、准确的修正方法。