2—苯基喹喔啉和2,3—二苯基喹喔啉的气相HeIUPS谱？…

首次报道了２－苯基喹喔啉和２，３－二苯基喹喔啉的气相ＨｅＩ紫外光电子能谱，借助Ｇａｕｓｓ－９４程序的ＲＨＦ／３－２１Ｇ基组优化几何构型，并彩ＲＨＦ／６－３１Ｇ基组进行了ＳＣＦ分子轨道计算，依Ｋｏｏｐｍａｎ定理和谱带的特点对它们的ＵＰＳ谱带给予指认，并通过对母体喹喔啉和丙苯基取代分子电子结构的研究来寻找电离能变化的规律性。     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）的基本工作原理，给出了其设计方案．采用ＳＯＬ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析．测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性．     

基本FFET的试制和性能研究

论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理，给出了其设计方案。采用ＳＬＯ－ＧＥＬ法制备了基本的ＭＦＳ－ＦＥＴ和ＭＦＯＳ－ＦＥＴ，对其电性能进行了测试分析。测试结果表明：ＭＦＯＳ结构的ＦＦＥＴ具有极化存储特性。     

半群上的L－Fuzzy同余关系

先引入半群Ｓ上的Ｌ－Ｆｕｚｚｙ同余关系的概念，进而讨论Ｌ－Ｆｕｚｚｙ同余关系的几个基本性质，然后证明半群Ｓ上的所有Ｌ－Ｆｕｚｚｙ同余关系作成一个格，同时证明群Ｇ上所有Ｌ－Ｆｕｚｚｙ同余关系作成一个模格．     

外场下SnO分子结构和特性研究

对Ｓｎ原子采用ＳＤＢ-ｃｃ-ｐＶＴＺ基组,Ｏ原子采用 ６-３１１＋＋Ｇ基组,利用密度泛函中的 Ｂ３Ｐ８６方法对 ＳｎＯ分子的基态结构进行了优化计算,并研究了外场对 ＳｎＯ基态分子的键长、总能、电荷布居分布、能级分布、电偶极矩、谐振频率和红外谱强度的影响。并利用杂化密度泛函理论（ＣＩＳ ＤＦＴ）方法研究了外电场对 ＳｎＯ分子由基态到前 ６个单重激发态跃迁规律的影响。结果表明,在所加电场范围内,随着正向电场 Ｆ的逐渐增大,基态分子的键长 Ｒｅ先减小后增大,在 Ｆ＝００４ａ．ｕ．时取得最小值 ０１７９６ｎｍ;总能先增大后减小,其在 Ｆ＝００３ａ．ｕ．时取得最大值 －２１４４８３９６ｅＶ;电偶极矩则先减小后增大,在 Ｆ＝００３ａ．ｕ．时取得最小值 ０２１２４Ｄｅｂｙｅ;ＳｎＯ基态分子的最高已占据轨道（ＨＯＭＯ）能量 ＥＨ和谐振频率逐渐增大;红外光谱强度、分子的最低未占空轨道（ＬＵＭＯ）能量ＥＬ和能隙 Ｅｇ则逐渐减小。外电场的大小与方向对跃迁电偶极矩、跃迁波长、激发能和振子强度均有很大影响。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

SLE患者TNF—α基因及蛋白水平的测定

目的 探讨ＴＮＦ－α在ＳＬＥ患者免疫调节紊乱中的作用。方法 ＥＬＩＳＡ法测定血清ＴＮＦ－α蛋白水平,ＰＢＬＲＮＡ斑点杂交测定ＴＮＦ－α蛋白水平有增高趋势,但血清ＴＮＥ－α蛋白水平差别很大。ＴＮＦ－α基因转录比正常显著增高（Ｐ〈０．０１）。结论 提示ＴＮＦ－α参与ＳＬＥ的免疫调节紊乱。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

矩阵法推引L—S耦合原子谱项

首次应用矩阵法推引Ｌ－Ｓ耦合原子谱项，计算结果很好。该法能抓住关键通过手算求出Ｌ－Ｓ耦合原子谱项，最后对计算结果进行了验证。     

晶格畸变对KCl中FH（CN）^—的基态的影响

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上，采用扩展离子处理方法（ＳＬＣ），计算了晶格畸变对ＫＣｌ中ＦＨ（ＣＮ）＾－的基态能量及Ｆ心电子能量的影响。     

稀土石榴石晶体磁光效应微观机制研究

本文用量子理论计算了RE:YIG(RE=Ce,Pr)晶体薄膜中RE离子经晶场和交换作用劈裂后的能级和波函数及4f~n→4f~(n-1)5d~1电偶极跃迁几率,进而计算了该晶体的Faraday旋转,计算结果与实验完全符合.结果表明,RE:YIG晶体的磁光效应主要来自RE离子4f~n→4f~(n-1)5d~1的电偶极跃迁;晶场与交换作用起着重要作用.     

