2T2C铁电存储单元读写电路的单粒子翻转效应研究

针对2T2C铁电存储单元读写电路进行了单粒子翻转效应的仿真模拟,研究了单粒子入射读写电路的不同敏感节点对存储数据的影响,并分析了数据读写出错的内在机制.结果表明:单粒子入射存储阵列中的字线晶体管时,存储数据未发生翻转,这主要是因为铁电电容极化信息波动后又恢复至原状态;单粒子入射外围电路中的板线激发器和灵敏放大器时,存储数据发生了翻转,这主要是因为外围电路产生的单粒子瞬态脉冲造成数据读出出错,进而导致了回写数据翻转.     

一种新型pH仪的设计

本文提出了一种新型pH仪的设计方法.这种仪器的敏感器件是氢离子敏感场效应晶体管.全部电路采用集成电路构成.单片A/D转换器和液晶片作成显示单元.实验证明,设计的理论和方法是正确的,仪器具有良好的性能.     

关于超低功耗集成电路技术的分析

本文以集成电路的特点与功耗情况为研究的出发点,简要介绍了超低集成电路的含义,欲通过优化与完善集成电路设计,达到对超低功耗集成电路原理进行探究与分析的目的。同时,阐述了超低功耗的未来发展方向,该电路技术对各类电子设备的发展与运用具有重要的作用。     

SRAM白光中子单粒子翻转注量率(10~7量级)效应研究

中子诱发中子单粒子效应进而影响电子设备或系统的稳定性和可靠性,本文基于中国散裂中子源BL06测试束线,在20 kW、50 kW、70 kW、80 kW和100 kW束流条件下,对800 nm、500 nm、350 nm和130 nm工艺静态随机存储器开展了不同注量率下白光中子单粒子翻转研究.实验发现:在误差允许范围内,中子注量率为1.34×10~7~6.68×10~7 n/(cm~2·s)时,白光中子诱发的中子单粒子翻转平均位翻转截面无明显变化,即当前注量率范围内,中子单粒子翻转基本不考虑注量率效应.     

集成电路版图设计课程教学研究

<正>日前,为加快推进我国集成电路产业发展,工信部经国务院同意正式发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》.集成电路(IC,即Integrated Circuit)作为整个电子信息产业发展的核心和关键,对于我国的信息化发展来说至关重要.我国集成电路产业发展起步较晚,发展水平较低[1].而我国集成电路芯片的年进口额约与石油年进口额持平,其重要性可见一斑.因此,作为集成电路设计专业的核心课程,集成电路版图设计必须在教学上进行创新,力求使学生掌握理论精髓,提高实践水平,并争取培养学生相关的创新能力.对集成电路版图设计课程的教学进行改革与探索,获得了良好的效果.     

铁电储存器中子单粒子效应的蒙特卡罗模拟

大气辐射环境中高通量中子对铁电存储器的单粒子效应不容忽视.该文利用蒙特卡罗方法研究了铁电存储器的中子单粒子效应.中子入射在铁电存储器灵敏区域造成的总能量沉积随中子能量的增大而增加,且在灵敏区域内部的总能量沉积值略大于在边界处的.中子能量为1～5 MeV时,铁电存储器中没有发现单粒子翻转.中子能量为6～16 MeV时,铁电存储器会发生单粒子翻转.当中子能量从6 MeV增大到8 MeV时,单粒子翻转截面从6×10~(-16 )cm~2增大到6×10~(-15 )cm~2,增大约1个数量级;当中子能量从8 MeV增大到16 MeV时,单粒子翻转截面从6×10~(-15 )cm~2增大至1.8×10~(-14)cm~2,只增大到3倍左右.中子还会导致铁电存储器出现单粒子功能中断,其单粒子功能中断错误数随功能中断线性能量传递(linear energy transfer, LET)阈值的增大呈指数形式减小.同时,铁电存储器的功能中断LET阈值越大,其单粒子功能中断错误截面受中子能量的影响越不明显.     

单片TA8690AN双制式解码集成电路在出口彩电机芯上的运用

本文叙述单片TA8690AN双制式解码集成电路首次在出口南美彩电机芯上的运用情况。同时对该机芯主要特点、电路组成方框图及原理(功能)、PAL-M·N/NTSC-M制式转换接口电路的设计作了简要的介绍。文中介绍的设计方法可推广应用到其它新型彩电单片机上,其中TA8690AN解码部分的设计也可运用于目前国内广泛生产的PAL(TV)/NTSC(AV)双制式彩电上。     

准立方体α-Fe2O3纳米粒子溶胶的制备与水解机理研究

以FeCl3·6H2O为反应前驱物,制备了α-Fe2O3溶胶.利用XRD、AFM、UV-Vis和FT-IR对薄膜的结构、形貌和谱学性质进行了分析.采用分时取样的方法,跟踪测试溶胶的XRD、AFM、UV-Vis和FT-IR,对粒子的形成过程进行了研究,提出了氧化铁在水解过程中先形成β-FeOOH,然后再转化为单分散准立方体形α-Fe203纳米粒子的机理.     

MOS光电开关集成电路

采用电荷积累检测原理构成了ＭＯＳ型单片式光电开关集成电路。该器件具有低功耗、低成本、多功能的特点。文章还对器件的应用情况作了介绍。     

理想气体（N,V,E）系统微观状态数的计算

本文利用自由粒子的量子能态分布理论和３ｎ维空间球体模型，计算出了单原子理想气体（Ｎ、Ｖ、Ｅ）系统的微观状态数，并给出了单原子理想气体热力学量的统计结果．