PZN—PT—BT铁电陶瓷反应动力学

本文用高温ＸＲＤ研究了ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ系铁电陶瓷在相界附近化学反应过程及反应动力学，研究结果表明该系材料首先生成焦绿石相，提高烧洁温度和延长烧结时间，可形成钙钛矿结构，但仍有少量焦绿石相。     

钙钛矿型铁电体铁电相变时介电表现

铁电－铁电相变并不总是伴随介电峰值。ＢａＴｉＯ３出现峰值，ＰｂＺｒ１－ｘＴｉｘＯ３系统则不是，利用铁电热力学理论研究了出现介电峰值的条件，并将此与斜方相是否存在联系起来。     

烧结温度对PSBN铁电陶瓷介电性能的影响

用普通的电子陶瓷工艺制备了ＰｂＯ－ＳｒＯ－ＢａＯ－Ｎｂ２Ｏ５（ＰＳＢＮ）系统民陶瓷，研究了ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系，ＸＲＤ分析表明：ＰＳＢＮ系统铁电陶瓷的主晶相是Ｐｂ０．７Ｂａ０．３Ｎｂ２Ｏ６（ＰＢＮ）、Ｓｒ０．５Ｂａ０．５Ｎｂ２Ｏ６（ＳＢＮ）和Ｂａ０．２７Ｓｒ０．７５Ｎｂ２Ｏ５．７８（ＢＳＮ），将这一复杂的化学系统看作三元系固熔体，其中ＰＢＮ、ＳＢＮ和ＢＳＮ各相比例随烧结温     

Ba3NaLaNb10O30晶体的物性研究

Ｂａ３ＮａＬａＮｂ１０Ｏ３０晶体具有四方钨青铜型结构，室温时的空间群和点群分别为Ｐ４／ｍｂｍ和４／ｍｍｍ晶格参数ａ＝ｂ＝１２，４７１２Ａ，ｃ＝３．９３５０Ａ。介电，铁电等测量结果表明，该晶体在２８０Ｋ附近有－弥散性很强的铁电一顺电相变，其弥散性指数γ＝１．８低温２００Ｋ时的ＸＲＤ显示它的低温相为四方相，点群为４ｍｍ点群。     

等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为

采用固态烧结工艺制备了位于反铁电（AFE）／铁电（FE）相界附近的PbLa（Zr，Sn，Ti）O3（PLZST）反铁电陶瓷样品．通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系，得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电／反铁电相变及反铁电／顺电（PE）相变温度影响的规律．研究发现：极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下，随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大，相对介电常数最大值对应的温度降低，FE／AFE转变温度上升，AFE／PE转变温度下降；当等静压力为0．1MPa时，单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃／kV，单位偏置电压引起的FE／AFE相变温度变化率为5．2℃／kV，当等静压力为60MPa时，分别为-2．2℃／kV和3℃／kV。     

PZN基陶瓷超低频介电驰豫的研究

采用线变零起始电压法，对Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基陶瓷样品在－１５０－１７６０℃温度范围内的超慢介电驰豫进行了详细测试；并结构普适型驰豫函数进行了实验数据的有效拟合，实现了介电常数从时域向频域的傅利叶转换，从而得到该样品的超低频（１０＾５－１０＾－１Ｈｚ）介电频谱、温谱。     

PZT薄膜的相转变与晶格参数的研究

研究Ｓｏｌ－ｇｅｌ制备ＰＺＴ薄膜材料相结构与晶格参数,研究ＰＺＴ薄膜相变、衬底与温度关系和不同Ｚｒ／Ｔｉ比Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１－ｘ）Ｏ３（ｘ＝０．２～０．８）。结果表明：ＰＺＴ薄膜从烧绿石相向钙钛矿相转变的温度在Ｐｔ衬底上为６００℃,在不锈钢上为６５０℃。ＰＺＴ铁电体薄膜的晶格参数和晶格畸变随Ｚｒ／Ｔｉ比的不同而变化;在铁电四方相区,随Ｚｒ含量增加,ａ＝ｂ轴逐渐增大,ｃ轴稍有缩短,四方晶系发生畸变;     

