^92Mo（n,p）^92mNb,^98Mo（n,p）^98mNb和^94Mo（n,2n）^93mM…

报告了Ｅｎ＝１３．４０＝１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ截面为中子注量标准测量的＾９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９２ｍＮｂ，＾９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９８ｍＮｂ和＾９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）＾９３ｍＭｏ的反应截面。还列举了尽可能收集到的数据，并将＾９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９２ｍＮｂ和＾９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）＾９８ｍＮｂ两反应道的实验测量值与理论计算值进行了比较，中子能量是用铌锆截面比法测定的。     

^181Ta,^139La,^140Ce和^142Ce麦克斯韦谱平均俘获截…

在脉冲静电加速器上，利用＾７Ｌ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的＾１８１Ｔａ，＾１３９Ｌａ，＾１４０Ｃｅ和＾１４２Ｃｏ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较。     

^151Eu（n,γ）^152Eu反应的同核异能态截面比

在４．５ＭｏＶ静电加速器上，用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ和Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ反应作为中子源，利用活化法测量了能量从２２ｋｅＶ到１１００ｋｅＶ的中子引起＾１５１Ｅｕ（ｎ，γ）＾１５２Ｅｕ反应的同核异能截面比。在Ｈｕｉｚｅｎｇａ－Ｖａｎｄｅｎｂｏｓｃｈ理论方法计算的同核异能态截面比与自旋切割因子的关系曲线上，用实验测得的同核异能态截面比确定了产物核的自旋切割因子。     

^65Cu（n,2n）^64Cu,^63Cu（n,α）^60Co和^46Ti（n,p）…

本用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ反截面为中子注量标准，测得的１４．９ＭｅＶ中于＾６５Ｃｕ（ｎ，２ｎ）＾６４Ｃｕ和＾４６Ｔｉ（ｎ，ｐ）＾４６Ｓｃ反应截面分别为９３３±３２和２９７±１０ｍｂ，测得的１４．６２ＭｅＶ中子＾６３Ｃｕ（ｎ，α）＾６０Ｃｏ反应截面值为４２．３±１．５ｍｂ。单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ反应获得，中子能量是用铌锆截面比法测定的。在中还把本的结果与其他一些作的数     

^148Sm（n,p）^148mPm,^144Sm（n,p）^144Pm和^150Sm（n,α）^14…

报道了从１３．４ＭｅＶ到１４．９ＭｅＶ中子能区用活化法相对＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ（＾９２ｍＮｂ的反应截面，对＾１４８Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４８ｍＰｍ，＾１４４Ｓｍ（ｎ，ｐ）＾１４４Ｐｍ和＾１５０Ｓｍ（ｎ，α）＾１４７Ｎｄ三个反应截面的初步测量，并将所得结果和已有数据进行了比较，中子能量是用铌锆截面比法测定的。     

13.5～14.7MeV中子引起钯同位素反应截面的测量

用活化法，在Ｅｎ＝１３．５～１４．７ＭｅＶ中子能区，以＾５４Ｆｅ（ｎ，ｐ）＾５４Ｍｎ截面为中子注量标准测量了＾１０２Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０２ｍＲｈ，＾１０２Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０２ｇＲｈ，＾１０５Ｐｄ（ｎ，ｐ）Ｒｈ，＾１０６Ｐｄ（ｎ，ｐ）＾１０６ｍＲｈ的反应截面值，以＾９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）＾９２ｍＮｂ截面为中子注量标准测量＾１０６Ｐｄ（ｎ，α）＾１０３Ｒｕ，＾１０８Ｐｄ（ｎ，α）＾１０５Ｒｕ；＾１０２     

~（92）M_o（n，p）~（92m）Nb，~（98）M_o（n，p）~（98m）Nb和~（94）M_o（n，2n）~（93m）M_o反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

51V(n,α)48Sc和51V(n,p)51Ti反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４～１４．８ＭｅＶ中子能区用活化法以＾２７Ａｌ（ｎ，α）＾２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的＾５１Ｖ（ｎ，α）＾４８Ｓｃ和＾５１Ｖ（ｎ，ｐ）＾５１Ｔｉ两反应截面，还列举了尽可能收集到的数据，中子能量是用铌锆截面方法测定的。     

~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

^48Ti（α,n）^51Cr和^46Ti（α,2n）^48Cr反应激发函数的…

用活化法和叠靶降能技术，测量了从４．７到２６．４ＭｅＶ能区反应＾４８Ｔｉ（α，ｎ）＾５１Ｃｒ和＾４６Ｔｉ（α，２ｎ）＾４６Ｃｒ的激发函数，实验结果同其他作者的结果进行比较，在误差范围内是一致的。     

