| CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁 |
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| 引用本文： | 柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫.CeO2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁[J].科学通报,2003,48(8):780-782. |
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| 作者姓名： | 柴春林 杨少延 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫 |
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| 作者单位： | 柴春林（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;杨少延（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;刘志凯（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;廖梅勇（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083）;陈诺夫（中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083） |
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| 基金项目： | 本工作为国家重点基础研究发展规划(批准号: G2000036505)和国家自然科学基金(批准号: 60206007)资助项目. |
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| 摘 要： | 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f ® O2p跃迁和缺陷能级®O2p能级跃迁共同作用的结果, 并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.
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| 关 键 词： | CeO2/Si薄膜 紫/蓝光 跃迁 |
| 收稿时间： | 2002-12-10 |
| 修稿时间： | 2002年12月10 |
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