异价离子替位对PZN—PT系铁电陶瓷结构稳定性的影响

本文详细研究了异价离子（Ｋ￣＋，Ｌａ￣（３＋））替位对ＰＺＮ－ＰＴ系铁电陶瓷结构稳定性的影响，结果表明，Ｋ￣＋离子的引入有利于钙钛矿结构的稳定，而Ｌａ￣（３＋）离子的引入不利于钙钛矿结构的稳定。     

新铁电陶瓷材料PZT热物理性能和相变的研究

采用日本制造的闪光法TLP－18型仪器和线差法的TMA－30型仪器分别测试了PZT（51／49）铁电陶瓷的导温系数和热膨胀系数,并研究了温度,相变,极化处理和晶轴对其物理性能的影响,结果表明,在相变发生时,热物理性能产生了突变;导温系数随着温度而增大,而热膨胀系数却随着温度升高而减小,这为铁电陶瓷材料的相变研究提供了重要的理论依据。     

SAG法Ba_（1－x）Sr_xTiO_3的介电性质

ＸＲＤ法分析和介电测量结果表明，ＳＡＧ法Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ｘ＝０、０．３、０．５和０．７）微粉和陶瓷的室温结构为立方相．其居里温度明显低于相应Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３晶体或常规工艺陶瓷的值，但居里温度仍随着Ｓｒ２＋含量的增加而线性下降．晶粒含杂质Ｆｅ３＋以及表面富钡可能使其晶格立方化，从而使居里温度下降以及三方－正交和正交－四方铁电相变消失．     

Ba_3NaLaNb_（10）O_（30）晶体的物性研究

Ｂａ３ＮａＬａＮｂ１０Ｏ３０晶体具有四方钨青铜型结构，室温时的空间群和点群分别为Ｐ４／ｍｂｍ和４／ｍｍｍ，晶格参数ａ＝ｂ＝１２．４７１２Ａ，ｃ＝３．９３５０Ａ．介电、铁电等测量结果表明，该晶体在２８０Ｋ附近有一弥散性很强的铁电一顺电相变，其弥散性指数γ＝１．８．低温２００Ｋ时的ＸＲＤ显示它的低温相为四方相，点群为４ｍｍ点群．     

PZN—PT—BT陶瓷的铁电弛豫现象

研究了Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ２－ＰｂＴｉＯ３－ＢａＴｉＯ３（ＰＺＮ－ＰＴ－ＢＴ）系陶瓷的介电弛豫、热释电等现象与ＰｂＴｉＯ３含量的关系。探讨了热处理工艺对０．７５ＰＺＮ－０．２０ＰＴ－０．０５ＢＴ陶瓷的结构和性能的影响。运用宏畴－微畴理论对所得的实验现象进行了解释。     

AIN陶瓷的微波较低温烧结及相分析

使用Ｎｄ２Ｏ３－ＣａＦ２－Ｂ２Ｏ３烧结助剂,用微波在１２５０℃烧结成功了热民为６６．４ｗ／ｍ．ｋ的Ａ／Ｎ陶瓷。ＸＲＤ衍射显示,ＣａＡ１１２Ｏ１９为主要的次晶相。分析表明,本实验属液相烧结晶界相是钕硼玻璃相。Ｎｄ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３是ＡＬＮ陶瓷的有效烧结助剂。     

辊轧成型工艺制备ZrO2／Al2O3复相陶瓷的性能及结构

采用辊轧工艺，制成了素坯密度较高的氧化锆增韧氧化铝复合陶瓷，并对其性能和结构分别进行了研究。利用多种粒径的粉体混合，多种增韧方式来设计复相陶瓷的显微结构，得到了最佳配比和最佳烧结工艺条件下的ＺｒＯ２／ｎｍＡｌ２Ｏ３／μｍＡｌ２Ｏ３复相陶瓷。此陶瓷在１５５０℃下烧结，得到优良的抗弯强度和断裂韧性。     

