硅基SiNxOy薄膜的光致发光

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.     

SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注     

CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果, 并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.     

通孔结构阳极氧化铝湿敏传感器的制备与性能表征

以0.5 mol/L草酸为电解液, 在40 V直流电压、0~5℃下采用二步氧化法制备通孔阳极氧化铝膜片, 用射频磁控溅射在膜片上下表面沉积金电极, 成功地制备了一种通孔结构湿敏传感器. 湿度-阻抗特性测试显示, 该传感器不但可在12%~97%的相对湿度范围内具有良好的阻抗-湿度线性变化关系, 而且具有响应恢复速度快、重复稳定性好的特征.     

新结构SrGa2S4:Ce蓝色TFEL研究

用电子束蒸发制备了新型的SrGa2 S4 ∶Ce薄膜电致发光器件 ,获得了稳定的、色纯度较好的蓝色发光 .在这种结构中 ,介质层的介电常数比传统结构的器件低得多 ,且低于发光层的介电常数 ,这有利于电子在SiO和SiO2 层中的预热和加速     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er3 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er3 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位VS、Zn空位VZn、浅施主ClS 和FS、深受主Cu 等 .S空位是双施主能级 ,V1 S 和V2 S 分别位于导带底 1 36和 2 36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V1-Zn 和V2 -Zn 距价带顶分别约为 1 0 0和 1 5 0eV ;Cu 能级位于价带顶 1 2 6eV处 .另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;ClS 和FS 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素 .     

八羟基喹啉铝在多孔氧化铝纳米孔中的光致发光

采用阳极氧化法制备了多孔氧化铝，原子力显微镜的观察结果表明其孔径约为10nm。通过物理吸附在纳米孔中组装入有机发光小分子八羟基喹啉铝，观察到了这些小分子的光致发光蓝移现象，与不同浓度的Alq3的PL相比，纳米孔中Alq3的发光接近于单分子发光行为。这种蓝移现象与纳米孔对有机分子聚集程度的限制有关。     

SiO_2/SiO界面能级位移光电子能谱的研究

我们在薄膜电致发光(TFEL)器件中使用予热层、加速层及发光层分层优化的方案,予热层除提供电子外,SiO_2/SiO界面的能级位移将决定薄膜场致发光器件中予热能否奏效.尽管半导体界面能级位移的研究已相当成熟,对于较好的研究体系,界面能级位移的研究结果误差不超过0.2～0.3eV,但像SiO_2/SiO界面能级位移的研究很少,因为SiO_2,SiO是非晶,它们的组分又比较复杂,SiO_2和SiO之间界面的偶极矩难以确定,因而利用计算方法确定这种     

Eu,Dy共掺SiO_2单一基质三基色白光发光材料

用溶胶-凝胶技术制备了Eu,Dy共掺杂SiO2基质三基色白光干凝胶发光材料,在室温紫外激光波长激发下样品的发射光谱分别在618,573和400～500nm处同时出现了强的红、绿、蓝三色发射.利用FT-IR,TGA-DSC,PL光谱等现代分析技术,对发光材料的微观结构进行了表征,研究了退火温度、退火时间、干燥气氛、基质成分等制备工艺对其发光性能的影响.Eu3 对应的红光750℃时发光最强,700℃退火样品开始出现蓝光,900℃蓝光最强.退火最佳保温时间为2h.真空干燥样品在较低温度下Eu3 更容易还原成Eu2 ;TGA-DSC分析表明,真空气氛干燥样品形成稳定网络结构的温度低于空气气氛干燥样品.4种基质干凝胶850℃退火样品的光谱只有SA,SAB基质中有蓝光发射,且SAB基质中的蓝光强于SA基质,分析认为在SAB基质中,由于氧化硼、碱土氧化物与氧化铝可能形成共熔相,可稳定发光中心及网络结构,从而提高发光亮度.     

a-C:H:N薄膜结构和光学特性的研究

近年来,由于a-C:H薄膜所具有的类金刚石结构特征和广泛的应用前景,因而在固体物理和技术两方面成为研究的热点。人们已经研制了a-C:H薄膜做为有源层的光发射二极管,但这些器件的性能还不能满足实际应用的需要。其原因之一是对a-C:H材料还没有建立一个有效的掺杂过程。因此,目前许多人还在致力于对a-C:H薄膜掺氮的研究。研究结果表明,掺N能够显著地提高光致发光强度。这对提高以a-C:H薄膜为有源层的光电器件质量,改进发光性能是有益的。另一方面,掺氮将引起a-C:H薄膜微结构的改变。本文研究的目的在于探讨薄膜微观结构、发光中心和N原子作用三者之间的关系。因此,本文对掺N与未掺N的a-C:H样品进行了对比研究。通过红外、扫描差热和透射-反射光谱研究了其微观结构的变化。用光致发光光谱研究了氮与发光中心的关系,讨论了氮对a-C:H薄膜微观结构和发光中心的影响。     

