金属球与无限大导体平板系统电容的精确计算

用镜象法求解金属球与无限大导体平板系统的电容。根据数学物理理论,通过配置镜象电荷系列进行求解电容,即在金属球与无限大导体平板系统中配置镜象电荷系列,通过引入叠加系数Cn,2k可以精确确定镜象电荷系列中任意象电荷的位置和电量,并采用计算技术工具软件MATLAB进行运算与作图,精确计算系统的电容。     

直流电压作用下绝缘子表面电荷积聚的研究

为了对直流电压作用下的绝缘子表面电荷进行测量，设计了一种性能优良的新型电容探头，该电容探头具有电荷泄漏少、分辨率高的优点。研究了外施直流电压极性、幅值、作用时间和外界气象条件对表面电荷积聚的影响。研究表明：当外施电压的幅值和作用时间增加时，绝缘子表面电荷密度的平均值逐渐增加；绝缘子表面电荷的分布与外施电压的极性密切相关；晴朗天气要比小雨天气更易积聚表面电荷，说明绝缘子表面电导率对表面电荷积聚是有影响的。     

利用ECT信息改进EST图像重建

提出了基于电容层析成像(ECT)与静电层析成像(EST)的双模态传感器技术.该技术应用电容层析成像重建得到的介质分布结果作为先验信息,提高了静电层析成像的图像重建精度.针对静电荷对ECT测量值的干扰进行了探讨.理论分析表明,ECT采用交流法检测电容,在高频交流激励、带通滤波方式下,微小电容检测系统可以消除颗粒感生电荷噪声的低频干扰.针对电荷灵敏场受介质分布的影响进行了研究,数值仿真计算表明,采用ECT提供的介质分布信息可修正实际流型下的电荷灵敏度,降低EST电荷分布反演的不确定度.由于EST的相对图像误差、相对电荷余量等图像重建指标均有所减小,所以图像相关性更好.     

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容－电压（C－V）测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属－氧化物－半导体（MOS）电容结构的电荷存储特性的影响,研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用,长时间存储模式下的电荷存储行为主要是由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2/Si衬底界面态决定。     

分界面为无限大平面介质中像电荷及电势

本讨论了两介质(分界面为无限大平面)的像电荷不同求法，分析了像电荷与所假设空间介质电容率有关。     

耗散介观电容耦合电路的量子效应

从经典耗散介观电容耦合电路出发,研究了耗散介观电容耦合电路,在占有数表象中,计算了每个回路的电荷和电流的量子涨落。结果表明,每个回路中的电荷和电流的量子涨落不仅与自身回路的器件参数有关,同时还与另一回路的器件参数有关。     

0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究。仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起;而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积。第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响。     

耦合结构高分辨率电荷按比例缩放DAC的分析

耦合结构高分辨率电荷按比例缩放DAC占用面积小,功耗低,然而其互连结点之间的寄生电容影响了它的线性．介绍了耦合结构高分辨电荷按比例缩放DAC级间耦合电容值的设计方法,讨论了寄生电容对DAC精确度的影响．用两种不同的理论模型分析了电容轨迹误差对DAC精确度的影响,并在两种模型下比较了两级和传统的单级电荷按比例缩放DAC的精确度和版图面积．     

拓广的电容定义电容唯一性之研究

对任意两个导体构成的电容器给出了拓广的电容定义,并通过复制电容器、恰当地对电容器充电、电荷粘贴转移这么几个富有创意的步骤,完成了对拓广的电容定义电容具有唯一性的证明.     

电容耦合介观电路的零状态响应与系统特性研究

采用代数动力学规范变换方法,求出含时变电压源的电容耦合介观电路量子态随时间演化算符的精确解,导出电容耦合介观电路电荷和电流对输入电压信号的零状态响应的完全解,结果表明电容耦合介观电路系统具有线性时不变特性,且电荷与电流的零状态响应与相应宏观电路的结果一致.     

