抗坏血酸在半胱氨酸自组装膜上的电化学行为及应用

半胱氨酸自组装修饰金修饰电极对抗坏血酸(Vc)具有很高的电催化氧化活性.在pH 2.0的0.1 mol/L缓冲溶液中,可得到一对准可逆的氧化还原峰.电极反应受扩散控制.氧化峰电流与抗坏血酸浓度在5.0×10-6～1.1×10-3 mol/L范围内成线性关系,检测限为1.0×10-6 mol/L.该分析方法应用于果汁中的抗坏血酸分析,结果令人满意.     

电沉积咖啡酸玻碳修饰电极对抗坏血酸的催化氧化

在pH=7.0的磷酸缓冲溶液中采用电沉积技术将咖啡酸修饰于玻碳电极表面制备了一层稳定的薄膜,该修饰电极制备简单,稳定性良好.用循环伏安法研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,其氧化峰电流与抗坏血酸的浓度和pH值有关,当pH值达到7.7时,抗坏血酸在修饰电极上的氧化峰电流最大,氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4.0×10-5～2.0×10-2mol/L范围成良好的线性关系,检测限为1.0×10-5mol/L,方法简单、快速、准确,可应用于抗坏血酸药片的检测.     

多巴胺在纳米金修饰微玻碳电极上的电化学行为研究

用电沉积的方式制备了纳米金修饰微玻碳电极 ,该修饰电极能分开多巴胺和抗坏血酸的氧化峰 .研究了溶液pH值、磷酸缓冲溶液浓度对多巴胺电化学行为的影响 .多巴胺氧化峰电流值与其浓度在 5× 10 - 6～ 1× 10 - 4mol/L范围内成线性关系 .     

用电化学预处理玻碳电极直接测定痕量间羟胺

采用一种新型的电化学预处理玻碳电极的方法,经高电位阳极氧化(pH 6.0 PBS)处理后,再于-1.5~+1.6 V范围循环扫描,预处理玻碳电极能较好提高间羟胺的电化学响应.间羟胺在PGCE上的氧化峰电流与间羟胺的量成正比,其线性范围为3.6×10-8~3.0×10-3mol/L,检测限为1.0×10-8mol/L(S/N=3,富集时间100 s).间羟胺在电极表面的反应为不可逆的吸附过程,电子转移数目为1,质子数为1.多巴胺,肾上腺素、去甲肾上腺素和抗坏血酸等不干扰间羟胺的测定.该法可用于注射药剂中间羟胺的直接测定.     

聚对苯二酚修饰电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用

采用电化学方法制备聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极（PHQ/GCE）,并用该电极对抗坏血酸（AA）进行测定.研究发现：在0.2 mol/L Na2HPO4-NaH2PO4（PBS,pH 7.0）缓冲溶液中,以0.1 mol/L KCl作支持电解质,PHQ/GCE对AA有明显的催化氧化作用.同时,应用线性扫描循环伏安法对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在5.0×10-6～1.0×10-1 mol/L范围内呈现良好的线性关系,检出限为1.0×10-7 mol/L.对此机理进行详细研究,结果表明聚对苯二酚修饰玻碳电极上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因.     

多巴胺在聚L-天冬氨酸修饰电极上的催化氧化及测定

研究了聚L_天冬氨酸修饰电极的制备及其电化学性质。实验表明 ,该修饰电极对神经递质多巴胺的电化学氧化有显著的催化作用 ,使电极反应过程的可逆性变好 ,峰电流明显增大。采用差示脉冲伏安法对多巴胺进行定量分析 ,线性范围为 1 0× 10 - 7～ 1 0× 10 - 4 mol L ,检出限为 5 0× 10 - 8mol L。该聚合物修饰电极具有良好的选择性 ,能有效地排除抗坏血酸对测定的影响 ,用于合成样品分析 ,结果令人满意。     

聚吡咯修饰电极测定抗坏血酸的研究

对掺铁氰根聚吡咯电极的聚合、伏安行为、电催化效应及其在抗坏血酸测定中的应用进行了研究.该膜电极性能稳定,对抗坏血酸催化效果好,抗坏血酸浓度在5×10-6~6×10-3 mol/l范围内有很好的线性关系,用于测定果汁饮料中抗坏血酸获得满意结果.     

