用稻壳、稻草制取水玻璃过程中金属杂质的去除及其机理分析

对用稻壳、稻草制备水玻璃所剩余的炭渣进行了分析，给出实验结果．结果表明：金属成分在水玻璃的制备过程中以难溶化合物的形式被除去；难溶化合物能与酸反应，转化为可溶化合物；新技术制取的水玻璃溶液与传统方法相比，纯度相同，甚至更高．     

纳米CdS微粒的制备、表征及光催化性质研究

以CdSO4和Na2S为主要原料,分别在水热体系和油酸体系中制备了纳米CdS颗粒,通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)分析得出其尺寸约为10nm和4.6nm。将后者用于甲基橙溶液的脱色反应,结果表明,油酸体系中得到的纳米CdS颗粒具有较高的光催化活性。     

提高烧结焊剂抗吸潮性的研究

通过对烧结焊剂用粘结剂的研究，从粘结剂的作用和焊剂微观结构等方面，论述了改良粘结剂和焊剂颗粒表面状态的可行性，利用锂水玻璃、钠水玻璃、钾钠水玻璃及轻质氧化镁进行正交试验，分别得到了它们的加入量对吸潮度的影响趋势及最佳混合比；使用最佳混合比的水玻璃制成的焊剂的吸潮度仅为常用方法制成焊剂的１／７，证明锂水玻璃在其它水玻璃保证焊剂颗粒强度的条件下，可以更好地发挥其抗吸潮的优点．同时在试验中得到，只有焊剂在烧结点烧结后才具有最低吸潮度。     

超临界连续GAS过程制备对苯二酚超细颗粒

建立了一套连续的气体抗溶剂实验装置，以对苯二酚-丙酮-二氧化碳物系为研究对象，利用超临界流体抗溶剂过程制备了对苯二酚超细颗粒并将其结果与文献进行了比较，从而验证了装置的可靠性，同时，对不同的溶液浓度和溶液流量对结晶颗粒形貌与尺寸的影响进行了研究。结果表明，溶液流量增大颗粒粒径减小，而溶液浓度增大颗粒粒径增加；溶液流量较大时（12.00L/min)，产品颗粒为菱形晶体，溶液流量较小时（2.00L/min)，产品颗粒为棒状晶体；溶液浓度对颗粒形貌影响不大。     

巯基乙酸作修饰剂合成CdS量子点及其光谱性质的研究

以巯基乙酸为稳定剂，通过控制反应温度、反应时间及pH值，在水相中合成了稳定的CdS量子点；用扫描电镜、红外光谱对CdS量子点进行了表征，结果表明巯基乙酸很好地修饰了CdS量子点，所合成的CdS量子点的平均粒径小，分散性好．紫外吸收光谱和荧光光谱研究表明，该量子点有较好的发光性能．与此同时。还定性分析了牛血清白蛋白（BSA）与量子点的共振散射光谱，实验表明，一定浓度牛血清白蛋白的加入使其共振散射性能有规律地增强．     

物理热蒸发法制备CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带

利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”；CdS纳米带的生长过程为气一目过程．     

太阳光响应的CdS/TiO_2-NTAs复合材料的构筑及其光电性能

采用阳极氧化法在纯钛片上制备出TiO_2-纳米管阵列(NTAs),用乙二醇溶剂热沉积法在TiO_2-NTAs上负载CdS纳米颗粒.利用XRD、SEM、TEM和UV-Vis漫反射光谱对样品的晶体结构、微观形貌和光学性质进行表征.在不同波长条件下,研究了焙烧温度和CdS负载量对样品的光电流密度影响.结果表明,CdS纳米颗粒已沉积到TiO_2-NTAs内外,所制备的CdS/TiO_2-NTAs样品光吸收带边扩展到了可见光区.在全光谱和可见光谱条件下,CdS的修饰大幅度提高了TiO_2-NTAs光电流密度.当Cd2+浓度为0.005mol/L时,在全光谱照射条件下获得的CdS/TiO_2-NTAs样品光电流密度最大为1.41m A/cm2.     