金属球与无限大导体平板系统电容的研究与计算

采用镜像法与叠加系数法求解了金属球与无限大导体平板系统的电容．根据数学物理理论，本文通过引入叠加系数Cn,k的方法，在金属球与无限大导体平板系统中配置镜像电荷系列，可以精确确定镜像电荷系列中任意象电荷的位置和电量，并采用计算技术工具软件Matlab进行运算与作图，精确计算系统的电容．这种方法分析过程直观、简捷、计算精度高等特点．     

任意无源二端电容网络的等效电容

探讨了任意无源二端电容网络等效电容的一般计算方法，利用电荷守恒定律、静电场的环路定理以及数学归纳法等数学工具，得到了零电量方程组和回路电压方程组，证明了两方程组间的相互独立性，从而解决了任意无源二端电容网络等效电容的计算问题。     

离散电荷介观LC电路中的电荷与电流的时间演化

主要通过考虑介观电容的耦合能，对离散电荷介观LC电路中的电荷与电流的动力学行为进行了研究。结果表明：电荷与电流的时间演化函数由雅可比椭圆函数替代，而且在电路中显示周期性压缩效应。     

探空湿度传感器的信号调理电路设计

针对高空气象湿度测量对高精度和低噪声提出的需求,设计了一种基于电荷放大器原理用于探空湿度传感器的微弱电容检测电路。该电路由晶体振荡电路、电荷放大器电路、整流滤波、A?D转换、MCU等部分组成。实验结果表明：研制的检测电路具有较强的抗杂散电容性能,线性度良好,准确度优于0.04%,对于标称100 pF的待测电容,噪声引起的误差仅相当于待测电容的100 PPM（百万分之一）,约10 fF,能满足高空探测的要求。     

电磁振荡原理及演示

由电感L和电容C串联组成的LC电磁振荡电路如图(一)所示。 当开关K置于1时,电源E向电容C充电。经过较长的时间后,电容两极板上分别带上等量异号的电荷q,C两端的电压V_c=q/c,此时电容所贮存的电能W_c=1/2CV_C~2。 当开关K置于2时,电容C通过电感L放电。由于L的自感电动势ε_L,电路中的电流i逐渐地从0增加到最大值I_m。与此同时,电容极板上的电荷由q逐渐减少到0。当电     

电容耦合效应对介观LC电路量子效应的影响

将介观电容作为介观隧道结，提出电子波函数在介观电容两极板间有可能存在相互耦合的事实，从而给出介观LC电路的量子化方案。并讨论了电容耦合效应对介观LC电路中电荷和磁通量子涨落的影响。     

多重镜像法求解高压传输线的部分电容

该文研究了中性束注入系统中高压传输线部分电容的求解问题;根据传输线多层同轴导电壳的结构特点,利用多重镜像法确定与平行导线相应的一系列的镜像线电荷,求解的问题变为由一系列平行线电荷构成的电场问题,传输线的部分电容则通过各导体间的电位系数来求得;这一方法避免了直接求解的困难以及大量数值计算等问题。     

导体旋转椭球电容的一种计算方法

用一种新方法，计算孤立旋转椭球导体的面电荷密度和电容。     

微电容阵列检测系统的设计

通过实验分析了电容读取芯片MS3110P各项性能指标,并设计了一款能自适应匹配模拟开关产生的电荷注入效应的P控制器;开发出一款具有单电容阵列测量模式和差分电容阵列测量模式的微电容阵列检测电路,并探讨了其寄生电容产生的原因。测试结果表明,该检测电路克服了各种寄生电容对传感器的影响,提高了测量精度,能够应用于MEMS触觉传感器微电容阵列的测量。     

静电场理论在印刷行业的实际应用

以静电场为例,紧扣物理在印刷上的应用,阐述了喷墨打印机、静电植绒印刷和压电喷墨的物理原理,计算了静电复印机硒鼓表面的电荷面密度,给出了电容测油墨量、电容测纸张厚度的方法等.