多壁碳纳米管修饰电极对抗坏血酸的电催化作用

对抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为的研究表明,与裸玻碳电极相比,抗坏血酸在多壁碳纳米管修饰电极上具有更高的氧化峰电流和更低的氧化电位。实验优化了支持电解质、pH值、扫描速度等测定条件,此法测定抗坏血酸的线性范围为(1.0×10-5~5.0×10-4)mol.L-1,检测下限为8.0×10-7mol.L-1。此修饰电极制作简便,重现性和稳定性较好。     

维生素A的微分脉冲伏安法测定

在0.1mol/L HClO4-DMF溶液中,维生素A在铂工作电极上有一微分脉冲伏安阳极氧化峰.峰电位为0.81 V(vs.SCE).峰电流与维生素A浓度在2.8×10-6～6.0×10-5 mol/L范围内呈良好的线性关系.考察了电流性质,电极反应不可逆.用该法测定了维生素A样品.     

聚对乙酰基偶氮胂膜修饰玻碳电极对抗坏血酸的催化氧化研究

用电化学聚合法研制了聚对乙酰基偶氮胂膜修饰玻碳电极 ,该电极对抗坏血酸 (AA)有良好的电催化氧化作用 ,AA在修饰电极上的氧化电位较空白玻碳电极负移约 4 50 m V。在选定的实验条件下 ,修饰电极以线扫伏安法测定 AA的线性范围为 5.0× 1 0 -5～ 1 .0× 1 0 -2 mol/L,检测下限为 1 .0× 1 0 -5mol/L。该电极具有较好的稳定性和重现性。     

聚甲基红膜修饰电极对儿茶酚的测定

用电化学方法制备了聚甲基红膜修饰电极,该电极对儿茶酚有明显的电催化作用,其氧化峰电位负移70mV,峰电流显著增加,儿茶酚的氧化峰电流在2 0×10-6～1 0×10-4mol/L范围内与其浓度成线性关系,该电极性能稳定,重现性好.     

聚茜素红薄膜修饰电极测定丹宁酸

以聚茜素红薄膜修饰电极(PARE)为工作电极,0.05 mol/LHAc-NaAc(pH 5.0)为支持电解质,通过差分脉冲伏安法研究了丹宁酸在修饰电极上的伏安行为.结果表明,当丹宁酸浓度在5.0×10-6~5.0×10-3mol/L范围内,丹宁酸的浓度与氧化峰电流成线性关系,线性方程为i(μA)=0.2768c(10-6mol/L)+2.636,r=0.9966,检出限达1.0×10-7mol/L.方法简便,用于茶叶中丹宁酸的测定,7次测定的RSD%为2.1.     

Nafion 修饰玻碳电极伏安法测定痕量氧氟沙星的研究

为了探讨氧氟沙星简易的测定方法 ,报道了用Nafion修饰玻碳 (GC)电极测定痕量氧氟沙星的伏安法 .线性扫描过程中 ,在 +1.2 7V处发现一灵敏氧化峰 ,利用该峰可进行氧氟沙星含量的测定 .通过优化测定条件 ,利用该修饰电极测定氧氟沙星的线性范围为 :1× 10 -6～ 3× 10 -5mol/L ,检测限为 1× 10 -8mol/L .用于实际样品溶液中痕量氧氟沙星的测定 ,平均回收率为 99.5 2 % .     

单壁碳纳米管化学修饰电极的制备及其测定鸟瞟呤的研究

报告了一种制备单壁碳纳米管化学修饰电极的方法,并研究了鸟嘌呤在此修饰电极上的电化学行为.鸟嘌呤在单壁碳纳米管修饰玻碳电极上出现一个灵敏的氧化峰,峰电流位于0.64V(vs.SCE).与裸玻碳电极相比,单壁碳纳米管修饰电极显著提高鸟嘌呤的氧化峰电流.优化了各项测定参数,建立了一种直接测定鸟嘌呤的电分析方法.氧化峰电流与鸟嘌呤的浓度在5×10～8-2 × 10-5mol/L之间有很好的线性关系,开路富集3min,检出限为2×10～8mol/L.该方法检测限低、分析速度快、重现性好、准确可靠.     

