Hg系高Tc超导体（Hg0.8M0.2）Sr2（Y1—xCax）Cu2O6＋δ的喇 …

对Ｈｇ系高Ｔｃ超导体（Ｍｇ０．８Ｍｏ０．２）Ｓｒ２（Ｙ１－ｘＣａｘＣｕ２Ｏ６＋δ）的晶格振动进行了化分析,给出了该晶体在Γ点晶格振动的对称性分类。利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质。实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现１４５,３２０,４４０,５７,５９２ｃｍ＾－１几个特征振动峰。在中红外吸收光谱（光声光谱）中出现６４５ｃｍ＾－１特征振动峰,而１４５,３２０,４４０,５７８,６     

Hg系高Tc超导体(Hg0.8M0.2)Sr2(Y1-xCax)Cu2O6+δ的喇曼和红外光声光谱研究

对Hg系高Tc超导体(Mg0.8Mo0.2)Sr2(Yl-xCaxCu2O6+δ的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在г点晶格振动的对称性分类.利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质.实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现145,320,440,578,592Cm-1几个特征振动峰.在中红外吸收光谱(光声光谱)中出现645cm-1特征振动峰.而145,320,440,578,645特征峰强度随掺杂量增加而减弱,其中645峰还向高波数发生位移.本文着重对这些振动模进行了指认,并对其随不同掺杂量的变化特征进行了讨论.     

BNN晶体喇曼光谱的组分效应与晶格振动的群论分析

本文测定了两种不同组分BNN晶体(Ba_(2+x)Na_(1-2x)Nb_5O_(15),x为0.065及0.075)的喇曼光谱并对此晶体的晶格扳动进行了群论分析。实验及理论分析的结果表明:(1)在高频区内,若干谱峰的相对强度不随x值而改变,它们是NbO_3~(-1)八面体的内振动模;在低频区内,若干频峰的相对强度随Ba~(+2)组分的增加而增加.(2)对应于34~(-1)cm的特征模只能出现在B_1(T_o)模中,而不能在B_2(T_o)模中出现,它来源于某些特殊面上Ba~(+2)的振动。     

一水柠檬酸锂单晶的振动光谱

报道了一水柠檬酸钾（ＬｉＣ６Ｈ７Ｏ７·Ｈ２Ｏ）单晶在不同几何配置下的激光拉曼光谱．对一些振动模进行了归属．从某些拉曼谱峰频率的改变和退偏振,可以判断晶体中存在氢键．由于氢键中的质子转移,导致了晶体动力学无序,使晶格振动外模和某些内振动模表现出较强的各向异性．     

BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

钨酸铕钠晶体晶格振动的群论分析和喇曼光谱

本文对新型激光晶体钨酸铕钠[Na_5Eu(WO_4)_4]的晶格振动进行了群论分析.给出了该晶体在(?)点晶体格振动的对称性分类.它们是:18Ag+20Bg+20Eg+20Au+18Bu+20Eu.其中喇曼和红外都是非活性的模为18Bu.声学模为Au+Eu,喇曼活性模为18Ag+20Bg+20Eg,红外活性模为19Au+19Eu.首次测量了该晶体不同几何配置的喇曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论.     

一水柠檬酸锂单晶的振动光谱

报道了一水柠檬酸钾单晶在不同几何配置下的激光拉曼光谱，对一些振动模进行了归属。从某些拉曼谱峰频率的改变和退偏振，可以判断晶体中存在氢键。由于氢键中的质子转移，导致了晶体动力学无序，使晶格辱劝外模和某些内振动模表现出较强的各向异性。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．     

混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

Li_2NH_4(IO_3)_3单晶的喇曼光谱研究

本文报道了水溶液法生长的Li_2NH_4(IO_3)_3单晶体在室温下的喇曼光谱,在728cm~(-1)处喇曼散射效率很高,说明此种材料有可能用来制作喇曼频移器。3123cm~(-1)处的谱线对应于NH~(+4)基团的伸缩振动。     

<Emphasis Type="Italic">In-situ</Emphasis> growth and spectrum characterization of ZnSe nanocrystals in silica gel-glasses

ZnSe nanocrystals were in-situ grown in silica gel-glasses by using sol-gel process and the reductive thermal treatment. The transparent, homogeneous ZnSe/SiO2 nanocomposites with the yellow color were first obtained. We used X-ray diffraction pattern (XRD), UV-VIS optical absorption and Raman scattering to characterize the spectrum properties of ZnSe nanocrystals. The broadening of XRD peaks, the blueshift of interband optical absorption edge and the change of Raman spectrum were observed. From these experimental results, we theoretically calculated the size of ZnSe nanocrystals. The results of XRD, optical absorption and Raman spectra were approximately consistent, with the mean diameter of about 4.6 nm. The discrepancies from different methods were discussed.     