单分散性的Q态CdS 纳米粒子的制备与分离

采用十二硫醇作配体，十六烷基三甲基溴化铵作有机阳离子保护层，通过加入不同量的饱和H2S溶液与CdSO4在室温条件下搅拌反应，制备出3种不同粒径的Q态CdS纳米粒子．在合成CdS纳米微粒过程中，采用后沉淀尺寸分离技术，使用无水乙醇对初制备的CdS纳米微粒进行分步沉降分离，得到单分散性的Q态CdS纳米粒子．通过紫外可见光谱测定对其进行表征和研究。     

CdS/SiO2介孔组装体系、CdS薄膜及纳米晶的光吸收性质

通过溶胶 凝胶法获得块材CdS纳米颗粒/介孔SiO2组装体系样品,喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,室温下的拉曼谱中观察到CdS的两个特征峰;在氮气中做了退火处理,发现CdS/SiO2介孔组装体系和CdS薄膜的吸收边随退火温度升高而移动,与XRD图谱中衍射峰宽化减弱相对应,其分别归属于量子尺寸效应和缺陷等的变化.     

CdS / TiO2复合半导体的表面态及光催化性能

采用浸渍法制备了CdS／TiO2复合半导体光催化剂．使用XPS和UV-Vis扩散—反射谱对样品的表面组成及光吸收特性进行了分析．结果表明,样品中的硫主要以CdS形式存在,其外层包裹了一层CdSO4;由于在TiO4表面修饰了CdS,使样品的吸收带边由400nm(3．1eV)红移至530nm(2．3eV)．采用粉末电导装置对CdS／TiO2薄膜的表面态能级进行了测试,并以活性艳红X-3B水溶液的光催化脱色为指标反应,对CdS／TiO2的活性进行了评价．与单一TiO2相比,CdS／TiO2的表面态更靠近TiO2的导带,有利于电子在表面的捕获,从而提高了样品中自由电荷的浓度,加速了活性艳红X-3B水溶液的光催化脱色反应。     

Photocatalytic activity of TiO<Subscript>2</Subscript> sensitized by CdS quantum dots under visible-light irradiation

In this paper, CdS quantum dots sensitized TiO2 composite powders (QD-CdS/TiO2) were synthesized by impregnating TiO2 powder into CdS sol with different concentrations. X-ray diffraction pattern (XRD) shows the crystal structures of CdS and TiO2 are cubic phase and anatase phase separately in QD- CdS/TiO2 powder samples; the crystal size of CdS in QD- CdS/TiO2 is about 3-7 nm, while TiO2 crystal size is about 20 nm. With increasing CdS content in QD-CdS/TiO2 composite, the UV-Vis absorption spectrum shifted to the longer wavelength lines, exhibiting obvious quantum size effect. The fluorescence intensity of QD-CdS/TiO2 irradiated by blue light is weaker than that of pure CdS. When the molar ratio of CdS and TiO2 is about 1∶2, the QD-CdS/TiO2 powder has the best catalytic properties under visible-light irradiation, and the degradation rate of rhodamine B (RhB) is up to 92.2% within 60 min.     

化学沉积法制备CdS纳米薄膜及成膜机理

分别以Cd(NO_{3)2和(NH2)2CS作为镉源和硫源， 用化学沉积法(CBD)在ITO玻璃上生长CdS半导体纳米薄膜. 考察了Cd^{２＋浓度、 沉积温度、 沉积时间和后处理温度对CdS成膜的影响. 紫外 可见吸收谱和原子力显微镜结果表明， 改变溶液浓度和后处理温度都能有效调节CdS的吸收带边， 得到均一致密的CdS纳米薄膜. 探讨了膜形成机理， 给出了成核过程模型， 进一步修正了传统成膜机制. 认为ITO玻璃基片表面活性位和晶核的形成是均一致密CdS纳米膜形成的关键. 晶核的形成是电学、 热学、 力学和化学等因素共同作用的结果.}}     

Photocatalytic property of TiO2 sensitized by different crystal phase CdS

TiO2 samples sensitized by different crystal phase CdS(CT) are synthesized by hydrothermal process at different reaction temperature. The samples are characterized by X-ray diffraction(XRD), transmission electron microscopy(TEM), and UV-Vis diffuse reflectance(UV-Vis). The XRD result reveals that the crystal phase of CdS is transformed from cubic phase to hexagonal phase with the increase of hydrothermal reaction temperature(120-160 ℃). The absorption edge of CT is extended from 498 nm to 546 nm. The photocatalytic degradation of rhodamin B(RhB) in aqueous solution is used to evaluate the photocatalytic activity of CT. With the increase of the preparation temperature, the photocatalytic activity of CT becomes stronger. The degradation rate of RhB by CdS/TiO2 at 160 ℃(CT-160 ℃)reaches 78%.     