氧化物陶瓷与Ag－Cu－Ti钎料的界面反应

研究了氧化铝和氧化铬陶瓷真空钎焊时陶瓷与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ钎料合金的界面反应，分析了加热温度（１０７３～１３２３Ｋ）和保温时间（０～３．６ｋｓ）对界面反应的影响规律，扫描电镜和Ｘ射线衍射分析结果表明：两种陶瓷均与Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金发生反应，反应层厚度随着温度和时间的增加而增加，对于氧化铝陶瓷，低子１１２３Ｋ时，反应产物为Ｃｕ２Ｔｉ４Ｏ和ＡｌＴｉ；在１１７３Ｋ以上温度时反应产物则为Ｔｉ２Ｏ、ＴｉＯ和ＣｕＴｉ２，此时，反应层是按Ａｌ２Ｏ３／Ｔｉ２Ｏ＋Ｔｉ０／Ｔｉ２Ｏ＋ＴｉＯ＋ＣｕＴｉ２／ＣｕＴｉ２／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布，对于氧化锆陶瓷，在整个试验温度范围，反应产物均为γ－ＡｇＴｉ３和δ－ＴｉＯ，反应产物也是按ＺｒＯ２／δ－ＴｉＯ／δ－ＴｉＯ＋γ－ＡｇＴｉ３／γ－ＡｇＴｉ３／Ａｇ－Ｃｕ呈层状过渡分布的．     

KTa0.4Nb0.6O3铁电陶瓷固相反应中红外吸收光谱的研究

利用红外吸收光谱分析方法，研究固溶体钽铌酸钾铁电陶瓷原料在预烧阶段中的固相反应，观察ＫＴＮ材料的中心离子与氧离子键的特征吸收峰的生成过程，判断固相反应完成的程度，确定ＫＴＮ陶瓷的预烧温度，与Ｘ射线衍射结构分析和预烧温度对瓷体密度的影响结果比较，发现红外吸收光谱分析方法是确定铁电陶瓷预烧温度的别一种可靠方法。     

燃煤MHD发电Al2O3基电极间绝缘材料抗裂性的改善

为避免燃煤ＭＨＤ发电Ａｌ２Ｏ３陶瓷电极间绝缘片在动态试验中发生开裂的现象，作者进行了在Ａｌ２Ｏ３基材料中添加第二相（ＺｒＯ２，Ｓｉ３Ｎ４）以提高抗热震性和改善抗裂性的研究。结果表明，所研制的Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－Ｓｉ３Ｎ４多相复合新材料与Ａｌ２Ｏ３陶瓷相比，室温抗弯强度提高１４０％，抗热震临界温差△Ｔ提高７５％。在动态电弧加的器法拉第通道进行２５ｈ试验后，电极间绝缘片全部完整，棱角清晰。     

PZT／Si异质结的电特性研究

采用Ｓｏｌ／Ｇｅｌ工艺制备ＰＺＴ／Ｓｉ结构，从该结构的极化特性、开关特性和Ｉ－Ｖ特性等方面研究了硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结特性．并以这种效应分析了ＦＲＡＭ电容中铁电薄膜的疲劳机制．     

Al2O3—ZrO2—SiC陶瓷的快速烧结与力学性能

研究反应结合Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ３－ＳｉＣ复合陶瓷的快速烧结工艺和力学性能,讨论反应结合过程及物相变化,快速烧结是抑制晶粒生长,获得均匀,细微,致密结构有效途径Ｎｏ．３复合陶瓷在１５５０℃经１０ｍｉｎ的快速烧结,材料的力生能达到了较好水平,经度５５５ＭＰａ,断裂韧性３．６ＭＰａ．ｍ＾１／２维氏硬度１７．１ＧＰａ。     

反铁电爆电换能电源研究

为了建立铁电－反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系，采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电－反铁电相变性能，分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特性。实验结果表明：铁电－反铁电相变中的输出功率与材料面电荷量的平方成正比，与实现相变的时间成反比。在此基础上提出了增加输出功率的途径。通过改善材料电滞回线的方直比，可以提高材料面电荷密度和缩短相变时间。