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绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视. 相似文献
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采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差. 相似文献
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镜面抛光硅衬底上金刚石薄膜的生长 总被引:1,自引:0,他引:1
在镜面抛光硅衬底上加负偏压,利用微波等离子体化学气相沉积方法生长金刚石薄膜。通过改变偏压成核阶段的不同条件制备出一系列样品,与直接在镜面抛光硅衬底上不加偏压直接生长的金刚石膜相比,成核密度明显提高,可达4×10^9cm^-2。 相似文献
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虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P~ 和n/n~ 外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力. 相似文献
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在低温条件下,利用化学溶液沉积法(CBD)成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2+摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底(Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃)进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2+摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2+摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能. 相似文献
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史向华 《长沙水电师院学报》1998,13(1):41-44
研究了热壁外延法(HWE)在经两种不同处理方法的GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜质量,俄歇电子能谱图(AES)分析表明,经S纯化的GaAs表面大约由一层单原子层所覆盖,从而减少了ZnAs/GaAs界面态密度,用喇曼光谱的空间相干模型,对不同处理方法的GaAs上生长的ZnSe处延膜的一级LO声子喇谱形变化进行分析,定量判断出ZnSe外延膜质量的优劣,分析认为,经S纯化ZnSe/GaAs具有较好的质量 相似文献
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以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象. 相似文献
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用AFM在单晶硅片(100)表面上加工出一微结构表面,而且加工过程中单晶硅的表面生成很薄的二氧化硅保护层,使其置于氢氧化钾溶液中刻蚀加工可得到微结构(长×宽:10μm×10μm)。加工过程中利用二氧化硅和单晶硅与氢氧化钾溶液化学反应速率的不同,以及单晶硅不同晶面与氢氧化钾溶液反应速率的各向异性达到加工目的,并应用化学键理论—能带理论对在KOH水溶液中加工反应的机理进行了分析。 相似文献
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利用化学气相沉积的方法,在硅衬底上生长了铟掺杂的氧化锌纳米螺旋结构.通过X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、选区电子衍射等手段对样品的形貌和结构进行了表征.结果表明,合成的纳米螺旋由纳米带旋转而成,曲率半径为几个微米.纳米带宽约200 nm,厚约几十纳米,铟杂质的引入使其生长方向沿(1010)方向. 相似文献
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硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中的硅量 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出以硅钼蓝分光光度法测定硅黄铜中(含硅:1.00%-4.50%)硅的含量;硅黄铜试样以硝酸-氢氧酸溶解,硅与钼酸铵形成硅钼络离子,然后用硫酸亚铁铵作还原剂使硅钼络离子还原为硅钼蓝,借此进行分光光度法测定;实验表明:本方法操作简便,分析快速,测定准确度高。 相似文献
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本文对干氧中Si热氧化的快速初始氧化提出了一种新模型.该模型既考虑了界面反应速率系数,又考虑了增强扩散效应对快速初始氧化的影响;避免了Schafer-Lyon的"氧化物内固定正电荷影响界面反应速率系数"模型所存在的问题;同工艺模拟程序SUPREM-Ⅲ中所用的薄氧化模型相比,具有较明确的物理意义;所用模型公式在形式上同线性-抛物线氧化模型公式相似,特别适用于VLSI CAD.另外,用本模型还可以解释为什么Si在湿氧气氛中没有快速初始氧化现象,以及为什么非掺杂多晶硅初始氧化速率比晶向的单晶硅还要快. 相似文献
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先后通过一步法和改进的溶胶种子法制备了单分散二氧化硅(SiO2)亚微米微球,利用扫描电子显微镜(SEM)对样品的形貌进行了表征,同时系统地研究了氨水浓度、水的浓度、温度、硅源浓度和二次成核等不同反应条件对SiO2粒径和分散性的影响。最后采用缓慢干燥法和垂直沉积法对SiO2亚微米微球进行了自组装,用扫描电镜进行了表征。结果表明:所制备的SiO2亚微米微球尺寸均匀,单分散性好,符合自组装胶体晶体的要求。 相似文献
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添加硅溶胶对超稳Y沸石水热稳定性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
由于残余氟化物、氧化钠及非骨架硅铝碎屑等因素的影响,削弱了(NH4)2SiF6液相处理NaNH4Y制得的超稳Y沸石FSY的水热稳定性.本文通过在FSY制备过程中外加硅溶胶,改善了FSY的水热稳定性,其原因可能是这种外加硅源比骨架中夹带的非骨架硅或水热处理过程中因部分骨架崩塌而生成的非骨架硅更易发生因相硅迁移,从而减轻了骨架崩塌的可能性. 相似文献
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在EPW中采用(100)硅制作微悬臂梁凸角补偿及工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
(100)硅片在EPW腐蚀液中进行各向异性腐蚀时,因在(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使微悬臂梁凸角掩膜下的硅受到侧向腐蚀,出现严重的凸角削角现象.研究采用EPW腐蚀(100)硅片制作微悬臂梁的凸角补偿方法及制作工艺,给出采用圆形掩膜对(100)硅凸角进行补偿.实验结果表明,该方法能够较好的完成对EPW腐蚀液中悬臂梁凸角削角的补偿。 相似文献