前驱体溶液对(W, Ni, Fe)复合氧化物粉末制备的影响

研究前驱体溶液状态对喷雾干燥法制备（W, Ni, Fe）复合氧化物粉末特性的影响. 采用高倍扫描电镜对所制备的复合粉末进行形貌观察, 并对所制得复合氧化物粉末的Fsss粒度, 比表面, W、 Ni和Fe含量等进行了测定与分析. 研究结果表明： 在质量分数为20%的（W, Ni, Fe）混合盐溶液中添加0.6 g/L 聚乙二醇-1000所配制的溶胶作为前驱体溶液制备的粉末特性最好, 制得一次颗粒粒度细小（为40～50 nm）、分布均匀、分散性好、非晶化显著且大部分为球形的纳米级（W, Ni, Fe）复合氧化物粉末.     

激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

醇碱法制备非晶颗粒态淀粉

提出了一种以玉米淀粉为原料,在一定比例的碱和醇混合液的作用下制备非晶颗粒态淀粉(NCGS)的方法.具体步骤如下:将原淀粉在一定温度下经碱醇混合液处理,使颗粒发生有限膨胀,经中和后,以一定浓度的乙醇溶液洗涤,烘干即得到非晶颗粒态淀粉.采用偏光显微镜及X射线衍射仪对淀粉结晶结构的变化进行了确认.提出在一定条件下,可以用一定浓度的碱处理醇水分散体系的淀粉来制备非晶颗粒态淀粉.     

一维点阵的电子态

本文利用A、B构成序列有不同排列方式,模拟出晶体、孪晶、准晶和无序的一维结构。应用紧束缚模型,对各结构的电子态进行计算研究,系统地分析比较了各序列的电子能谱、态密度、局域度以及波函数图象,得出准晶体结构是一种新的结构,其电子态不同于晶体、孪晶及无序体的电子态等结论。     

用甲苯-水两相体系制备CdS量子点

为了能够制备出性能良好的CdS量子点,采用两相体系,用温和易控的方法,合成了不同粒径的CdS半导体量子点.用X线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光光谱仪等测试手段对产物进行了表征.结果表明:合成的CdS量子点粒径均匀,为立方晶型,具有良好荧光特性,通过控制反应时间可以控制CdS量子点的粒径,而且可以有效减少晶体的表面缺陷,提高荧光强度,从而进一步应用在光电、催化、传感、生物等领域.     

射频磁控溅射制备CdS多晶薄膜及其性能研究

在室温和不同功率下,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了CdS薄膜.运用探针式台阶仪、x射线衍射分析仪、紫外可见分光光度计、扫描电镜(SEM)等仪器对制备的CdS薄膜进行了表征分析.主要研究讨论了溅射功率对薄膜性质的影响.结果表明:制备的CdS薄膜为立方相和六方相的混合晶相,沿着六方(002)、(004)方向和立方(111)、(222)方向有着明显的择优取向;随着功率的增加,薄膜的厚度增加,晶粒的尺寸增大,光学吸收边红移.通过优化实验参数,在室温、0.6Pa、30W、纯氩气气氛条件下可以制备出结晶性能良好的CdS薄膜,禁带宽度为2.36eV.     

含氧空位的CaMoO_4晶体电子结构和光学性质的研究

用CASTEP软件包对含氧空位的CaMoO4(CMO)晶体进行了结构优化,计算了含氧空位的CaMoO4(CMO)晶体和完整CMO晶体偏振光的电子结构、介电函数和吸收光谱.计算表明,CMO晶体光学性质表现出各向异性,且其对称性与晶格结构几何对称性一致.计算得到的吸收光谱表明,完整的CMO晶体在可见光和近紫外线范围内不出现吸收带,而含氧空位的CMO晶体的吸收光谱却在1.84 eV(673 nm)处出现一个峰.CMO晶体中680 nm的吸收带的出现与CMO晶体中氧空位的存在相关.