慢化体材料对加速器BNCT束流装置中子品质影响研究

基于加速器中子源的硼中子俘获治疗(BNCT)是一种较好的肿瘤治疗技术,通过慢化得到的超热中子可用于非浅表肿瘤BNCT治疗.本文以2.3 MeV、10 mA质子流强的7Li(p,n)7Be中子源为对象,建立了加速器BNCT束流装置模型,采用中子输运程序MCNP研究了慢化体材料对超热中子束流品质的影响.结果表明:采用重水作为慢化体材料可有效的提高束流出口处超热中子水平,对于2.3 MeV、10 mA质子流强的7Li(p,n)7Be中子源,超热中子束流水平为0.669×109n/(cm2.s),超热中子与快中子产额比达62.3,基本达到临床治疗所需109n/(cm2.s)的超热中子水平.     

10—100keV能区的中子俘获截面研究

以~(197)Au为标准,用飞行时间方法,测量了10—100keV能区,~3Nb、~(169)Tm、~1Ta、Ag、Hf和W的中子俘获截面.通过~7Li(p,n)~7Be反应产生运动学准直中子,用两个Moxon—Rae探测器探测俘获事件,其结果与有关文献值作了比较.     

98Mo中子俘获截面的实验测量及Monte Carlo修正

98Mo是一种重要的聚变堆包层材料。因此,准确测量它的中子俘获截面数据对于堆的设计和辐射防护具有重要意义,为此在四川大学2.5 MeV静电加速器上,以7Li(p,n)7Be和T(p,n)3He反应作为中子源,以197Au作为标准,用相对活化法测量了98Mo(n,γ)99Mo在29~1100keV能区中子俘获截面,并用MCNP 4C程序对实验中由中子的多次散射、注量率衰减效应等引起的偏差进行了修正,最后将所得结果与已有数据进行了比较。     

14.7MeV中子在^9Be核上散射微分截面的测量

用伴随粒子飞行时间谱仪，测量了１４．７ＭｅＶ中子在９Ｂｅ核上的弹性及２．４３ＭｅＶ能级的非弹性散射微分截面．给出了从１５～１３５°（实验室系）范围内散射截面的数据，以及散射角分布的勒让德系数．对中子通量衰减、电子学死时间和初级束形状等作了修正．实验数据的总误差为４．０％～７．０％，其中统计误差为０．５％～３．５％．     

14 MeV中子反应和远离核研究

指出了中子源的重要性,扼要地说明了加速器中子源的特点。简单地介绍了14MeV中子引起的核反应,发现了14MeV中子可以引起重核的奇异(n,2p)反应,并以此为基础,形成了合成和研究重丰中子新核素的一条物理思想和生成、分离鉴别技术路线;先后合成和研究了^185Hf、^237Th、^175Er和^197Os等四种重丰中子新核素。     

用中子飞行时间分析氢同位素深度分布

论述了一种注入或者吸附在材料中的氚和氘的深度分布的测量方法.样品为氚(钛)靶和氘(钛)靶.用2MeV入射质子束,T(p,n)反应研究氚的深度分布;用1MeV入射氘束,D(d,n)反应研究氘的深度分布.用标准的飞行时间方法测量中子能谱。由中子能量确定起反应的质子或氘核的能量。进而得出氚或者氘在钛层中的深度分布.本方法的灵敏度可达0.1at.％.对氚(钛)靶,当靶厚为5mg/cm~2时,深度分辩好于0.5mg/cm~2.     

中等质量AGB星He壳层内的重核素丰度

采用２２Ｎｅ（α,ｎ）２５Ｍｇ中子源和较新发表的中子俘获截面,计算了初始主序质量为７Ｍ○·,核心质量分别为１．３６,１．１６,０．９６Ｍ○·,重叠因子ｒ分别为０．１６７,０．２８２,０．４３的中等质量ＡＧＢ星Ｈｅ壳层内的重元素丰度随脉冲数的变化及达到渐近分布后各核素的丰度     

Neutron imaging at Peking University

： Neutron imaging techniques were investigated at Peking University based on a 4.5 MV Van de Graaff accelerator. The thermal neutron radiography, fast neutron radiography and fast neutron resonance radiography were tested. The low neutron flux limits the image quality. A new radio frequency quadrupole （RFQ） accelerator based on neutron source with a yield of 1 012 n/s is being set up.     

硅二极菅脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＋ｎｎ＋高压整流二极营进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０１３ｎ／ｃｍ２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ３缺陷，氧空位和双空位缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ十Ｖ２）或（Ｏ十Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还表明，该类器件具有良好的耐辐照特性。文中还对退火特性进行了讨论。退火使氧空位和双空位Ｅ２增加，这可能是Ｖ２Ｏ、Ｖ３Ｏ分解所致。