（AlxGa1—x）yIn1—yP表面氧化特性

利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对（ＡｌｘＨａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

N型合金半导体的低温电子喇曼散射

研究了ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射．根据晶格动力论,讨论了Ⅲ－Ⅴ合金半导体的ＤＸ中心的物理起因．结果表明在ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中存在施主双稳态特性．在低温下,光感应的施主亚稳态是平常的类氢能级,此浅施主态引起了间接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＞０．４５）的电子喇曼散射和束缚声子以及直接带隙ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＜０．４５）的低温持续光电导．当温度升高时,该类氢能级的电子退回到稳定的ＤＸ中心的深能态．     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

用电液相外延法制备透射式GaA光阴极的研究

采用电液相外延法在ｎ型ＧａＡｓ衬底上连续生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ＝０．７５）过渡层及ｐ型ＧａＡｓ发射层，测试结果表明，电液相外延法适合于制备透射式ＧａＡｓ光电阴极。     

N—Ga1—xAlxAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ低温光伏的异常特性，在暗条件下降温的样品，其低温光钛的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃，这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ（ｘ〉０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化。     

MOCVD制备GaAs／AlGaAs多量子阱的光致发光特性

对ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰；位于１．６６４ｅＶ处的峰是自由激子发光；峰值处于１．４８ｌｅＶ的发光是ＧａＡｓ中施主Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子向受主Ｓｉ（Ａｓ）跃迁引起的；而在１．５２９ｅＶ处的弱发光峰是ＧａＡｓ阱层中Ｓｉ（Ｇａ）原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。     

复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析

讨论了用ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ－４ｆ型二次离子质谱仪对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ复杂多层结构定量深度分析的方法。采用ＣｓＭ＋技术，完成了无外部参考物质ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体成分定量分析，提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法，详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择，还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）对复杂多层结构的定量分析，同时得到了主成分和杂质的定量深度分布，并保持了ＳＩＭＳ的优良深度分辨本领。     

应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

用半经验的紧束缚方法ｓｐ３ｓ＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构．给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系．在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和体合金ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ的光学性质作了比较．计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应．     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

(AlxGa1-x)yIn1-yP表面氧化特性

The optical parameters for three samples of intrinsic,doped Si and doped Mg (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP prepared by the MOCVD on the GaAs substrate were measured by using the null-type ellipsometry and were calculated by the model of double layer absorption film.The results obtained were discussed.The grown rates and thickness of oxide film on the intrinsic (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP surface exposed in the ambient air were studied.A linear dependent of oxide film thickness on the time was obtained.     

铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原子百分比8.6%时达到最佳的电学性能:载流子迁移率为7.5cm~2/(V·s),开关比为3×10~8,亚阈值摆幅为0.41V/decade.使用光致发光激发谱和X射线光电子能谱评价了a-IZBO沟道层中的氧空位缺陷,分析结果证实了铋的掺杂确实有效地减少了氧空位,从而抑制了半导体沟道层中的载流子浓度,对a-IZO-TFTs的总体电学性能改善起到较大的作用.     

简谐势阱中的理想玻色气体

应用统计物理方法对谐振势作用下的理想玻色气体进行理论计算，导出系统发生玻色－爱因斯坦凝聚（ＢＥＣ）时的一些物理量，发现产生凝聚的情况与外势场的形式紧密相关．由理论计算求得的临界温度ＴＣ和基态的粒子占据率Ｎ０／Ｎ与实验结果符合较好．这些研究有助于对这种新物态性质的了解．     

用同步辐射光电子谱研究氧对GaAs-Al和GaAs-Au界面形成的影响

用同步辐射光电子谱研究了吸附于清洁的GaAs(110)解理面上的约0.7个单原子层的氧对Al—GaAs以及Au—GaAs界面形成的影响.初始淀积的铝(1ML)倾向于夺取As—O键中的氧,随后淀积的铝(>1ML)又从Ga—O键中夺取氧,形成Al—O键;Al的进一步增加使Al与次层GaAa的置换反应变得明显,其结果生成AlAs,同时被置换出来的Ga穿界面而出现在表面.微量的Au(<1ML)与O—GaAs之间只有微弱的相互作用.随后淀积的Au破坏As—O键并促使形成较稳定的Ga的氧化物,Ga的氧化物层阻止Ga进入Au,但不能阻止As分聚于Au层的表面.     

Preparation of Cu（In,Ga）Se2 thin film by sputtering from Cu（In,Ga）Se2 quaternary target

Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films were prepared by directly sputtering Cu(In,Ga)Se2 quaternary target consisting of Cu:In:Ga:Se 25:17.5:7.5:50 at%. The composition and structure of CIGS layers have been investigated after annealing at 550 ℃ under vacuum and a Se-containing atmosphere. The results show that recrystallization of the CIGS thin film occurs and a chalcopyrite structure with a preferred orientation in the (112) direction was obtained. The CIGS thin film annealed under vacuum exhibits a loss of a portion of Se, while the film annealed under Se-containing atmosphere reveals compensation of Se. Several solar cells with three different absorber thicknesses were fabricated using a soda lime glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Al grid stack structure. The highest conversion efficiency of 9.65% with an open circuit voltage of 452.42 mV, short circuit current density of 32.16 mA cm2 and fill factor of 66.32% was obtained on a 0.755 cm2 cell area.     

中频反应磁控溅射Al_2O_3薄膜的光学性质

采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al2O3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其他物理特性的方法.对Al2O3薄膜进行透射谱测量,通过对薄膜折射率、吸收系数、膜厚度与入射光波长相互关系的分析,获得了Al2O3薄膜在400~1 100 nm区域内的折射率、吸收系数与入射光波长的关系式,以及Al2O3薄膜厚度的计算公式.     

基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜.结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响.当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω.cm,可见光的平均透过率为89.1%.     

闪锌矿结构GaN,AlN和合金Ga1—xAlxN光学性质计算

闪锌矿结构ＧａＮ、ＡｌＮ和合金Ｇａ１－ｘＡｌｘＮ光学性质计算何国敏王仁智郑永梅（厦门大学物理学系厦门３６１００５）随着人们对发光二极管和半导体激光器等光电器件的深入研究,工作于蓝紫波段的半导体材料受到普遍的重视．宽带隙半导体ＧａＮ和ＡｌＮ正是目前蓝紫...     

镧掺杂五氧化二钽膜电极的电化学性能

利用低温水热法合成了镧掺杂五氧化二钽粉体.对样品的相结构进行了X射线衍射(XRD)分析,结果表明,掺镧后的五氧化二钽有好的晶型,并且掺杂使其衍射峰发生低角度偏移.通过循环伏安法(CV)在0.1 mol*L-1 KCl (含有K3Fe(CN)6)水溶液中测试了镧掺杂五氧化二钽膜电极的电化学性能,CV结果表明K3Fe(CN)6)在膜电极上的电极反应是扩散控制的反应.此外,镧掺杂五氧化二钽膜电极仍然有好的导电性,并且展现了比不掺杂的五氧化二钽膜电极更稳定的电化学特性.     

电子—声子相互作用非对称双势垒共振隧穿的影响

理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流。对A│xGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构作了数值计算,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认。对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰,且接近阱内LO声子的能量。发现界面光学（IO）声子辅助隧穿是主要的。理论结果能正确解释实验。