极化子效应对量子线中Stark效应的影响

采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正。     

氢原子能级的一级斯塔克效应

从量子力学的定态简并微扰论理论出发,给出氢原子在外电场中n=3,4,5时一级斯塔克效应的能谱分裂情况。     

晶体电场对离子自旋─轨道耦合参数的影响

晶体电场对三价稀土离子自旋─轨道耦合参数有影响，是人们长期怀疑但尚无人作过定量分析与计算的问题．本文从相对论Ｄｉｒａｃ方程式给出的电子自族─轨道耦合参数表达式出发，以稀土氯化物为例，首次详细计算了晶体电场对稀土离子（Ｃｅ３＋、Ｐｒ３＋、Ｎｄ３＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ３＋、Ｇｄ３＋、Ｄｙ３＋、Ｅｒ３＋、Ｙｂ３＋）４ｆ自旋─轨道耦合参数贡献的相对大小．计算结果表明：晶体电场对电子自旋─轨道耦合参数的贡献至多占稀土离子核库仑场贡献的万分之一，因此可以忽略不计．寻找电子自旋─轨道耦合参数实验值与理论值差别的途径，应该从离子的电子结构本身着手来研究．     

j－j耦合确定J值

本文介绍一种适用于等价电子和非等价电子组态的ｊ－ｊ耦合推求Ｊ值的简单、系统方法，该方法不仅易被初学者接受，方便、快速、准确；而且还给出了判断推求结果正误的标准。     

反绝热极限下MX链晶体中的量子晶格涨落效应:费米子自旋1/2态

相转变和对称破缺电荷密度波态的稳定性等物理特性决定于ＭＸ链系统的准一维、电子跃迁、电子－声子耦合和电子－电子相互作用。为讨论费米子自旋态ＭＸ 链系统的量子晶格涨落效应,从紧束缚Ｈａｍｉｌｔｏｎｉｓｎ模型出发,在反绝热极限条件下,采用Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似,对ＭＸ链系统的电荷密度波序参量,绝缘相能隙,基态能量等进行了研究,并得到确定绝缘相能隙的自洽解方程。计算结果表明,在反绝热极限条件下,绝缘相能隙随电声子耦合强度的增大而增大,当电声子耦合强度达到临界值时,系统发生二聚化相变。     

氮化物抛物量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的影响

采用改进的LLP变分方法．研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中的电子-声子相互作用．给出极化子基态能量、第一激发态到基态的跃迁能、不同支长波光学声子模对极化子基态能量的贡献随阱宽L的变化关系，在数值计算中考虑了氮化物（纤维锌矿）GaN和AlxGa1-xN构成的抛物量子阱材料中长波光学声子模的各向异性．结果表明，基态能量和跃迁能量随阱宽L的增大而减小。阱宽较小时．减小的速度比较快＋阱宽较大时．减小的速度比较慢．最后缓慢地接近GaN体材料中的三维值．在GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中定域准LO声子对极化子能量的贡献比较大．阱宽较大（L=27nm）时约33meV，这一值比GaAs／Al0.2Ga0.7As抛物量子阱中的相应值（约3meV）大的多，并且定域准LO声子的贡献远远大于定域准TO声子的贡献．     

反射不对称相对论平均场理论对Ce同位素链形状演化的研究

用反射不对称相对论平均场理论（Reflection Asymmetric Relativistic Mean Field,i.e.：RAS-RMF）对Ce同位素链的基态性质及形状演化进行了研究.结果表明：引入反射不对称自由度自由度,RMF理论能很好地描述Ce同位素的基态性质,计算的结合能与实验数据符合得相当好,获得的形变参数、单粒子能级、物质密度分布及位能曲线清晰地展现出偶偶核Ce同位素的形状演化.     

激发态的最速逼近微扰理论

本文将文献［１］提出的应用于量子体系基态的最速逼近微扰理论（ＳＡＰＴ）推广到了激发态。本文证明，只要保持激发态尝试波函数正交于对称性相同的激发态或基态波函数，就能避免计算过程的变分坍陷，并通过逐步迭代（逐一计入其他各态的贡献）计算逼近体系精确的激发态能量和相应的波函数，且不存在瑞利－薛定谔微扰理论（ＲＳＰＴ）的无穷求和和最陡下降微扰理论（ＳＤＰＴ）需计算哈密顿量二次和三次方矩阵元的困难。本文的方法可用于求精确的激发态能量和波函数。     

Nd:YIG中旋轨耦合对磁光效应的影响

应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd3+离子基态旋轨耦合对离子磁光效应及磁光系数的影响.计算结果表明,这种影响很大,且磁光效应及磁光系数与相对旋轨耦合系数α成非线性关系.