10MeV电子辐照GaAs Raman谱的研究

研究了１０ＭｅＶ电子辐照掺ＳｅＧａＡｓ外延层和半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ的Ｒａｍａｎ测量．观察了几个相关缺陷的特征,认为２２０ｃｍ－１峰与Ａｓｉ相联系,这至少部份和ＥＬ２及ＥＬ１２缺陷有关．对掺Ｓｅ样品的２０４ｃｍ－１和２５８ｃｍ－１峰,可能和小砷簇的振动模式有关．而７７ｃｍ－１和１８５ｃｍ－１峰则应是由无序活化Ｒａｍａｎ散射引起的．辐照结果显示,小砷簇和无序态随辐照剂量增加而增加．本文还将讨论其它的有关的Ｒａｍａｎ峰     

含单空位的(10,10)碳纳米管的振动性质和拉曼谱

运用Brenner经验势计算了碳原子间力常数和具体的振动模式,在此基础上利用经验键极化模型计算了含有单空位的(10,10)碳管的非共振拉曼谱.计算结果表明,单空位造成的局域模式所对应的拉曼峰位于完整碳管的G带之外,因此,在实验上可以用这一特性来探测碳管中的单空位.同时,当单空位浓度较小时,碳管的管径几乎不发生变化,仅仅是在拉曼谱中R带上劈裂出一些新的峰,这一现象主要源自于空位带来的对称性破缺.     

ZnTe纳米粉的共振Raman散射研究

用Zn粉和Te粉为源材料,利用水热法在不同条件下制备了ZnTe纳米粉.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和显微Raman光谱仪对ZnTe纳米粉进行了表征.X射线衍射谱表明制备的纳米ZnTe具有闪锌矿结构.透射电子显微镜给出在100℃,120℃和160℃时生长2h的ZnTe颗粒的平均大小分别为67 nm,89 nm和120 ...     

NiSi薄膜的拉曼研究

在Si(100)衬底上通过电子束蒸发法外延生长晶体取向单一的NiSi薄膜材料. 利用极化拉曼实验分析技术并结合群论以及晶格振动理论对NiSi薄膜拉曼峰的对称性进行指认. 在此基础上计算了各类声子峰对应的晶格振动模式. 我们还讨论了两种不同的激光退火方法对晶体质量的影响.     

电子束蒸发制备纳米ZnO薄膜及其特性研究

用电子束蒸发制备一系列纳米ZnO薄膜,用XRD和AFM研究其结构和形貌,重点研究其拉曼谱.ZnO靶的拉曼谱出现了4个明显的峰,与文献报道基本一致.室温下沉积的ZnO薄膜中存在大量缺陷和氧空位,其拉曼频移只有LO模和低频E2模,且其LO模有相对频移,峰展宽,强度加强.ZnO膜的高频拉曼谱对其结构不敏感,各种制备条件下的ZnO膜其高频拉曼谱基本一致.对拉曼谱,结合XRD和AFM分析给出了初步的解释.     

化学溶液法制备BiVO4纳米晶及其结构、形貌及光谱性质研究

采用安全、绿色、节能的化学溶液法合成了BiVO_4纳米晶.通过改变反应体系的pH值,来调控纳米晶生长的动力学因素,探索不同结构、形貌和尺寸的纳米晶的形成机制及光谱性质的变化规律.结果表明,在酸性条件,四方相BiVO_4为热稳定相.但在弱碱条件,由于热动力学,反应趋向于形成单斜相BiVO_4.在强碱条件,单斜相BiVO_4的特征衍射峰强度降低.在不同pH值条件下合成的BiVO_4纳米晶的晶粒尺寸均处于纳米量级.在化学合成过程中,体系的pH值对样品形貌的形成起着十分关键的作用.由于Bi~(3+)离子的水解作用,使其可以在不同的pH值条件下以不同的形式存在,导致在合成BiVO_4过程中具有不同的合成路径,进而使得在不同pH值条件下合成的BiVO_4样品具有不同的形貌特征.采用Raman光谱研究了不同BiVO_4纳米晶的局部结构,在326和363cm~(-1)的峰对应于VO_4~(3-)四面体的反对称和对称弯曲振动,在712和828cm~(-1)的峰对应于V-O的对称和反对称拉伸振动.不同BiVO_4纳米晶在紫外和可见光区均有明显吸收,而其吸收边界的急剧下降推断是由于半导体的带间跃迁造成的.不同晶相BiVO_4纳米晶的吸收带边有明显的不同,表明随着晶相的改变,样品内部电子结构发生了变化.在pH=3时合成的BiVO_4纳米晶的发光峰强度最低,表明该复合催化剂的电子空穴复合效率最低,暗示其光催化活性较高.     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,在氮气中做了退火处理,发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动;经暗电阻与温度关系测试,发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值,用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由;室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰.     

掺杂铌酸锶钡单晶的喇曼散射

本文测定了不同掺杂(Cd)浓度的Sr_(0.61) Ba_(0.39) Nb_2O_6单晶在不同几何配置、不同温度下的偏振喇曼光谱.实验证明,随着温度的升高和掺杂浓度的增加,总的趋势是光谱加宽,谱峰红移,峰强度减小,但基本峰形不变.说明铌酸锶钡单晶的喇曼散射中NbO_6氧八面体内模起重要作用.