8—羟基喹啉修饰玻碳电极阳极溶出伏安法测定痕量镉

以8-羟基喹啉(Ox)作为修饰剂制备化学修饰电极,用于痕量镉的伏安法测定.研究了支持电解质种类及酸度、修饰膜厚度、富集电位、富集时间、扫描速度等因素对伏安曲线的影响,获得较为优化的测试条件.在0.1mol/LHAc-NaAc缓冲溶液(pH4.0)中,Cd(Ⅱ)的浓度在4.0×10-8mol/L～7.0×10-5mol/L范围内与其氧化峰电流呈良好线性关系(r=0.9933),检测限达2.0×10-8mol/L.该电极具有很好的重现性,在含2.0×10-6mol/LCd(Ⅱ)试液中连续测定10次,其RSD为7.8%.本法用于实际水样测定,获得满意的结果.     

催化动力学分光光度法测定镨和钐

在盐酸介质中,痕量稀土元素镨和钐催化双氧水氧化碘化钾生成单质碘,单质碘可使次甲基蓝褪色,基于此建立了催化动力学分光光度法测定稀土元素镨和钐的新方法.方法的线性范围分别为5.1×10-6mol/L～5.1×10-5mol/L、5.1×10-6mol/L～5.1×10-5mol/L,检出限分别为2.75×10-6mol/L和2.44×10-6mol/L.该方法用于含稀土的纳米材料中镨和钐的分析测定,结果满意.     

流动注射化学发光法测定抗坏血酸的研究

基于抗坏血酸对鲁米诺与超氧阴离子自由基化学发光反应的抑制作用,建立了一种测定抗坏血酸的流动注射化学发光法.超氧阴离子自由基由紫外光照射碱性核黄素溶液产生.抗坏血酸浓度与化学发光强度的抑制值在0～2×10-6mol/L范围.内具有线性关系.对浓度为6×10-7mol/L的抗坏血酸溶液进行11次平行测定的相对标准偏差为1.1%.该方法已用于药物制剂中抗坏血酸的含量测定.     

CoHCF/Au修饰电极的电化学性质及电催化氧化H_2O_2的研究

采用电化学方法在金电极上修饰六氰合铁酸钴(Cobalt Hexacynoferrate,CoHCF),研究了CoHCF/Au修饰电极的电化学性质.该修饰电极在0.75 V电位下可催化氧化过氧化氢,在0.1～400.0μmol/L浓度范围内,氧化峰电流随过氧化氢浓度的增加而增加,对过氧化氢的检测限可达5.0×10-8mol/L.     

伏安法测定抗坏血酸的应用研究

采用电聚合方法制备了依来铬黑T修饰玻碳电极,该修饰电极对抗坏血酸(AA)具有较好的催化氧化作用。在优化的实验条件下,AA的氧化电位大大降低,氧化峰电流显著增大,AA浓度在1.0×10-5～2.0×10-3 mol.L-1范围内与氧化峰电流成良好的线性关系。该电极制备简单,响应快,使用方便,用于AA的样品检测,效果良好。     

吸附伏安法同时测定中草药中痕量的镍和钴

提出一种有效的测定痕量镍和钻的吸附伏安法。利用悬汞电极作为工作电极,在0.005mol/L NH_3～0.06 mol/L NH_4Cl—3.0×10~(-6)mol/L锌试剂的最佳底液中,测定镍和钴的线性范围分别为1×10~(-10)～8×10~(-8)mol/L和1×10~(-10)～1×10~(-7)mol/L,检测下限均为5×10~(-11)mol/L。在工作中探讨了镍、钻和锌试剂配合物的吸附伏安行为及其在电极表面上的电化学反应机理。研究证明,该方法灵敏、可靠、省时,特别适用于中草药中痕量镍和钴的定量分析。