Eu, Dy共掺SiO2单一基质三基色白光发光材料

用溶胶-凝胶技术制备了Eu, Dy共掺杂SiO2基质三基色白光干凝胶发光材料, 在室温紫外激光波长激发下样品的发射光谱分别在618, 573和400~500 nm处同时出现了强的红、绿、蓝三色发射. 利用FT-IR, TGA-DSC, PL光谱等现代分析技术, 对发光材料的微观结构进行了表征, 研究了退火温度、退火时间、干燥气氛、基质成分等制备工艺对其发光性能的影响. Eu³⁺对应的红光750℃时发光最强, 700℃退火样品开始出现蓝光, 900℃蓝光最强. 退火最佳保温时间为2 h. 真空干燥样品在较低温度下Eu³⁺更容易还原成Eu²⁺; TGA-DSC分析表明, 真空气氛干燥样品形成稳定网络结构的温度低于空气气氛干燥样品. 4种基质干凝胶850℃退火样品的光谱只有SA, SAB基质中有蓝光发射, 且SAB基质中的蓝光强于SA基质, 分析认为在SAB基质中, 由于氧化硼、碱土氧化物与氧化铝可能形成共熔相, 可稳定发光中心及网络结构, 从而提高发光亮度.     

CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁

利用双离子束外延技术制备了CeO₂/Si薄膜, 观察到了CeO₂室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, CeO₂的发光机制是由于电子的Ce4f ® O₂p跃迁和缺陷能级®O₂p能级跃迁共同作用的结果, 并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.     

仿生生物自发光纳米材料用于肿瘤光动力治疗

光动力疗法(PDT)具有高效的肿瘤细胞杀伤能力,因此被用于多种肿瘤的治疗,但是光在组织中穿透性较差,限制了光动力疗法的进一步发展.为解决肿瘤光动力治疗中外部照射光组织穿透力弱的问题,本文仿生萤火虫生物发光特性,构建了可在组织内部进行生物自发光的纳米材料.选择ZIF-8对生物发光系统进行封装,并选择Mn O2对ZIF-8进行包裹以此来减少纳米粒子的毒性.该纳米粒子能够实现发光系统在肿瘤部位响应释放.同时,选择激发波长与生物发光波长重叠的光敏剂直接与发光系统相连,保证了高效的生物发光共振能量转移.本文研究证实了该纳米材料具有层次分明的核壳结构,以及良好的细胞生物相容性,可被肿瘤细胞大量摄取.进一步研究证明该纳米材料可在肿瘤细胞高谷胱甘肽的微环境中降解,释放催化酶及发光底物,并在腺嘌呤核苷三磷酸(ATP)的作用下进行生物自发光.同时,细胞实验证实了发光底物可通过生物发光共振能量转移效应激发光敏剂产生活性氧,进行光动力治疗,对耐药肿瘤细胞具有良好的细胞杀伤效果.本文构建的生物自发光纳米材料具有在生物深层组织进行生物自发光激活光敏剂光动力的潜力,有望解决肿瘤光动力治疗中外部照射光组织穿透力弱的缺...     

双层有机电致发光器件中电场分布对载流子复合区的影响

研究了可溶性ＰＰＶ衍生物薄膜在双层结构器件中的电致发光以及有机层厚度对器件发光性能的影响。对于不同厚度的Ａｌｑ３电子传输层，器件的发光光谱随着电压的增加出现不同的变化规律。     

草酸-乙醇-水溶液中制备孔间距大范围内可调多孔氧化铝模板

通过添加适量乙醇对草酸电解液进行改性, 在40~180 V阳极氧化电压下成功制备了孔间距大范围内可调的高度有序多孔氧化铝模板(100~445 nm). 结果表明, 在本实验条件下, 适量乙醇的添加可以有效抑止高电压阳极氧化过程中燃烧和击穿现象的发生; 当阳极氧化电压在40~170 V之间时, 模板孔间距和电压之间呈现极好的线性关系; 而当电压超过180 V后, 模板将会产生燃烧和击穿现象.     

