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利用AFM和碱溶液在单晶硅表面微加工及其电化学机理
引用本文:袁福龙,郭永峰,梁迎春,李丽,闫永达.利用AFM和碱溶液在单晶硅表面微加工及其电化学机理[J].黑龙江大学自然科学学报,2006,23(3):289-293.
作者姓名:袁福龙  郭永峰  梁迎春  李丽  闫永达
作者单位:1. 哈尔滨工业大学,精密工程研究所,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 黑龙江大学,化学化工与材料学院,黑龙江,哈尔滨,150080
基金项目:国家自然科学基金 , 黑龙江省自然科学基金
摘    要:用AFM在单晶硅片(100)表面上加工出一微结构表面,而且加工过程中单晶硅的表面生成很薄的二氧化硅保护层,使其置于氢氧化钾溶液中刻蚀加工可得到微结构(长×宽:10μm×10μm)。加工过程中利用二氧化硅和单晶硅与氢氧化钾溶液化学反应速率的不同,以及单晶硅不同晶面与氢氧化钾溶液反应速率的各向异性达到加工目的,并应用化学键理论—能带理论对在KOH水溶液中加工反应的机理进行了分析。

关 键 词:单晶硅  原子力显微镜(AFM)  微结构  碱溶液刻蚀
文章编号:1001-7011(2006)03-0289-05
修稿时间:2005年11月20

Fabricating using AFM and etching on crystalline silicon in alkaline solution and electrochemistry mechanism
YUAN Fu-long,GUO Yong-feng,LIANG Ying-chun,LI Li,YAN Ying-da.Fabricating using AFM and etching on crystalline silicon in alkaline solution and electrochemistry mechanism[J].Journal of Natural Science of Heilongjiang University,2006,23(3):289-293.
Authors:YUAN Fu-long  GUO Yong-feng  LIANG Ying-chun  LI Li  YAN Ying-da
Abstract:AFM is used for forming silicon dioxide as a layer (mask) on the silicon wafer surface (100) during the cutting process in ambient atmosphere. The silicon dioxide is made through reaction of silicon and oxygen in the atmosphere. As a result of the anisotropic behavior of single crystalline silicon, the etching rates in alkaline solutions depend greatly on the various crystal orientations. The etching mechanism-electrochemistry modern is described in KOH solutions.
Keywords:crystalline silicon  Atomic Force Microscope (AFM)  micro machining  etching alkaline solution
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