草酸-乙醇-水溶液中制备孔间距大范围内可调

通过添加适量乙醇对草酸电解液进行改性,在40～180 V阳极氧化电压下成功制备了孔间距大范围内可调的高度有序多孔氧化铝模板(100～445 nm). 结果表明,在本实验条件下,适量乙醇的添加可以有效抑止高电压阳极氧化过程中燃烧和击穿现象的发生; 当阳极氧化电压在40～170 V之间时,模板孔间距和电压之间呈现极好的线性关系; 而当电压超过180 V后,模板将会产生燃烧和击穿现象.     

氧化铝对长链正构烷烃的吸附性能

在将氧化铝用于重质油的族组分的制备分离研究中 ,发现氧化铝对长链正构烷烃有较强的吸附性能 .氧化铝的这一性能可能是由于 :正构烷烃可紧密地在氧化铝表面上展开 ,而一个正构烷烃分子可被氧化铝表面上的多个活性点吸附 .正构烷烃的链越长 ,氧化铝对其吸附的活性点越多 ,这样使得链越长的正构烷烃的氧化铝上有越强的吸附力     

热蒸发法制备以有机小分子-无机钙钛矿复合薄膜为发光层的白光PeLED

近年来,金属卤化物钙钛矿发光器件（PeLED）的研究取得了很多突破,其电致发光（electroluminescence, EL）性能得到了很大提高,但关于白光PeLED的报道较少.本文报道了用真空热蒸发法制备结构为ITO/MoO₃/TAPC/TCTA/CsPbBr₃/mCP/TmPyPB/LiF/Al的白光PeLED器件,其中CsPbBr₃/mCP作为发光层.扫描电子显微镜和X射线衍射测试结果证明,热蒸发法可制得微米级尺寸的钙钛矿晶粒,并且钙钛矿薄膜晶粒的择优生长取向为（100）晶面.研究发现,有机小分子材料mCP对钙钛矿薄膜有钝化作用,可用于改善发光层的成膜性,减小陷阱密度;并且陷阱密度随着mCP膜厚增加而减少.此外, mCP膜厚对白光中不同光色的比例和载流子复合区域的移动也有影响.当CsPbBr₃膜厚为20 nm、mCP膜厚为10～30 nm时可得到白光PeLED.其中,当mCP膜厚为20 nm时,由于蓝、绿、红光比例最均衡,所获得的白光质量最好,其器件的显色指数最高达到89,最优色坐标则为（0...     

TFEL发光层体内的点缺陷及其作用

通过对薄膜的光致发光谱的测量 ,研究了分层优化的ZnS∶Er³⁺ 薄膜电致发光器件的发光层体内点缺陷的种类及其在禁带中的能级位置 .结果表明 :ZnS∶Er³⁺ 体内除了作为发光中心的替位铒离子ErZn外 ,主要的点缺陷是S空位V_S、Zn空位V_Zn、浅施主Cl_S 和F_S、深受主Cu⁺ 等 .S空位是双施主能级 ,V¹⁺_S 和V²⁺_S 分别位于导带底1.36和2.36eV处 ;Zn空位是双受主能级 ,V^1-_Zn 和V^2-_Zn 距价带顶分别约为1.00和1.50eV ;Cu+能级位于价带顶12 6eV处.另外 ,还讨论了上述点缺陷对薄膜电致发光的影响 .通过S空位的俄歇型无辐射能量转移 ,降低了稀土掺杂的ZnS薄膜电致发光器件的短波发射强度 ;Cl_S 和F_S 的场发射及Zn空位的碰撞离化是发光层内产生空间电荷的两个可能的因素.     

聚合物近红外发光二极管

设计双层器件结构(ITO/PEDOT/P-PPV/PFHDNT/Ba/Al)制备高效率近红外发光二极管, 其中P-PPV为发绿光的苯基取代的PPV衍生物, PFHDNT为近红外发光的9,9-二辛基芴(DOF)与4,7-二(3-己基噻吩)-2,1,3-萘并噻二唑(HDNT)的共聚物(PFHDNT10). 经优化PFHDNT10和P-PPV薄膜厚度, 得到器件的外量子效率高达2.1%(激发电流35 mA/cm²), 流明效率0.3 cd/A, 较单层结构器件的发光效率(0.9%)提高了两倍以上, 发光光谱峰值为750 nm, 色度坐标CIE1931为 (0.67, 0.30), 位于近红外区域. 研究表明, 增强的发光效率主要原因是P-PPV层具有电子阻挡作用及向PFHNDT10共聚物进行了有效能量转移.